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价格(含税)

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600V 320A

型号：IXGN320N60A3 编号：C17294760

封装：SOT-227B

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：针对低传导损耗进行优化。高雪崩能力。隔离电压3000V。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

1+
￥251.57
30+
￥240.39

有货

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650V 160A

型号：MSG160T65HLC1 编号：C5353635

封装：TO-247plus

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：极低饱和电压：VCE(sat) = 2.1V @ IC = 160 A。最高结温：TJ = 175℃。正温度系数。紧密的参数分布。高输入阻抗。应用：混合动力汽车/电动汽车的牵引逆变器。辅助直流/交流转换器

数据手册

1+
￥70.54
10+
￥61.31
30+
￥50.72
90+
￥46

有货

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750V 150A

型号：AIKQ120N75CP2XKSA1 编号：C3171257

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：集电极-发射极阻断电压能力：750V。适用于470V直流系统，为400V直流系统增加过电压裕量。极低的集电极-发射极饱和电压：在集电极额定电流为120A、温度为25°C时为1.30V。应用：电动汽车牵引逆变器

1+
￥82.27
10+
￥78.2
30+
￥71.15

有货

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900V 78A

型号：APT43GA90BD30 编号：C3193673

封装：TO-247-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一种高速穿通开关模式 IGBT。通过领先的技术、硅设计和寿命控制工艺实现低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低 Eoff 和 VCE(ON) 的折衷结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大大降低的 Cres/Cles 比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关期间控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。

数据手册

1+
￥93.09
10+
￥88.98
30+
￥81.85

有货

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1.2kV 150A

型号：IKY75N120CH3XKSA1 编号：C3191739

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供: 由于采用开尔文发射极引脚封装并结合高速H3技术，具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tvj = 175℃时，短路耐受时间为10μs。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。充电器

1+
￥107.46
10+
￥102.15
30+
￥92.97

有货

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1.7kV 108A

型号：IXYH30N170C 编号：C3193645

封装：TO-247AD

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高压封装。高阻断电压。低饱和电压。低栅极驱动要求。高功率密度。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源 (UPS)

1+
￥122.08
10+
￥116.78
30+
￥107.59

有货

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1.2kV 50A

型号：MG50HF12TLC1 编号：C2942685

封装：-

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：采用沟槽技术实现低VCE（饱和）。 VCE（饱和）具有正温度系数。高短路能力（10μs）。包含超快速和软恢复反并联FWD。低电感。最高结温175℃。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

1+
￥125.59
10+
￥121.99

有货

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5件套 IGBT MSG140T120HLF4

型号：MSG140T120HLF4 编号：C41417730

封装：SOT-227

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 1200V 75A SOT-227 模块

1+
￥132.88
10+
￥128.53

有货

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1.2kV 150A

型号：IKQ75N120CT2 编号：C536208

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的VCE(sat)，标称电流下为1.75V。在Tv = 175℃时，短路耐受时间为10μs。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低EMI。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

数据手册

1+
￥137.16
10+
￥130.87
30+
￥119.96

有货

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1.2kV 100A

型号：MG100HF12TLC1 编号：C2942687

封装：-

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：采用沟槽技术，具有低VCE(sat)。 VCE(sat)具有正温度系数。高短路能力（10μs）。包含超快速软恢复反并联FWD。低电感。最高结温175℃。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

1+
￥175.46
10+
￥170.43

有货

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IGBT单管 2500V 55A 高压大电流 TO-264 国产

型号：MSG55T250HLB3 编号：C42445167

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT单管 2500V 55A 高压大电流 TO-264 国产

单价：
￥198.02 / 个

有货

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600V/200A，二合一封装IGBT模块

型号：2MBI200VA-060-50 编号：C36449916

封装：螺栓安装

品牌：FUJI(富士电机)

特性：AC开关。高速开关。电压驱动。低电感模块结构。应用：UPS、PCS等的AC开关

1+
￥242
30+
￥230

有货

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1.2kV 150A

型号：MG150HF12TLC1 编号：C2942688

封装：-

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：采用沟槽技术实现低VCE(sat)。 VCE(sat)具有正温度系数。高短路能力（10μs）。包含超快速软恢复反并联FWD。低电感。最高结温175℃。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

1+
￥272.12
30+
￥260.12

有货

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1200V/50A智能功率模块（PIM）IGBT模块

型号：7MBR50VN120-50 编号：C42821895

封装：插件,122x62mm

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低VCE(sat)。紧凑型封装。印刷电路板安装模块。转换器二极管桥。动态制动电路。符合RoHS标准的产品。应用：电机驱动逆变器。交直流伺服驱动器放大器

1+
￥364.64
30+
￥347.25

有货

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4件套 200A/1200V IGBT模块

型号：2MBI300VH-120-50 编号：C35330355

封装：螺栓安装

品牌：FUJI(富士电机)

1+
￥399.65
32+
￥380.03

有货

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1.2kV 200A

型号：MG200HF12MIC2 编号：C781190

封装：螺栓安装

品牌：YANGJIE(扬杰)

MG200HF12MIC2-A1-0000

数据手册

1+
￥419.89
10+
￥391.04

有货

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1.2kV 700A

型号：BS450HF120B2SDX 编号：C49164829

封装：螺栓安装

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

IGBT模块,1200V,450A

1+
￥438.12
30+
￥417.43

有货

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FF300R07KE4

型号：FF300R07KE4 编号：C17561819

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥512.05
30+
￥488.67

有货

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1700V/300A，二合一封装 IGBT 模块

型号：2MBI300VH-170-50 编号：C42387492

封装：螺栓安装

品牌：FUJI(富士电机)

特性：AC开关。高速开关。电压驱动。低电感模块结构。应用：UPS、PCS等的AC开关

1+
￥532.35
32+
￥514.15

有货

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1.2kV 450A

型号：MCF450N120S2E3 编号：C22392037

封装：E3

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

模块采用JSCJ先进的沟槽和场截止（FS）IGBT技术，具有极低的集电极-发射极饱和电压，易于在驱动器和逆变器中使用。

1+
￥552.41
30+
￥526.33

有货

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650V 400A

型号：FF400R07KE4 编号：C3198652

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：增加阻断电压能力至650V。扩展工作温度Tvop。高短路能力，自限短路电流。 2.5kV交流1分钟绝缘。相比漏电起痕指数CTI > 400的封装。高爬电距离和电气间隙。应用：高功率转换器。电机驱动器

1+
￥595.15
30+
￥566.67

有货

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7MBP150RA120-05

型号：7MBP150RA120-05 编号：C42387491

封装：-

品牌：FUJI(富士电机)

1+
￥3019.77
28+
￥2881.86

有货

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600V 5.7A

型号：IKN03N60RC2ATMA1 编号：C3191597

封装：SOT-223-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：集电极-发射极电压（VCE）：600V。集电极电流（IC）：3A。参数分布非常紧密。工作范围：1至20kHz。最高结温：150°C。短路承受时间：3μs。应用：吊扇。台面电器

1+
￥4.41
10+
￥3.54
30+
￥3.11

有货

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IGBT单管

型号：CGPT40N65F2KBT 编号：C49330888

封装：TO-3P

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

650V/40A/-40~+175℃/TO-3P/替代GT50JR22

1+
￥4.53
10+
￥4.43
30+
￥4.36

有货

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IGBT单管

型号：CGWT40N65F2KBT 编号：C49330890

封装：TO-247

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

650V/40A/-40~+175℃/TO-247/替代STGWA40HP65FB2

1+
￥4.92
10+
￥4.81
30+
￥4.74

有货

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1.2kV 10A

型号：IGD03N120S7ATMA1 编号：C32920109

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 3 A。低饱和电压：VCEsat = 2 V（Taj = 150℃时）。短路耐受时间：8 μs。宽范围的dv/dt可控性。完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器

1+
￥5.55
10+
￥5.43
30+
￥5.35

有货

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IGBT单管

型号：CGWT40N65F2KA 编号：C49330889

封装：TO-247

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

650V/40A/-40~+175℃/TO-247/替代IKW40N60H3

1+
￥5.83
10+
￥5.7
30+
￥5.61

有货

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650V 20A

型号：MSG20T65FQS 编号：C5353629

封装：TO-220F

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。 Trench FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.6V，IC = 20A 且 TC = 25℃。 RoHS产品。应用：通用逆变器。 UPS

数据手册

1+
￥6
10+
￥4.88
50+
￥4.27
100+
￥3.58

有货

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650V 80A

型号：BGH65N50L1 编号：C51346561

封装：TO-220-3

品牌：Bestirpower(萃锦半导体)

IGBT单管,650V,50A,

1+
￥6.482 ￥9.26
10+
￥5.397 ￥7.71
50+
￥4.802 ￥6.86
100+
￥4.13 ￥5.9

有货

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600V 20A

型号：STGF10H60DF 编号：C2970813

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

数据手册

1+
￥7.17
10+
￥6.98
30+
￥6.86

有货

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