igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

特性：高耐用性，适用于电机控制。 VCE(sat)正温度系数。非常软、快速恢复的反并联二极管。低EMI。最高结温175℃。应用：电机控制逆变器

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1+
￥4.7
10+
￥3.79
50+
￥3.3
100+
￥2.85
500+
￥2.58
1000+
￥2.44

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型号：IKD04N60RF 编号：C536167

封装：TO-252-3

IGBT 带有集成二极管，其封装具有节省空间的优势。适用于高达 30kHz 的硬开关应用。

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1+
￥4.9
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￥4.79
30+
￥4.71

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型号：MSG20T65FQS 编号：C5353629

封装：TO-220F

特性：低栅极电荷。 Trench FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.6V，IC = 20A 且 TC = 25℃。 RoHS产品。应用：通用逆变器。 UPS

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1+
￥6
10+
￥4.88
50+
￥4.27
100+
￥3.58

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型号：STGP5H60DF 编号：C5268543

封装：TO-220

600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

1+
￥6.71
10+
￥6.55
50+
￥6.44

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型号：STGP8NC60KD 编号：C2970493

封装：TO-220

该IGBT采用先进的PowerME5H™工艺，在开关性能和低导通状态性能之间实现了出色的平衡。

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1+
￥7.3
10+
￥7.16
30+
￥7.07

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型号：MSG20T65FQC 编号：C7424058

封装：TO-247

特性：低栅极电荷。 Trench FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.6V，IC = 20A 且 TC = 25℃。 RoHS产品。应用：通用逆变器。 UPS

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￥8.07
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￥6.68
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￥5.91
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￥5.04
450+
￥4.66
900+
￥4.48

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型号：STGD6NC60HDT4 编号：C154521

封装：DPAK

采用基于专利条形布局的最新高压技术，推出了具有卓越性能的先进 IGBT 系列——PowerMESH™ IGBT。后缀 “H” 表示该系列针对高频应用进行了优化，以便在保持低电压降的同时实现极高的开关性能（缩短下降时间 tfall）。

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1+
￥9.2
10+
￥7.58
30+
￥6.68

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型号：MSG40T65FL 编号：C5353631

封装：TO-247

特性：高速开关和低功率损耗。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.6V，IC = 30A 且 TC = 25℃。 Eoff = 0.35mJ，@ TC = 25℃。高输入阻抗。最大结温 175℃。应用：PFC 与 UPS。焊机与 IH 炊具

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1+
￥9.91
10+
￥8.28
30+
￥7.26
90+
￥6.22

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型号：CRG40T60AK3SD 编号：C18905997

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

CRG40T60AK3SD采用先进的沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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￥10.04
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￥8.43
25+
￥7.32
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￥6.31
500+
￥5.87
1000+
￥5.66

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型号：MSG40T65HHC0 编号：C7424064

封装：TO-247

特性：快速开关。低集电极发射极饱和电压。高输入阻抗。短路耐受时间5μs。应用：功率因数校正。不间断电源

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￥10.15
10+
￥8.4
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￥7.43
90+
￥6.34
450+
￥5.86
900+
￥5.64

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型号：IKB20N60TATMA1 编号：C42434076

封装：TO-263-3

1+
￥10.81
10+
￥9.08
30+
￥7.99

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型号：IKWH30N67PR7XKSA1 编号：C42433322

封装：TO-247-3

1+
￥11.07
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￥10.78
30+
￥10.6

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型号：CGWT40N65F2KAD 编号：C7543670

封装：TO-247

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CGWT40N65F2KAD采用杰斯特（JSCJ）第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止（FS）结构，具有较高的应用频率、低集电极 - 发射极饱和电压和开关损耗，易于并联使用。

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￥11.36
10+
￥9.62
30+
￥8.52

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型号：IGB03N120S7ATMA1 编号：C35498963

封装：TO-263-3

特性：VCE = 1200 V。 IC = 3 A。低饱和电压：VCEsat = 2 V（Tdj = 150℃时）。短路耐受时间：8 μs。宽范围的dv/dt可控性。完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器

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￥11.93
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￥10.19
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￥9.11
100+
￥8

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型号：STGP4M65DF2 编号：C5268588

封装：TO-220

650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

1+
￥13.81
10+
￥11.8
50+
￥10.54

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型号：AGW75N65 编号：C7494995

封装：TO-247

品牌：ANHI(安海)

特性：CoolWatt II Trench-FS技术。低Vcesat。低开关损耗。带有反并联快速恢复二极管。正温度系数。高可靠性。应用：逆变器电源。 UPS

1+
￥14.09
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￥13.37
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￥12.95
100+
￥12.52

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型号：IKWH50N65WR6 编号：C5359102

封装：TO-247-3

特性：VCE = 650 V。IC = 50 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥14.54
10+
￥13.49
30+
￥12.86
90+
￥12.23

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型号：STGB40V60F 编号：C5268557

封装：D2PAK

600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

1+
￥15.57
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￥15.22
30+
￥14.98

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型号：MSG80N350HLC0 编号：C7424054

封装：TO-247

特性：高电流能力。低饱和电压：VCE(sat) = 1.3V @ IC = 50 A。高输入阻抗。符合RoHS标准。应用：PDP TV

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￥18.26
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￥15.55
30+
￥13.86
90+
￥12.12

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型号：STGW8M120DF3 编号：C5268601

封装：TO-247

1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

1+
￥18.52
10+
￥18.07
30+
￥17.77

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型号：STGWA50HP65FB2 编号：C2971073

封装：TO-247