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特性:国际标准封装:JEDEC TO-268和JEDEC TO-247 AD。 高电流处理能力。 MOS栅极导通。 驱动简单。 坚固的NPT结构。 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性分类。应用:电容器放电和脉冲电路。 交流电机调速
数据手册
  • 1+

    ¥106.11
  • 10+

    ¥101.35
  • 30+

    ¥93.11
  • 有货
  • 高速、低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术,与软、快速恢复发射极控制7二极管共封装。
    • 1+

      ¥23.04
    • 10+

      ¥22.46
    • 30+

      ¥22.07
  • 有货
  • Vce=600V,Ic=40A,Vce(sat)=2.1V
    数据手册
    • 1+

      ¥24.63
    • 10+

      ¥21
    • 30+

      ¥18.84
    • 90+

      ¥16.65
    • 510+

      ¥15.65
    • 1200+

      ¥15.19
  • 有货
  • 工规级 IGBT单管 N沟道,TO247,广泛应用于各类高频电源行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.2225 ¥26.55
    • 10+

      ¥21.6505 ¥22.79
    • 30+

      ¥18.886 ¥19.88
    • 90+

      ¥16.739 ¥17.62
    • 510+

      ¥15.751 ¥16.58
    • 1200+

      ¥15.3045 ¥16.11
  • 有货
    • 1+

      ¥25.82
    • 10+

      ¥25.25
    • 30+

      ¥24.88
  • 有货
  • 新一代IGBT在D²-Pak (TO-263)和TO-220塑料封装中提供出色的SCIS能力。这些器件适用于汽车点火电路,特别是作为线圈驱动器。内部二极管无需外部组件即可提供电压钳位。EcoSPARK器件可定制特定钳位电压。
    • 1+

      ¥25.96
    • 10+

      ¥25.37
    • 50+

      ¥24.98
  • 有货
  • 600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
    • 1+

      ¥26.49
    • 10+

      ¥25.21
    • 30+

      ¥24.43
  • 有货
  • 特性:VCE(sat)(typ.) = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 75A。 高速开关。 更高的系统效率。 软电流关断波形。应用:UPS。 交流和直流电机控制
    数据手册
    • 1+

      ¥27.39
    • 10+

      ¥23.17
    • 25+

      ¥20.66
    • 100+

      ¥18.13
  • 有货
  • 特性:采用场截止技术的高效沟槽。 最高结温TJmax = 175℃。 软快速反向恢复二极管。 针对高速开关进行优化。 具备10μs短路承受能力。应用:太阳能逆变器。 不间断电源(UPS)
    数据手册
    • 1+

      ¥27.4
    • 10+

      ¥24.13
    • 25+

      ¥22.19
    • 100+

      ¥20.22
  • 有货
  • 采用第二代IGBT技术,具有先进的沟槽和场截止(FS)结构,集电极-发射极饱和电压非常低,易于并联使用。
    • 1+

      ¥32.41
    • 10+

      ¥27.85
    • 30+

      ¥25.14
  • 有货
  • 使用新型场截止第七代 IGBT 技术和 Gen7 二极管,采用 TO247 三引脚封装,为太阳能、UPS 和 ESS 等各种应用中的高效运行提供了低开关和传导损耗的最佳性能。
    • 1+

      ¥32.91
    • 10+

      ¥28.1
    • 30+

      ¥25.17
  • 有货
    • 1+

      ¥41.6
    • 10+

      ¥35.52
    • 30+

      ¥31.82
  • 有货
  • 特性:极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175℃。 短路耐受时间:5μs。 专为变频器和不间断电源设计。 适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术,提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和温度稳定性。 -非常高的开关速度。 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 低栅极电荷。 非常软且快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。 符合JEDEC目标应用标准。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准
    • 1+

      ¥58.82
    • 10+

      ¥51.64
    • 30+

      ¥47.26
    • 100+

      ¥33.1284 ¥43.59
  • 有货
    • 1+

      ¥60.54
    • 10+

      ¥52.69
    • 30+

      ¥47.91
  • 有货
  • 特性:极低饱和电压:VCE(sat) = 2.1V @ IC = 160 A。 最高结温:TJ = 175℃。 正温度系数。 紧密的参数分布。 高输入阻抗。应用:混合动力汽车/电动汽车的牵引逆变器。 辅助直流/交流转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥70.54
    • 10+

      ¥61.31
    • 30+

      ¥50.72
    • 90+

      ¥46
  • 有货
  • 特性:低VCE(on)平面IGBT技术。 低开关损耗。 方形RBSOA。 100%的部件经过ILM测试。 正VCE(on)温度系数。 符合JDS1022-A113回流焊要求。应用:PTC加热器继电器替换
    数据手册
    • 1+

      ¥77.31
    • 10+

      ¥66.35
    • 50+

      ¥59.67
  • 有货
  • 特性:集电极-发射极阻断电压能力:750V。 适用于470V直流系统,为400V直流系统增加过电压裕量。 极低的集电极-发射极饱和电压:在集电极额定电流为120A、温度为25°C时为1.30V。应用:电动汽车牵引逆变器
    • 1+

      ¥82.27
    • 10+

      ¥78.2
    • 30+

      ¥71.15
  • 有货
  • 特性:低开关损耗。 低VCE(sat),具有正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10μs)。 使用DBC技术的隔离散热片。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥86.14
    • 10+

      ¥83.49
  • 有货
  • 这款绝缘栅双极晶体管(IGBT)采用坚固且具有成本效益的场截止 II 型沟槽结构,在苛刻的开关应用中提供卓越性能,兼具低导通态电压和最小开关损耗。该 IGBT 非常适合用于 UPS 和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软恢复快速续流二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥92.57
    • 10+

      ¥83.64
    • 30+

      ¥78.2
  • 有货
  • 特性:采用沟槽技术实现低VCE(饱和)。 VCE(饱和)具有正温度系数。 高短路能力(10μs)。 包含超快速和软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温175℃。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥106.83
    • 10+

      ¥103.23
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 内置转换器二极管桥和动态制动电路。 符合RoHS标准。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥154.7
    • 24+

      ¥149.5
  • 有货
  • 特性:低开关损耗。 具有正温度系数的低VCE(sat)。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10us)。 最高结温175℃。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥208.44
    • 30+

      ¥198.67
  • 有货
  • 特性:AC开关。 高速开关。 电压驱动。 低电感模块结构。应用:UPS、PCS等的AC开关
    • 1+

      ¥239.58
    • 30+

      ¥227.7
  • 有货
  • MG100HF12MIC1-A1-0000
    数据手册
    • 1+

      ¥246.01
    • 10+

      ¥228.62
  • 有货
  • 1200V/75A/-40~+150℃/EconoPIM3/替代FP75R12KT4
    • 1+

      ¥262.15
    • 10+

      ¥254.09
  • 有货
  • 1200V/100A/-40~+150℃/EconoPIM3/替代FP100R12KT4
    • 1+

      ¥312.09
    • 10+

      ¥302.49
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。高阻断电压。高电流处理能力。反并联二极管。高功率密度。低栅极驱动要求。应用:电容放电。交流开关
    • 1+

      ¥321.65
    • 30+

      ¥310.51
  • 有货
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