igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXYA30N120A4HV 编号：C3194045

封装：TO-263HV

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥62.64
10+
￥54.79
30+
￥50.01

有货

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型号：DGW15N120CTL 编号：C20167789

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

1+
￥9.5
10+
￥9.31
36+
￥9.18

有货

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型号：IKWH30N65WR6 编号：C5359100

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 30 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥10.58
10+
￥9.86
30+
￥9.43
90+
￥9

有货

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型号：IKWH40N65WR6 编号：C5359101

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 40 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥11.99
10+
￥11.15
30+
￥10.65
90+
￥10.14

有货

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型号：CRG75T65BK5SD 编号：C22363477

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

CRG75T65BK5SD采用先进的微沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

1+
￥13.58
10+
￥11.55
25+
￥9.93

有货

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型号：IKWH50N65WR6 编号：C5359102

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 50 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥14.54
10+
￥13.49
30+
￥12.86
90+
￥12.23

有货

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型号：IKA15N65H5 编号：C536140

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TRENCHSTOPTM 5 技术的高速 5 IGBT，与 RAPID 1 快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

1+
￥17.3
10+
￥14.95
50+
￥13.48

有货

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型号：MSG40T120FQC 编号：C7424075

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。饱和电压：VCE(sat) = 2.0V @ IC = 40 A。符合RoHS标准。应用：通用逆变器。焊接

1+
￥17.53
10+
￥14.4
30+
￥12.43
90+
￥10.42

有货

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型号：IKW30N65ES5 编号：C536213

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），额定电流下为1.35V。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压为650V。低栅极电荷QG。 IGBT与全额定快速1型反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥18.33
10+
￥15.69
30+
￥14.05
90+
￥12.36

有货

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型号：IHW20N65R5 编号：C536120

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。TRENCHSTOP™ 技术提供：非常紧密的参数分布。高耐用性和稳定的温度特性。非常低的 VCEsat 和低 Eoff。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥18.802 ￥27.65
10+
￥15.689 ￥27.05
30+
￥12.792 ￥26.65
100+
￥12.6 ￥26.25

有货

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型号：STGW30H60DFB 编号：C183255

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

数据手册

1+
￥20.51
10+
￥20.07
30+
￥19.77

有货

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型号：RGS80TS65DHRC11 编号：C7493801

封装：TO-247N

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。短路耐受时间8μs。通过AEC-Q101认证。内置超快软恢复FRD。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：汽车和工业用通用逆变器

1+
￥21.26
10+
￥20.77
30+
￥20.43

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型号：DGW40N120CTH1A 编号：C20600423

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：高击穿电压至1200V，提高可靠性。最高结温175℃。正温度系数。包含快速软恢复反并联FWD。应用：高频开关应用。谐振转换器

1+
￥21.27
10+
￥20.85
36+
￥20.56

有货

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型号：YGW75N65F1 编号：C4153745

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥21.3465 ￥22.47
10+
￥18.2875 ￥19.25
30+
￥15.8365 ￥16.67
90+
￥14.003 ￥14.74
510+
￥13.1575 ￥13.85
1200+
￥12.768 ￥13.44

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型号：IKWH40N65EH7XKSA1 编号：C20191522

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速、低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术，与软、快速恢复发射极控制7二极管共封装。

1+
￥23.33
10+
￥22.75
30+
￥22.36

有货

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型号：YGW75N65T1 编号：C4153746

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥25.2225 ￥26.55
10+
￥21.6505 ￥22.79
30+
￥18.886 ￥19.88
90+
￥16.739 ￥17.62
510+
￥15.751 ￥16.58
1200+
￥15.3045 ￥16.11

有货

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型号：IKW50N65ET7 编号：C5359098

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥26.25
10+
￥25.65
30+
￥25.25

有货

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型号：NCE40TS120VTP 编号：C5160411

封装：TO-247P

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，这款1200V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

数据手册

1+
￥26.72
10+
￥22.5
30+
￥19.99

有货

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型号：IKWH50N65EH7XKSA1 编号：C20191523

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 50 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥27.31
10+
￥26.66
30+
￥26.23

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型号：STGW40V60DLF 编号：C5268553

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

1+
￥27.38
10+
￥26.1
30+
￥25.32

有货

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型号：STGP14NC60KD 编号：C222224

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的完美平衡。

数据手册

1+
￥28.41
10+
￥24.61
30+
￥22.34

有货

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型号：STGW60V60DF 编号：C501004

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

数据手册

1+
￥28.47
10+
￥24.49
30+
￥22.13

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型号：IKW75N65ET7XKSA1 编号：C17307379

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。 IC = 75A。极低的 VCE,sat。低关断损耗。短尾电流。降低电磁干扰 (EMI)。应用：伺服驱动器。通用驱动器 (GPD)

1+
￥29.57
10+
￥28.85
30+
￥28.37

有货

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型号：RGT80TS65DGC13 编号：C2981748

封装：TO-247-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。低开关损耗。短路耐受时间5μs。内置超快软恢复FRD（RFN系列）。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

数据手册

1+
￥31.26
10+
￥25.95
30+
￥22.72

有货

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型号：AUIRG4BC30SSTRL 编号：C533448

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：标准：针对最小饱和电压和低工作频率（<1kHz）进行优化。无铅，符合RoHS标准。通过汽车认证。应用：PTC加热器。放电开关

数据手册

1+
￥31.584 ￥49.35
10+
￥26.649 ￥49.35
30+
￥21.714 ￥49.35

有货

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型号：IKW30N65H5 编号：C536214

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥31.77
10+
￥27.4
30+
￥24.8

有货

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型号：MSG100T65HLB3 编号：C5353633

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：极低饱和电压：VCE(sat) = 1.65V @ IC = 100A。最高结温：TJ = 175℃。正温度系数。紧密的参数分布。高输入阻抗。应用：混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。辅助直流/交流转换器

数据手册

1+
￥32.18
10+
￥27.22
25+
￥24.27
100+
￥21.29

有货

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型号：FGHL40T120SWD 编号：C22379660

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

使用新型场截止第七代 IGBT 技术和 Gen7 二极管，采用 TO247 三引脚封装，为太阳能、UPS 和 ESS 等各种应用中的高效运行提供了低开关和传导损耗的最佳性能。

1+
￥32.91
10+
￥28.1
30+
￥25.17

有货

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型号：IGW25N120H3FKSA1 编号：C17662862

封装：TO-247-3-1

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供一流的开关性能：可实现低于500μJ的总开关损耗。极低的VCEsat。低EMI。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。不间断电源

1+
￥34.28
10+
￥29.08
30+
￥25.98

有货

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型号：MSG120T65HLC1 编号：C5353634

封装：TO-247plus

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：极低饱和电压：VCE(sat) = 1.8V @ IC = 120 A。最高结温：TJ = 175℃。正温度系数。紧密的参数分布。高输入阻抗。应用：混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。辅助直流/交流转换器

数据手册

1+
￥58.59
10+
￥52.59
30+
￥32.97
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￥29.9

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