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CRG40T60AN3S采用先进的沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。
  • 1+

    ¥7.11
  • 10+

    ¥5.85
  • 25+

    ¥5.33
  • 有货
  • 600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥7.23
    • 10+

      ¥7.05
    • 30+

      ¥6.92
  • 有货
  • 650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥7.24
    • 10+

      ¥5.96
    • 30+

      ¥5.25
    • 100+

      ¥4.45
  • 有货
  • IGBT 650V 30A TO-220
    • 1+

      ¥7.4
    • 10+

      ¥6.12
    • 50+

      ¥5.42
  • 有货
    • 1+

      ¥7.71
    • 10+

      ¥7.52
    • 36+

      ¥7.39
  • 有货
  • 600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥7.74
    • 10+

      ¥6.37
    • 30+

      ¥5.61
    • 100+

      ¥4.76
  • 有货
  • 特性:低VCE(sat)沟槽-场截止(FS)IGBT技术。 最高结温175℃。 正温度系数。 包含快速软恢复反并联续流二极管(FWD)。 高短路能力(10μs)。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥7.97
    • 10+

      ¥7.8
    • 36+

      ¥7.68
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 3 A。 低饱和电压:VCEsat = 2 V(Taj = 150℃时)。 短路耐受时间:8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业驱动器
    • 1+

      ¥8.22
    • 10+

      ¥6.87
    • 30+

      ¥6.13
    • 100+

      ¥5.3
  • 有货
  • 特性:低栅极电荷。 FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 2.2V,IC = 15A,TC = 25℃。 符合RoHS标准的产品。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)
    • 1+

      ¥8.8
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥6.44
    • 90+

      ¥5.5
    • 450+

      ¥5.08
    • 900+

      ¥4.89
  • 有货
  • 汽车级400 V内部钳制IGBT ESCIS 320 mJ
    数据手册
    • 1+

      ¥8.84
    • 10+

      ¥8.61
    • 30+

      ¥8.46
  • 有货
  • 特性:低开关损耗。 最高结温175℃。 正温度系数。 高耐用性,温度稳定。 高短路能力(5μs)。应用:高频开关应用。 医疗应用
    • 1+

      ¥9.8
    • 10+

      ¥9.59
    • 36+

      ¥9.45
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 30 A。 引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。 引脚到引脚间隙距离 > 3.4 mm。 为PFC和焊接应用优化的单片二极管。 稳定的温度特性。应用:PFC。 焊接
    • 1+

      ¥10.58
    • 10+

      ¥9.86
    • 30+

      ¥9.43
    • 90+

      ¥9
  • 有货
  • KEC场截止型沟槽绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有低开关损耗、高能效和短路耐受能力强的特点。它专为电机控制、不间断电源(UPS)、通用逆变器等应用而设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.65
    • 10+

      ¥8.86
    • 30+

      ¥7.11
  • 有货
  • 特性:高速开关和低功率损耗。 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):在集电极电流(IC)为 40A 时为 1.95V。 关断损耗(Eoff):在壳温(TC)为 25℃ 时为 0.35mJ。 高输入阻抗。 反向恢复时间(Trr):典型值 80ns,在电流变化率(diF/dt)为 1000A/μs 时。 最大结温(Tjmax):175℃。应用:不间断电源(UPS)。 功率因数校正(PFC)
    • 1+

      ¥10.65
    • 10+

      ¥9.11
    • 30+

      ¥8.14
    • 90+

      ¥7.15
    • 450+

      ¥6.7
    • 900+

      ¥6.5
  • 有货
  • 特性:极低的VCE(sat) 1.5V(典型值)。 最高结温175℃。 短路耐受时间S_US。 TRENCHSTOP™和场截止技术用于600V应用,提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。 NPT技术由于VCE(sat)的正温度系数,提供了易于并联开关的能力。应用:洗衣机、空调和感应烹饪的变速驱动器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥11.24
    • 10+

      ¥9.61
    • 50+

      ¥8.59
    • 100+

      ¥7.54
  • 有货
  • N 沟道点火 IGBT,用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.69
    • 10+

      ¥10.02
    • 30+

      ¥8.97
    • 100+

      ¥7.89
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V。IC = 40 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用:PFC。焊接
    • 1+

      ¥11.99
    • 10+

      ¥11.15
    • 30+

      ¥10.65
    • 90+

      ¥10.14
  • 有货
    • 1+

      ¥12.56
    • 10+

      ¥12.29
    • 36+

      ¥12.11
  • 有货
  • 特性:较低的导通压降(VCE(sat))。较低的CReS/CReS比(无交叉导通敏感性)。非常软的超快速恢复反并联二极管。短路耐受时间:10μs。应用:高频电机控制。硬开关和谐振拓扑中的开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)
    数据手册
    • 1+

      ¥12.9
    • 10+

      ¥10.96
    • 30+

      ¥9.35
  • 有货
    • 1+

      ¥13
    • 10+

      ¥12.68
    • 30+

      ¥12.47
  • 有货
  • 汽车级400 V内部钳制IGBT ESCIS 320 mJ
    • 1+

      ¥13.68
    • 10+

      ¥11.64
    • 30+

      ¥10.35
    • 100+

      ¥9.04
  • 有货
    • 1+

      ¥13.75
    • 10+

      ¥11.58
    • 30+

      ¥10.22
  • 有货
  • ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 为在节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D2-Pak (TO-263) 塑料封装中提供卓越的 SCIS 能力。此器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位,而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息,请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.88
    • 10+

      ¥16.49
    • 30+

      ¥16.24
  • 有货
  • 特性:高击穿电压至1200V,提高可靠性。 最高结温175℃。 正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。应用:高频开关应用。 谐振转换器
    • 1+

      ¥17.4
    • 10+

      ¥16.97
    • 36+

      ¥16.69
  • 有货
    • 1+

      ¥17.53
    • 10+

      ¥17.15
    • 36+

      ¥16.9
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™ 技术提供极低的 VCEsat。 低关断损耗。 短尾电流。 低电磁干扰。 非常柔软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温 175℃。应用:驱动器。 太阳能逆变器
    • 1+

      ¥18.75
    • 10+

      ¥15.83
    • 30+

      ¥13.42
  • 有货
  • 600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥20.51
    • 10+

      ¥20.07
    • 30+

      ¥19.77
  • 有货
  • 特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™技术提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性和稳定的温度特性。 极低的VCEsat和低Eoff。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥21.2
    • 10+

      ¥18.02
    • 30+

      ¥16.13
  • 有货
  • 采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,仙童半导体公司推出的新一代场截止第二代IGBT系列产品,为需要低导通和开关损耗的太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机和功率因数校正(PFC)应用提供了最佳性能。
    • 1+

      ¥22.32
    • 10+

      ¥19.16
    • 30+

      ¥16.16
    • 90+

      ¥14.26
    • 510+

      ¥13.38
    • 1200+

      ¥12.98
  • 有货
    • 1+

      ¥22.41
    • 10+

      ¥21.92
    • 30+

      ¥21.59
  • 有货
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