igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXBH9N160G 编号：C499431

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高压封装。取代高压达林顿管和串联MOSFET。较低的有效导通电阻。 MOS栅极导通。驱动简单。与10V导通栅极电压的MOSFET兼容。应用：反激式转换器。直流斩波器

1+
￥41.73
10+
￥36.21
30+
￥32.84

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型号：KGF75N60KDB 编号：C400993

封装：TO-247-3

品牌：KEC

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￥21.6
10+
￥18.73
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￥15.37

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型号：IGW20N60H3 编号：C536092

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用沟槽和场截止技术的高速绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。

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￥22.4544 ￥23.39
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￥17.3548 ￥20.18
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￥13.8852 ￥18.27
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￥12.4108 ￥16.33
510+
￥11.7344 ￥15.44
990+
￥11.4304 ￥15.04

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型号：CGWT40N120F2KAD 编号：C7543665

封装：TO-247

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CGWT40N120F2KAD采用了捷捷半导体（JSCJ）的第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止（FS）结构，集电极 - 发射极饱和电压极低，易于并联使用。

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￥23.27
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￥19.9
30+
￥17.89

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型号：FGAF20N60SMD 编号：C462121

封装：TO-3PF

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体公司推出的新一代场截止第二代IGBT系列产品，为需要低导通和开关损耗的太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能。

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￥23.62
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￥20.46
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￥17.46
90+
￥15.55
510+
￥14.68
1200+
￥14.28

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型号：MSG75T65FQC 编号：C5353632

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。 FS技术。短路耐受时间10μs。饱和电压：VCE(sat)，典型值为1.7V。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

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1+
￥23.83
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￥20.37
30+
￥18.32

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型号：IKB40N65ES5 编号：C536153

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术。用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在标称电流下为1.35V。 650V击穿电压。低栅极电荷（Qg）。 IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

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1+
￥28.67
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￥24.39
30+
￥21.85

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型号：MSG75T65HFC6 编号：C41417596

封装：TO-247-4L

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 650V 75A TO-247-4L

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￥28.76
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￥24.59
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￥22.11
90+
￥19.6

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型号：STGW60H65DFB 编号：C457484

封装：TO-247AD

品牌：ST(意法半导体)

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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1+
￥28.91
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￥24.52
30+
￥21.91

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型号：IKW40N65ET7 编号：C5359097

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥29.02
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￥24.62
30+
￥22.01

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型号：IKW40N120CH7XKSA1 编号：C19631203

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 25℃时，VCEsat = 1.7 V。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥29.25
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￥25.01
25+
￥22.49

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型号：ISL9V3040P3 编号：C463761

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 为下一代点火 IGBT，在节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263)、TO-262 和 TO-220 塑料封装中提供卓越的 SCIS 功能。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供电压箝位，而无需外部组件。

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1+
￥29.71
10+
￥25.72
50+
￥22.35

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型号：MSG100T65HLC1 编号：C41417597

封装：TO-247Plus

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 650V 100A TO-247Plus

1+
￥33.99
10+
￥29.06
30+
￥26.13

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型号：FGY75T120SWD 编号：C20047184

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管，采用TO247-3引脚封装，可在太阳能、UPS和ESS等各种应用中实现高效运行，具有低开关和传导损耗的最佳性能。

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1+
￥38.6
10+
￥33.2
30+
￥29.9

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型号：IKY40N120CS6 编号：C17514171

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速软开关IGBT6技术，在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

1+
￥41.06
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￥35.06
30+
￥31.41

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型号：AFGY120T65SPD 编号：C2902243

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

通过 AEC Q101 认证的 AFGY120T65SPD，在各种应用中实现高效运行时，具有极低的导通和开关损耗，具备出色的瞬态可靠性和低电磁干扰（EMI）特性。同时，该器件还具有卓越的并联运行性能和均衡的电流分配优势。

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1+
￥59.3064 ￥82.37
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￥56.6928 ￥78.74
30+
￥52.1568 ￥72.44
90+
￥48.204 ￥66.95

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型号：IKZA75N120CH7XKSA1 编号：C20191537

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥63.91
10+
￥54.8
30+
￥49.25

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型号：NGTB50N120FL2WG 编号：C462118

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

这款绝缘栅双极晶体管（IGBT）采用坚固且具有成本效益的场截止 II 型沟槽结构，在苛刻的开关应用中提供卓越性能，兼具低导通态电压和最小开关损耗。该 IGBT 非常适合用于 UPS 和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软恢复快速续流二极管。

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1+
￥65.85
10+
￥56.69
30+
￥51.11

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型号：IXGH10N170A 编号：C17558621

封装：TO-247AD

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥67.82
10+
￥59.59
30+
￥54.58

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型号：LGM40HF120S2F2A 编号：C5455587

封装：螺栓安装

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

34mm半桥，广泛应用于电焊机，商灶行业。

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￥68.3335 ￥71.93
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￥65.1035 ￥68.53
30+
￥59.508 ￥62.64
100+
￥54.625 ￥57.5

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型号：IXYH120N65A5 编号：C3193652

封装：TO-247

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥71.85
10+
￥62.85
30+
￥57.37

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型号：IKQ120N120CH7XKSA1 编号：C20191009

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 120 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥75.49
10+
￥64.53
30+
￥57.85

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型号：AFGHL50T65SQDC 编号：C603143

封装：TO-247-3L

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型混合 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 和 SiC SBD 技术，为硬开关应用提供了最佳性能。该器件将硅基 IGBT 与 SiC 肖特基势垒二极管联合封装，在硅基解决方案的较低性能和全碳化硅解决方案的较高成本之间实现了绝佳平衡。

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1+
￥78.27 ￥104.36
10+
￥65.819 ￥101.26
12+
￥55.693 ￥101.26

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型号：IKQ120N120CS7XKSA1 编号：C20191010

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175℃ 时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。完整的产品系列和 PSpice 模型。应用：工业驱动器。工业电源