igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKD10N60RC2ATMA1 编号：C3191765

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP Reverse Conducting (RC) 技术，适用于 600V 应用。非常紧密的参数分布。工作范围高达 20kHz。最高结温 175℃。 3μs 的短路能力。防潮设计。应用：主要家用电器。空调

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￥7.84
10+
￥6.54
30+
￥5.82

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型号：MSG20T65FQC 编号：C7424058

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。 Trench FS技术。饱和电压：VCE(sat)，典型值 = 1.6V，IC = 20A 且 TC = 25℃。 RoHS产品。应用：通用逆变器。 UPS

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￥8.07
10+
￥6.68
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￥5.91
90+
￥5.04
450+
￥4.66
900+
￥4.48

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型号：RGPR30BM40HRTL 编号：C17230678

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高自钳位电感开关能量。内置栅极-发射极保护二极管。内置栅极-发射极电阻。符合AEC-Q101标准。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：点火线圈驱动电路。螺线管驱动电路

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￥8.34
10+
￥6.83
30+
￥6
100+
￥5.06

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型号：DGW10N120CTL 编号：C20600418

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低VCE(sat)沟槽-场截止（FS）IGBT技术。最高结温175℃。正温度系数。包含快速软恢复反并联续流二极管（FWD）。高短路能力（10μs）。应用：电机驱动逆变器。交流和直流伺服驱动放大器

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￥8.55
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￥8.38
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￥8.26

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型号：IKP15N65F5 编号：C536191

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOP™ 5技术的高速5代快速绝缘栅双极晶体管（FAST IGBT），与RAPID 1型快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

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￥9.2944 ￥12.56
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￥7.8656 ￥12.29
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￥6.5394 ￥12.11
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￥6.4422 ￥11.93

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型号：CRG40T65AK5HD 编号：C3975125

封装：TO-247

品牌：CRMICRO(华润微)

光伏逆变储能 UPS 电源

数据手册

1+
￥9.68
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￥8.06
25+
￥6.83
100+
￥5.83
500+
￥5.38
1000+
￥5.18

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型号：IKWH20N65WR6 编号：C5359099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。IC = 20A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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￥10.07
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￥9.39
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￥8.99
90+
￥8.58

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型号：SGT40N60FD2P7 编号：C601622

封装：TO-247-3L

品牌：SILAN(士兰微)

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1+
￥10.1
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￥8.59
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￥7.35
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￥6.38

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型号：FGD3440G2-F085 编号：C903661

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

特性：SCIS能量：在T_J = 25°C时为335mJ。逻辑电平栅极驱动。符合AEC Q101标准。符合RoHS标准。应用：汽车点火线圈驱动电路。火花塞线圈应用

数据手册

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￥10.37
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￥9.5034 ￥10.11
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￥8.3412 ￥9.93
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￥8.1984 ￥9.76

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型号：FGD3040G2-F085V 编号：C605138

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道点火 IGBT，用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。

数据手册

1+
￥10.85
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￥10.62
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￥10.47

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型号：CGWT80N65F2KAD 编号：C7543669

封装：TO-247

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CGWT80N65F2KAD采用了捷捷半导体（JSCJ）的第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止（FS）结构，具有较高的应用频率、低集电极 - 发射极饱和电压和开关损耗，易于并联使用。

1+
￥10.99
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￥10.71

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型号：IKD06N60RA 编号：C536169

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用节省空间封装的集成二极管绝缘栅双极晶体管（IGBT）。

数据手册

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￥11.0035 ￥18.65
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￥7.8106 ￥15.94
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￥5.5536 ￥14.24
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￥4.8789 ￥12.51
500+
￥4.5708 ￥11.72
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￥4.4382 ￥11.38

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型号：YGW40N65F1A2 编号：C4153736

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

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￥11.6565 ￥12.27
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￥9.937 ￥10.46
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￥8.5215 ￥8.97
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￥7.4195 ￥7.81
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￥6.9255 ￥7.29
1200+
￥6.707 ￥7.06

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型号：IGB03N120S7ATMA1 编号：C35498963

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 3 A。低饱和电压：VCEsat = 2 V（Tdj = 150℃时）。短路耐受时间：8 μs。宽范围的dv/dt可控性。完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器

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￥11.93
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￥10.19
30+
￥9.11
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￥8

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型号：STGP10NC60KD 编号：C2970076

封装：TO-220-3

品牌：ST(意法半导体)

特性：较低的导通压降（VCE(sat)）。较低的CReS/CReS比（无交叉导通敏感性）。非常软的超快速恢复反并联二极管。短路耐受时间：10μs。应用：高频电机控制。硬开关和谐振拓扑中的开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）

数据手册

1+
￥12.9
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￥10.96
30+
￥9.35

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型号：RGT16BM65DTL 编号：C3193927

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

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￥13.75
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￥11.58
30+
￥10.22

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型号：IGP20N60H3 编号：C536075

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP技术提供: 极低的关断能量。低集电极-发射极饱和电压。低FMI。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，无卤模塑料，符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥13.81
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￥11.59
50+
￥10.2

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型号：MSG80N350FL 编号：C7424052

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：高电流能力。低饱和电压：VCE(sat) = 1.58 V @ IC = 80 A。高输入阻抗。符合RoHS标准。应用：PDP TV

1+
￥16.67
10+
￥14.02
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￥12.93
90+
￥11.23
450+
￥10.46
900+
￥10.13

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型号：MSG75D65HFC0 编号：C37635846

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 650V 75A TO-247封装无反向二极管的IGBT 国产

1+
￥16.92
10+
￥14.32
30+
￥12.69

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型号：IKB20N65EH5 编号：C536148

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

数据手册

1+
￥18.0736 ￥28.24
10+
￥15.2496 ￥28.24
30+
￥12.4256 ￥28.24

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型号：IHW50N65R6XKSA1 编号：C3191661

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：完整的产品谱系和PSpice模型。由于V₍CESat₎的正温度系数，具有易于并联开关的能力。高鲁棒性和稳定的温度特性。低电磁干扰。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。极低的V₍CESat₎和低E₍off₎。应用：感应烹饪。微波炉

1+
￥18.47
10+
￥15.76
30+
￥13.52

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型号：STGW40H65DFB 编号：C2970046

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

数据手册

1+
￥18.74
10+
￥15.8
30+
￥13.4

有货

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型号：DGW40N120CTL 编号：C20167792

封装：TO-247

品牌：YANGJIE(扬杰)

1+
￥18.84
10+
￥18.46
36+
￥18.21

有货

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型号：STGW80H65DFB-4 编号：C5268573

封装：TO-247-4

品牌：ST(意法半导体)

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥19.43
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￥18.95
30+
￥18.64

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型号：HX40N120-TO264 编号：C41399170

封装：TO-264

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX40N120-TO264的AND系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用了非穿通（NPT）技术，具有低导通和开关损耗，因此非常适合用于感应加热（IH）、电机控制、通用逆变器和不间断电源（UPS）等应用。

1+
￥20.32
10+
￥17.37
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￥15.62

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型号：KGF75N60KDB 编号：C400993

封装：TO-247-3

品牌：KEC

数据手册

1+
￥21.6
10+
￥18.73
30+
￥15.37

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型号：IGW20N60H3 编号：C536092

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用沟槽和场截止技术的高速绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。

数据手册

1+
￥22.4544 ￥23.39
10+
￥17.3548 ￥20.18
30+
￥13.8852 ￥18.27
90+
￥12.4108 ￥16.33
510+
￥11.7344 ￥15.44
990+
￥11.4304 ￥15.04

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型号：CGWT40N120F2KAD 编号：C7543665

封装：TO-247

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CGWT40N120F2KAD采用了捷捷半导体（JSCJ）的第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止（FS）结构，集电极 - 发射极饱和电压极低，易于并联使用。

1+
￥23.27
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￥19.9
30+
￥17.89

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型号：FGAF20N60SMD 编号：C462121

封装：TO-3PF

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体公司推出的新一代场截止第二代IGBT系列产品，为需要低导通和开关损耗的太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能。

1+
￥23.62
10+
￥20.46
30+
￥17.46
90+
￥15.55
510+
￥14.68
1200+
￥14.28

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型号：MSG75T65FQC 编号：C5353632

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：低栅极电荷。 FS技术。短路耐受时间10μs。饱和电压：VCE(sat)，典型值为1.7V。应用：通用逆变器。感应加热(IH)

数据手册

1+
￥23.83
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￥20.37
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