igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXBH9N160G 编号：C499431

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：高压封装。取代高压达林顿管和串联MOSFET。较低的有效导通电阻。 MOS栅极导通。驱动简单。与10V导通栅极电压的MOSFET兼容。应用：反激式转换器。直流斩波器

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￥44.02
10+
￥38.71
30+
￥35.48

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型号：STGF19NC60KD 编号：C10051

封装：TO-220F-3

品牌：ST(意法半导体)

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￥21.5
10+
￥18.54
30+
￥16.79

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型号：IGW30N60T 编号：C386331

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。专为变频器和不间断电源设计。适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术，具有：非常紧密的参数分布。高耐用性和温度稳定性。非常高的开关速度。集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）具有正温度系数。低电磁干扰（EMI）。低栅极电荷。符合JEDEC目标应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

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￥22.05
10+
￥18.74
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￥16.78

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型号：IKW20N65ET7XKSA1 编号：C3191677

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

封装引脚定义：引脚 C 及背面集电极

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￥23.85
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￥20.41
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￥18.37

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型号：AFGB40T65SQDN 编号：C603141

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大结温：TJ = 175℃。高速开关系列。 VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 40 A。 100%的器件经过动态测试。 AEC-Q101认证。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车车载充电器。混合动力汽车的汽车DC/DC转换器

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￥25.57
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￥24.99
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￥24.6

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型号：AUIRG4BC30SSTRL 编号：C533448

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：标准：针对最小饱和电压和低工作频率（<1kHz）进行优化。无铅，符合RoHS标准。通过汽车认证。应用：PTC加热器。放电开关

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1+
￥28.1295 ￥49.35
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￥23.1945 ￥49.35
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￥18.2595 ￥49.35

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型号：IXGP48N60A3 编号：C3193390

封装：TO-220

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：优化低传导损耗。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。高电流处理能力。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

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￥28.2
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￥24.01
30+
￥21.52

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型号：IKB40N65ES5 编号：C536153

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术。用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在标称电流下为1.35V。 650V击穿电压。低栅极电荷（Qg）。 IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

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1+
￥28.33
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￥24.05
30+
￥21.51

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型号：MSG75T65HFC6 编号：C41417596

封装：TO-247-4L

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 650V 75A TO-247-4L

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￥28.76
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￥24.59
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￥22.11
90+
￥19.6

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型号：STGW60H65DFB 编号：C457484

封装：TO-247AD

品牌：ST(意法半导体)

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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1+
￥28.91
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￥24.52
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￥21.91

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型号：RGT80TS65DGC13 编号：C2981748

封装：TO-247-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低集电极-发射极饱和电压。低开关损耗。短路耐受时间5μs。内置超快软恢复FRD（RFN系列）。无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

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1+
￥31.26
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￥25.95
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￥22.72

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型号：IGW75N65H5XKSA1 编号：C3191670

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低Qs。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：不间断电源。太阳能转换器

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￥31.95
10+
￥27.2
30+
￥24.37

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型号：FGH75T65UPD 编号：C605143

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，新款场截止沟槽 IGBT 系列为汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和数字发电机提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

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1+
￥35.11
10+
￥30.41
30+
￥27.55

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型号：1EDI3028ASXUMA1 编号：C43391077

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压电流隔离式IGBT驱动器，专为高压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低压和高压域之间提供8kV的电流隔离。支持高达1200V的IGBT。该器件具有强大的输出级，峰值电流高达15A，适用于高功率开关

1+
￥36.84
10+
￥31.77
30+
￥28.76

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型号：FGHL75T65MQDTL4 编号：C5209105

封装：TO-247-4LD

品牌：onsemi(安森美)

特性：最大结温：T_J = 175℃。正温度系数，便于并联操作。高电流能力。低饱和电压：V_CE(sat) = 1.45 V（典型值），@ I_C = 75 A。 100% 的部件经过 I_LM 测试。平滑且优化的开关性能。应用：太阳能逆变器。 UPS、ESS

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1+
￥38.58
10+
￥33.06
30+
￥29.69

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型号：IKY40N120CH3 编号：C536222

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术，具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tᵥⱼ = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。充电器

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1+
￥45.42
10+
￥39.19
30+
￥35.4

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型号：IXGA20N120A3 编号：C17495993

封装：TO-263AA

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥45.47
10+
￥38.7
50+
￥34.58
100+
￥31.12

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型号：IKW50N65RH5XKSA1 编号：C3191663

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥46.09
10+
￥39.64
30+
￥35.71

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型号：FGH80N60FD2TU 编号：C898199

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 工艺，为电感加热和 PFC 等务必保证低导通和开关损耗的应用提供优异性能。

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1+
￥56.07
10+
￥54.79
30+
￥53.93

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型号：MSG120T65HLC1 编号：C5353634

封装：TO-247plus

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：极低饱和电压：VCE(sat) = 1.8V @ IC = 120 A。最高结温：TJ = 175℃。正温度系数。紧密的参数分布。高输入阻抗。应用：混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。辅助直流/交流转换器

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1+
￥58.59
10+
￥52.59
30+
￥32.97
90+
￥29.9

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型号：IKY140N120CH7XKSA1 编号：C20191528

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥64.71
10+
￥62.51

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型号：IKQ120N120CH7XKSA1 编号：C20191009

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 120 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电