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      ¥6.75
  • 有货
  • 特性:高击穿电压可达650V,提高可靠性。 沟槽截止技术提供: -高速开关。 -高耐用性,温度稳定。 -低VCEsat。 -由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。应用:不间断电源。 逆变器
    • 1+

      ¥10.72
    • 10+

      ¥9.06
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      ¥8.02
    • 100+

      ¥6.96
  • 有货
  • 600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
    • 1+

      ¥11.63
    • 10+

      ¥10.6
    • 30+

      ¥9.96
    • 90+

      ¥9.31
  • 有货
  • 600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
    数据手册
    • 1+

      ¥12.6516 ¥32.44
    • 10+

      ¥9.0132 ¥31.08
    • 30+

      ¥5.7475 ¥30.25
    • 100+

      ¥5.6145 ¥29.55
  • 有货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 低 VCEsat。 由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥12.8226 ¥18.06
    • 10+

      ¥10.4981 ¥17.21
    • 30+

      ¥8.5221 ¥16.71
    • 90+

      ¥8.262 ¥16.2
    • 510+

      ¥8.1396 ¥15.96
    • 990+

      ¥8.0886 ¥15.86
  • 有货
  • 应用 不间断电源 逆变器 焊接转换器 PFC应用 转换器与高转换频率
    数据手册
    • 1+

      ¥13.072 ¥13.76
    • 10+

      ¥10.925 ¥11.5
    • 30+

      ¥9.576 ¥10.08
    • 90+

      ¥8.1985 ¥8.63
  • 有货
  • 工规级 IGBT单管 TO-3P,广泛应用于各类逆变器/焊机行业。
    • 1+

      ¥13.4995 ¥14.21
    • 10+

      ¥11.495 ¥12.1
    • 30+

      ¥10.241 ¥10.78
    • 90+

      ¥8.9585 ¥9.43
    • 660+

      ¥8.379 ¥8.82
    • 990+

      ¥8.1225 ¥8.55
  • 有货
  • 应用 不间断电源 逆变器 焊接转换器 PFC应用 转换器与高转换频率
    数据手册
    • 1+

      ¥16.8625 ¥17.75
    • 10+

      ¥16.4825 ¥17.35
    • 30+

      ¥15.561 ¥16.38
    • 90+

      ¥15.3045 ¥16.11
  • 有货
  • 应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用
    数据手册
    • 1+

      ¥18.6865 ¥19.67
    • 10+

      ¥15.9695 ¥16.81
    • 30+

      ¥13.262 ¥13.96
    • 90+

      ¥11.514 ¥12.12
    • 510+

      ¥10.7255 ¥11.29
    • 990+

      ¥10.393 ¥10.94
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):64A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ
    • 1+

      ¥19.03
    • 10+

      ¥16.19
    • 30+

      ¥14.41
  • 有货
  • 此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II Trench 结构,为要求苛刻的开关应用提供出色性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管,带有低正向电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.69
    • 10+

      ¥19.18
    • 30+

      ¥17.62
  • 有货
  • 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装
    数据手册
    • 1+

      ¥21.9555 ¥34.85
    • 10+

      ¥19.0449 ¥30.23
    • 30+

      ¥17.2746 ¥27.42
    • 90+

      ¥15.7878 ¥25.06
  • 有货
  • 采用新型场截止第四代 IGBT 技术,可在各种应用中实现高效运行,具有低导通和开关损耗,无需反向恢复规格。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.2614 ¥27.26
    • 10+

      ¥20.5242 ¥25.98
    • 30+

      ¥17.4018 ¥25.22
    • 90+

      ¥16.8705 ¥24.45
    • 510+

      ¥16.629 ¥24.1
    • 990+

      ¥16.5186 ¥23.94
  • 有货
  • 低损耗DuoPack封装:采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT,搭配软恢复、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。约1
    数据手册
    • 1+

      ¥24.584 ¥43.9
    • 10+

      ¥17.5214 ¥38.09
    • 30+

      ¥12.4344 ¥34.54
    • 90+

      ¥11.3652 ¥31.57
  • 有货
  • 工规级 IGBT单管 N沟道,TO247-PLUS,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等行业。
    • 1+

      ¥36.89
    • 10+

      ¥31.7
    • 30+

      ¥28.53
  • 有货
  • 特性:硬开关和谐振拓扑结构下效率高。 10μs短路耐受时间(Tvj = 175℃)。 低栅极电荷QG。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 最高结温Tvjmax = 175℃。应用:UPS。 充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥37.53
    • 10+

      ¥32.24
    • 25+

      ¥29.03
  • 有货
  • 采用新型场截止第四代 IGBT 技术和 1.5 代 SiC 肖特基二极管技术,在各种应用中,特别是图腾柱无桥 PFC 和逆变器中,具有低导通和开关损耗,可实现高效运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥40.1157 ¥46.11
    • 10+

      ¥33.7799 ¥43.87
    • 30+

      ¥28.4683 ¥42.49
    • 90+

      ¥27.6978 ¥41.34
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 75 A。 最大结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25℃ 时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)的高效率进行了优化。应用:工业 UPS。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥59.62
    • 10+

      ¥50.8
    • 30+

      ¥45.42
  • 有货
  • 特性:VCE = 650V,IC = 75A。 由于TRENCHSTOP 5和CoolSiC技术的结合,具有超低开关损耗。 在硬开关拓扑中具有基准效率。 可即插即用替代纯硅器件。 最高结温Tvjmax = 175°C。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。应用:工业开关电源。 工业不间断电源
    • 1+

      ¥74.61
    • 10+

      ¥64.15
    • 30+

      ¥57.78
  • 有货
  • N沟道 1200V 140A 1.7mΩ@10v 功率(Pd)962W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
    • 1+

      ¥77.93
    • 10+

      ¥74.39
    • 30+

      ¥68.27
    • 90+

      ¥62.92
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 140 A。 最大结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25℃ 时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)的高效率进行了优化。应用:工业 UPS。 EV 充电
    • 1+

      ¥91.83
    • 10+

      ¥87.2
    • 25+

      ¥79.19
  • 有货
  • 特性:高电压封装。 高阻断电压。 反并联二极管。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥123.12
    • 10+

      ¥118.02
    • 30+

      ¥109.19
  • 有货
  • 特性:低开关损耗。 具有正温度系数的低VCE(sat)。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10us)。 最高结温175℃。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥221.45
    • 30+

      ¥211.69
  • 有货
  • IGBT模块
    数据手册
    • 1+

      ¥253
    • 30+

      ¥239.8
  • 有货
  • 特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 P.C. 板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 RoHS合规产品。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
    • 1+

      ¥320.64
    • 30+

      ¥304.75
  • 有货
  • 特性:高短路能力,自限短路电流。 低开关损耗。 高可靠性。 VCESat具有正温度系数。 封装CTI > 400。 高爬电距离和电气间隙。应用:高频开关应用。 医疗应用
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