igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：AFGHL75T65SQ 编号：C2902240

封装：TO-247-3L

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止第四代 IGBT 技术，可在各种应用中实现高效运行，具有低导通和开关损耗，无需反向恢复规格。

数据手册

1+
￥22.3532 ￥27.26
10+
￥18.7056 ￥25.98
30+
￥15.6364 ￥25.22
90+
￥15.159 ￥24.45
510+
￥14.942 ￥24.1
990+
￥14.8428 ￥23.94

有货

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型号：IKWH60N65WR6 编号：C5359103

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 60 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥23.58
10+
￥19.58
30+
￥17.21
90+
￥14.81

有货

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型号：STGB30V60DF 编号：C2971543

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

数据手册

1+
￥23.71
10+
￥20.18
30+
￥18.07

有货

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型号：STGWA40M120DF3 编号：C472633

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、40 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

数据手册

1+
￥23.98
10+
￥20.46
30+
￥18.37

有货

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型号：STGWA25M120DF3 编号：C472602

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

数据手册

1+
￥27.984 ￥42.4
10+
￥20.6024 ￥36.79
30+
￥15.3456 ￥33.36
90+
￥14.03 ￥30.5

有货

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型号：STGW60V60DF 编号：C501004

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

数据手册

1+
￥28.47
10+
￥24.49
30+
￥22.13

有货

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型号：STGWA100H65DFB2 编号：C3193679

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、100 A 高速 HB2 系列 IGBT

数据手册

1+
￥29.55
10+
￥28.11
30+
￥27.23

有货

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型号：ISL9V3040S3ST 编号：C898702

封装：TO-263AB

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 为下一代点火 IGBT，提供了卓越的 SCIS 功能，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263)、TO-262 和 TO-220 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

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1+
￥30.25
10+
￥25.64
30+
￥22.89

有货

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型号：MSG100T65HLB3 编号：C5353633

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：极低饱和电压：VCE(sat) = 1.65V @ IC = 100A。最高结温：TJ = 175℃。正温度系数。紧密的参数分布。高输入阻抗。应用：混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。辅助直流/交流转换器

数据手册

1+
￥32.18
10+
￥27.22
25+
￥24.27
100+
￥21.29

有货

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型号：IKQ75N120CH3 编号：C467848

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供: 硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

数据手册

1+
￥34.31
10+
￥29.1
30+
￥25.92

有货

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型号：IKW40N120CS7XKSA1 编号：C3191658

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT与全电流、软恢复和低Qrr二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175°C时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行了优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间为8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥36.45
10+
￥31.83
30+
￥27.82

有货

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型号：STGW40M120DF3 编号：C2970822

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1200 V、40 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

数据手册

1+
￥37.6858 ￥61.78
10+
￥27.336 ￥53.6
30+
￥19.9342 ￥48.62
100+
￥18.2204 ￥44.44

有货

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型号：IKFW75N60ET 编号：C536183

封装：TO-247-3-AI

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。短路耐受时间：在结温（Tvj）为175℃时为5μs。集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）具有正温度系数。低电磁干扰（EMI）。非常软且快速恢复的反并联二极管。最高结温为175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

数据手册

1+
￥41.8893 ￥73.49
10+
￥34.5403 ￥73.49
30+
￥27.1913 ￥73.49

有货

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型号：MSG75C65HHC0 编号：C41417594

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 650V 75A TO-247

1+
￥46.6
10+
￥40.04
30+
￥36.04
90+
￥32.69

有货

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型号：IKZA100N65EH7XKSA1 编号：C20191531

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 100 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥64.2
10+
￥54.88
30+
￥49.2

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型号：SPT200N65F1A1 编号：C5369332

封装：TO-247P

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用于汽车牵引力模块，通用动力模块

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1+
￥70.0815 ￥73.77
10+
￥60.2205 ￥63.39
30+
￥54.207 ￥57.06
90+
￥49.1625 ￥51.75

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型号：IKQ100N120CH7XKSA1 编号：C20191007

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A。最大结温 Tv(jmax) = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。 EV充电

1+
￥70.98
10+
￥67.4
30+
￥61.2

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型号：IKQ100N120CS7XKSA1 编号：C20191008

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间8 μs。宽范围的dv/dt可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥84.99
10+
￥80.77
30+
￥73.45

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型号：CIM35T120PEPIM2BA 编号：C49363515

封装：EasyPIM2B

品牌：ChipNobo(无边界)

IGBT模组，电机驱动逆变器，交流直流伺服驱动放大器

1+
￥133.524 ￥148.36
10+
￥127.458 ￥141.62
40+
￥116.964 ￥129.96
100+
￥107.811 ￥119.79

有货

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型号：F3L150R07W2E3_B11 编号：C535227

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：增加阻断电压能力至650V。低电感设计。低开关损耗。低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。 Al₂O₃ 基板，低热阻。紧凑设计。应用：三电平应用。太阳能应用

数据手册

1+
￥187.63
3+
￥169.4
30+
￥161

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型号：MSG55T200HLB3 编号：C42445166

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT单管 2000V 55A 高压大电流 TO-264

单价：
￥190.67 / 个

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型号：LGM200HF120S4F1A 编号：C5455586

封装：螺栓安装

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

62mm半桥，广泛应用于电焊机，工业电源，商灶行业。

1+
￥226.651 ￥238.58
30+
￥215.251 ￥226.58

有货

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型号：SKM100GB12T4 编号：C7435518

封装：SMD

品牌：Semikron

1+
￥229.9
32+
￥218.5

有货

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型号：FP25R12KT4 编号：C3190284

封装：插件,107.5x45mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：扩展工作温度 T₍Vop₎。低开关损耗。 Trench IGBT 4。 T₍Vop₎ = 150℃。高功率和热循环能力。集成 NTC 温度传感器。应用：电机驱动。伺服驱动器

1+
￥239.8
30+
￥231

有货

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型号：LGM400HF65S4T1A 编号：C4153752

封装：螺栓安装

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级广泛应用于各类电机驱动行业。

数据手册

1+
￥252.4435 ￥265.73
30+
￥239.913 ￥252.54

有货

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型号：IXBF32N300 编号：C7424793

封装：ISOPLUSi4-PAK

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。隔离安装表面。 3000V电气隔离。高阻断电压。国际标准封装。低传导损耗。应用：开关模式和谐振模式电源。不间断电源（UPS）

1+
￥284.78
25+
￥271.23

有货

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型号：IXGN200N60B3 编号：C3193040

封装：SOT-227B

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥356.15
30+
￥337.08

有货

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型号：FP75R12N3T7BPSA1 编号：C17307364

封装：插件,122x62mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性: -集电极-发射极电压（VCES）：1200V。 -连续直流集电极电流（ICDC）：75A（Tvjmax = 175℃，TC = 100℃）。 -重复峰值集电极电流（ICRM）：150A。 -低集电极-发射极饱和电压（VCE sat）。可过载运行至175℃。机械特性: -高功率和热循环能力。应用：辅助逆变器。电机驱动器

1+
￥381
30+
￥363.6

有货

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型号：MG75P12E2 编号：C781198

封装：E2

品牌：YANGJIE(扬杰)

MG75P12E2-A1-0000

数据手册

1+
￥453.71
30+
￥431.23

有货

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型号：FZ400R12KE3 编号：C535630

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

IGBT模块

数据手册

1+
￥538.44
30+
￥511.75

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