igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXGN200N170 编号：C17608994

封装：SOT-227B

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥512.59
30+
￥491.72

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型号：RJH1CV7DPQ-HXY 编号：C49003398

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率密度的设计需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通状态下的功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效与可靠性。适用于多种电力电子变换系统，满足高效、稳定工作的技术要求。

1+
￥42.48
10+
￥36.71
30+
￥33.2

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型号：MIW40N120FLA-BP-HXY 编号：C49003428

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压、中等功率的电力转换应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，能够在较高电压环境下保持稳定的导通性能。内置续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提供良好的电流流通与续流能力。模块采用坚固封装结构，具有出色的热稳定性和可靠性，适用于多种电源变换系统中的高频开关操作。

1+
￥42.48
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￥36.71
30+
￥33.2

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型号：IGW100N60H3-HXY 编号：C49003438

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有效减少导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的导电性能与热稳定性。该模块可广泛用于高效能电源转换系统、精密电机驱动及电力调控装置，为高要求电路设计提供可靠的技术支持。

1+
￥45.201 ￥47.58
10+
￥39.064 ￥41.12
30+
￥35.321 ￥37.18
90+
￥32.186 ￥33.88

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型号：IRG7PH46U-EP-HXY 编号：C49003435

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其1.7V的集射极饱和电压（VCE(sat)）有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机控制、智能电网及储能系统等领域，满足高效能、高可靠性电路设计需求。

1+
￥45.88
10+
￥39.65
30+
￥35.86

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型号：MSG75C65HHC0 编号：C41417594

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 650V 75A TO-247

1+
￥46.6
10+
￥40.04
30+
￥36.04
90+
￥32.69

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型号：RGS80TSX2GC11-HXY 编号：C49003434

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与热稳定性。该器件适合应用于电源变换、电机驱动、智能电网及储能系统等场景，满足复杂电路对高效开关性能与可靠运行的严苛要求。