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特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。 隔离安装表面。 3000V电气隔离。 高阻断电压。 国际标准封装。 低传导损耗。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源(UPS)
  • 1+

    ¥284.78
  • 25+

    ¥271.23
  • 有货
    • 1+

      ¥356.15
    • 30+

      ¥337.08
  • 有货
  • 特性:电气特性: -集电极-发射极电压(VCES):1200V。 -连续直流集电极电流(ICDC):75A(Tvjmax = 175℃,TC = 100℃)。 -重复峰值集电极电流(ICRM):150A。 -低集电极-发射极饱和电压(VCE sat)。 可过载运行至175℃。 机械特性: -高功率和热循环能力。应用:辅助逆变器。 电机驱动器
    • 1+

      ¥381
    • 30+

      ¥363.6
  • 有货
  • 特性:采用沟槽技术实现低Vce(sat)。 低开关损耗,特别是Eoff。 Vce(sat)具有正温度系数。 高短路能力(10us)。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感封装。应用:运动/伺服控制。 高频开关应用
    • 1+

      ¥721.14
    • 30+

      ¥690.11
  • 有货
  • 特性:低Vce(sat)。 低电感。 模块结构。 焊接引脚端子。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动器
    • 1+

      ¥903.83
    • 30+

      ¥855
  • 有货
    • 1+

      ¥5.06
    • 10+

      ¥4.05
    • 30+

      ¥3.55
  • 有货
    • 1+

      ¥6.19
    • 10+

      ¥4.94
    • 50+

      ¥4.25
    • 100+

      ¥3.48
  • 有货
  • 特性:极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175℃。 短路耐受时间:3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术,具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极-发射极饱和电压VCEsat和正温度系数。应用:驱动器-通用驱动器。 大型家用电器:空调等
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4186 ¥9.58
    • 10+

      ¥5.3466 ¥9.38
    • 30+

      ¥4.3428 ¥9.24
    • 100+

      ¥4.277 ¥9.1
  • 有货
  • 采用TRENCHSTOP™ 5技术的高速5代快速绝缘栅双极晶体管(FAST IGBT),与RAPID 1型快速软恢复反并联二极管共封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.536 ¥12.56
    • 10+

      ¥6.145 ¥12.29
    • 50+

      ¥4.844 ¥12.11
    • 100+

      ¥4.772 ¥11.93
  • 有货
  • CRG15T120AK3SD 具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点,符合 RoHS 指令要求。
    • 1+

      ¥7.67
    • 10+

      ¥6.39
    • 25+

      ¥5.69
    • 100+

      ¥4.9
  • 有货
  • CRG40T60AN3HD和CRG40T60AK3HD采用先进的沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.7
    • 10+

      ¥6.37
    • 25+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥4.81
    • 500+

      ¥4.44
    • 1000+

      ¥4.28
  • 有货
  • 特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。符合JEDEC针对目标应用的标准。应用:太阳能转换器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥7.85
    • 10+

      ¥6.98
    • 50+

      ¥6.43
    • 100+

      ¥5.87
  • 有货
    • 1+

      ¥8.77
    • 10+

      ¥7.4
    • 30+

      ¥5.8
    • 90+

      ¥4.95
    • 510+

      ¥4.58
    • 1200+

      ¥4.41
  • 有货
  • 采用节省空间封装的集成二极管绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.698 ¥18.65
    • 10+

      ¥6.6948 ¥15.94
    • 30+

      ¥4.5568 ¥14.24
    • 100+

      ¥4.0032 ¥12.51
    • 500+

      ¥3.7504 ¥11.72
    • 1000+

      ¥3.6416 ¥11.38
  • 有货
  • 特性:极低的VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175℃。 短路耐受时间:5μs。 专为变频器和不间断电源设计。 适用于600V应用的TRENCHSTOP™和场截止技术,提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性,温度稳定性能。 -非常高的开关速度。 VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 非常软、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。 根据JEDEC针对目标应用进行了资格认证
    数据手册
    • 1+

      ¥10.54
    • 10+

      ¥8.91
    • 50+

      ¥7.62
  • 有货
  • 工规级 广泛应用于各类高频电源行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.6565 ¥12.27
    • 10+

      ¥9.937 ¥10.46
    • 30+

      ¥8.5215 ¥8.97
    • 90+

      ¥7.4195 ¥7.81
    • 510+

      ¥6.9255 ¥7.29
    • 1200+

      ¥6.707 ¥7.06
  • 有货
  • 工规级 广泛应用于各类高频电源行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.6565 ¥12.27
    • 10+

      ¥9.937 ¥10.46
    • 30+

      ¥8.5215 ¥8.97
    • 90+

      ¥7.4195 ¥7.81
    • 510+

      ¥6.9255 ¥7.29
    • 1200+

      ¥6.707 ¥7.06
  • 有货
  • 具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。
    • 1+

      ¥11.74
    • 10+

      ¥10.75
    • 25+

      ¥10.13
    • 100+

      ¥9.49
  • 有货
  • 特性:SCIS能量:在T_J = 25°C时为335mJ。 逻辑电平栅极驱动。 符合AEC Q101标准。 符合RoHS标准。应用:汽车点火线圈驱动电路。 火花塞线圈应用
    数据手册
    • 1+

      ¥11.9116 ¥12.28
    • 10+

      ¥10.4487 ¥12.01
    • 30+

      ¥9.1168 ¥11.84
    • 100+

      ¥8.9782 ¥11.66
  • 有货
  • 是一款沟槽场截止绝缘栅双极晶体管,采用先进技术,具备高开关速度、低饱和电压和低开关损耗等特点,适用于谐振或软开关应用。
    • 1+

      ¥12.82
    • 10+

      ¥10.91
    • 30+

      ¥9.71
    • 90+

      ¥8.48
  • 有货
  • 特性:极低的集电极发射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V(典型值)。 最高结温:175℃。 短路耐受时间:3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术,具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极发射极饱和电压(VCEsat)和正温度系数。应用:驱动器。 通用驱动器(GPD)
    数据手册
    • 1+

      ¥14.9787 ¥15.13
    • 10+

      ¥11.5077 ¥12.93
    • 50+

      ¥9.1245 ¥11.55
    • 100+

      ¥8.0106 ¥10.14
    • 500+

      ¥7.5129 ¥9.51
    • 1000+

      ¥7.2917 ¥9.23
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率。 650V击穿电压。 低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175℃。 无铅镀铅,符合RoHS标准。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器
    数据手册
    • 1+

      ¥16.0968 ¥28.24
    • 10+

      ¥13.2728 ¥28.24
    • 30+

      ¥10.4488 ¥28.24
  • 有货
  • 650V/80A/-40~+175℃/TO-247/替代IKW75N65ES5
    • 1+

      ¥16.23
    • 10+

      ¥13.82
    • 30+

      ¥12.32
  • 有货
  • 特性:低栅极电荷。 沟槽截止技术。 高速开关。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V,@ IC = 50A 和 TC = 25℃。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)
    • 1+

      ¥16.26
    • 10+

      ¥13.35
    • 30+

      ¥11.53
    • 90+

      ¥9.66
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 短路耐受时间10μs。 符合AEC-Q101标准。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:汽车加热器
    • 1+

      ¥16.65
    • 10+

      ¥15.81
    • 30+

      ¥15.32
    • 100+

      ¥14.82
  • 有货
  • 600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
    • 1+

      ¥17.19
    • 10+

      ¥14.43
    • 50+

      ¥12.71
    • 100+

      ¥10.94
  • 有货
  • 特性:完整的产品谱系和PSpice模型。 由于V₍CESat₎的正温度系数,具有易于并联开关的能力。 高鲁棒性和稳定的温度特性。 低电磁干扰。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 极低的V₍CESat₎和低E₍off₎。应用:感应烹饪。 微波炉
    • 1+

      ¥17.44
    • 10+

      ¥14.74
    • 30+

      ¥12.52
  • 有货
  • 特性:VCE = 1400V,IC = 20A。 强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 参数分布非常紧密。 高耐用性,温度稳定性好。 极低的VCEsat。 由于VCEsat具有正温度系数,易于并联。应用:电磁炉。 微波炉
    • 1+

      ¥17.67
    • 10+

      ¥14.88
    • 30+

      ¥13.14
  • 有货
  • 安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.952 ¥23.2
    • 10+

      ¥15.2076 ¥20.01
    • 30+

      ¥11.9592 ¥18.12
    • 90+

      ¥10.692 ¥16.2
    • 510+

      ¥10.1112 ¥15.32
    • 990+

      ¥9.8472 ¥14.92
  • 有货
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