igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

650 V、50 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT，TO-247长引线封装

数据手册

1+
￥13.9
10+
￥11.75
30+
￥10.41

有货

立即购买

型号：SPT25N135F1A 编号：C480181

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用感应烹饪逆变微波炉谐振转换器软开关应用

数据手册

1+
￥15.2285 ￥16.03
10+
￥12.939 ￥13.62
30+
￥11.1625 ￥11.75
90+
￥9.6995 ￥10.21
510+
￥9.0345 ￥9.51
990+
￥8.7495 ￥9.21

有货

立即购买

型号：NGTG35N65FL2WG-HXY 编号：C49003447

封装：TO-247

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。

1+
￥16.4065 ￥17.27
10+
￥13.9745 ￥14.71
30+
￥12.445 ￥13.1
90+
￥10.887 ￥11.46
510+
￥10.184 ￥10.72
990+
￥9.88 ￥10.4

有货

立即购买

型号：IRGP4263-EPBF-HXY 编号：C49003457

封装：TO-247

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），支持高功率密度设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗并提升系统效率。内置二极管具备50A正向电流（IF）耐受能力，正向压降（Vf）为1.85V，增强续流性能与热稳定性。适用于电源转换、能源管理及高性能电力电子装置中，满足高效、高可靠性应用需求。

1+
￥17.33
10+
￥14.76
30+
￥13.15
90+
￥11.5
510+
￥10.75
990+
￥10.43

有货

立即购买

型号：YGW40N120T3 编号：C4153733

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

车规级 IGBT单管通过车规AEC-Q101，N沟道，TO247，广泛应用于电机驱动，变频器，PTC行业。

数据手册

1+
￥18.4585 ￥19.43
10+
￥17.5085 ￥18.43
30+
￥16.0835 ￥16.93
90+
￥15.5135 ￥16.33
510+
￥15.2475 ￥16.05
990+
￥15.124 ￥15.92

有货

立即购买

型号：IKW40N120H3 编号：C5369327

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用不间断电源太阳能逆变器焊接 PFC应用

数据手册

1+
￥18.61
10+
￥15.75
30+
￥13.96
90+
￥12.12
660+
￥11.29
990+
￥10.94

有货

立即购买

型号：AOK60B65H2AL 编号：C20266232

封装：TO-247

品牌：AOS

采用最新的Alpha/GBT (alGBT)技术。击穿电压为650V。具有非常快速和软恢复的续流二极管。高效的开通di/dt可控性。非常高的开关速度。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能

1+
￥19.12
10+
￥16.22
30+
￥14.41

有货

立即购买

型号：STGW20NC60VD 编号：C10646

封装：TO-247

采用基于专利条形布局的最新高压技术，推出了一系列性能卓越的先进 IGBT 产品——PowerMESH™ IGBT。后缀 “V” 表示该系列产品针对高频应用进行了优化。

数据手册

1+
￥19.15
10+
￥16.31
30+
￥14.62

有货

立即购买

型号：NGTB40N120FL3WG-HXY 编号：C49003312

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率和高压场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和导通性能。该器件可广泛应用于能源管理、智能家电及精密电力控制设备中，实现高效、可靠的开关与能量转换功能。

1+
￥20.02
10+
￥17.2
30+
￥15.53

有货

立即购买

型号：SL40T120FL 编号：C5632303

封装：TO-247

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。饱和电压：VCE(sat) = 1.8V @ IC + 40A。符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

1+
￥20.32
10+
￥17.37
30+
￥15.62
90+
￥13.85
510+
￥13.03
990+
￥12.66

有货

立即购买

型号：IKW30N65ET7 编号：C5359096

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 30 A。极低的VCE,sat。低关断损耗。短尾电流。降低电磁干扰 (EMI)。应用：伺服驱动器。通用驱动器 (GPD)

1+
￥20.82
10+
￥19.7
30+
￥19.04
90+
￥18.36

有货

立即购买

型号：NGTB40N120FL2WG-HXY 编号：C49003416

封装：TO-247

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）典型值为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合应用于高性能电源转换系统，如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块，满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。

1+
￥20.97
10+
￥18.02
30+
￥16.27

有货

立即购买

型号：FGH40T65SHD-F155 编号：C606125

封装：TO-247-G03

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥22.0503 ￥23.71
10+
￥17.0316 ￥20.52
30+
￥13.5999 ￥18.63
90+
￥12.1983 ￥16.71
510+
￥11.5486 ￥15.82
990+
￥11.2566 ￥15.42

有货

立即购买

型号：YGW100N65FSA1 编号：C17702405

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于于电源、电机驱动、光伏逆变等行业。

1+
￥22.26
10+
￥19.03
30+
￥17.11

有货

立即购买

型号：NGTB40N120FL2WG 编号：C364882

封装：TO-247

这款绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用坚固且经济高效的场截止 II 型沟槽结构，在苛刻的开关应用中提供卓越性能，兼具低导通态电压和最小开关损耗。该 IGBT 非常适合用于 UPS 和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软恢复快速共封装续流二极管。

数据手册

1+
￥22.34
10+
￥19.31
30+
￥16.72
100+
￥14.9
500+
￥14.06
1000+
￥13.68

有货

立即购买

型号：RGS80TSX2HRC11-HXY 编号：C49003433

封装：TO-247

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的电流承载能力和能效表现。该器件适用于需要稳定开关性能和高效能管理的电力电子系统设计，如电源转换、智能电网设备及电机控制等领域，为复杂电路提供可靠支持。

1+
￥22.88
10+
￥19.66
30+
￥17.75

有货

立即购买

型号：NCE40TD120BT 编号：C2686742

封装：TO-247

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，提供卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。

数据手册

1+
￥23.83
10+
￥19.86
30+
￥17.38

有货

立即购买

型号：IKWH70N65WR6 编号：C5359104

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。IC = 70A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥23.91
10+
￥22.73
30+
￥22.01
90+
￥21.41

有货

立即购买

型号：STGW30NC60VD 编号：C2970900

封装：TO-247-3

1+
￥24.43
10+
￥20.97
30+
￥18.91

有货

立即购买

型号：STGWA40M120DF3 编号：C472633

封装：TO-247

1200 V、40 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

数据手册

1+
￥24.48
10+
￥20.96
30+
￥18.87
90+
￥16.76

有货

立即购买

型号：STGWA40M120DF3-HXY 编号：C49003314

封装：TO-247

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和较高功率场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能够有效降低导通损耗。内置二极管支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的能效特性。该器件适合用于需要稳定性和高效能的应用场合，如电力转换与控制、节能设备及精密仪器等领域，为复杂电路提供可靠支持。

1+
￥24.78
10+
￥21.3
30+
￥19.23

有货

立即购买

型号：STGB30V60DF 编号：C2971543

封装：D2PAK

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

数据手册

1+
￥24.94
10+
￥21.4
30+
￥19.3
100+
￥17.17

有货

立即购买

型号：IKW40N65F5 编号：C536217

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥27.5473 ￥34.87
10+
￥20.7552 ￥30.08
30+
￥16.0657 ￥27.23
90+
￥14.3665 ￥24.35
510+
￥13.5818 ￥23.02
990+
￥13.2278 ￥22.42

有货

立即购买

型号：STGWA30HP65FB2 编号：C3193681

封装：TO-247-3

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、30 A 高速 HB2 系列 IGBT

数据手册

1+
￥28.64
10+
￥24.35
30+
￥21.8

有货

立即购买

型号：FGH75T65UPD 编号：C605143

封装：TO-247

采用新型场截止沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，新款场截止沟槽 IGBT 系列为汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和数字发电机提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

数据手册

1+
￥31.56
10+
￥26.86
30+
￥24

有货

立即购买

型号：FGH75T65SHDT-F155 编号：C462126

封装：TO-247-3

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥34.8
10+
￥29.93
30+
￥26.96

有货

立即购买

型号：SL75T120FZ 编号：C5375318

封装：TO-264

品牌：Slkor(萨科微)

特性：VCE(sat)(typ.) = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 75A。高速开关。更高的系统效率。软电流关断波形。应用：UPS。交流和直流电机控制

数据手册

1+
￥35.9
10+
￥30.85
25+
￥27.77
100+
￥25.19

有货

立即购买

型号：GWA40MS120DF4AG-HXY 编号：C49003426

封装：TO-247

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率等级的电力转换应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗并提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于电源系统、电机驱动、智能电网及相关电子设备中，满足对高性能电力电子器件的技术需求。

1+
￥39.08
10+
￥33.78
30+
￥30.54

有货

立即购买

型号：RJH1CV7DPQ-HXY 编号：C49003398

封装：TO-247