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型号：IGW40N60H3 编号：C536099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥16.5568 ￥25.87
10+
￥13.311 ￥24.65
30+
￥10.5292 ￥23.93
90+
￥10.208 ￥23.2
510+
￥10.0628 ￥22.87
990+
￥9.9924 ￥22.71

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型号：IKP20N60TXKSA1 编号：C2997918

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。适用于变频器、不间断电源。TRENCHSTOP™和场截止技术用于600V应用，提供:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。应用：变频器。不间断电源

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1+
￥17.28
10+
￥15.09
50+
￥12.75
100+
￥11.34

有货

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型号：IKW15N120T2 编号：C79568

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗 DuoPack：采用第二代 TrenchStop 技术的 IGBT，具有软、快速恢复反并联发射极控制二极管。

数据手册

1+
￥18.01
10+
￥15.32
30+
￥13.65
90+
￥11.93
480+
￥11.15
960+
￥10.82

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型号：STGW20NC60VD 编号：C10646

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

采用基于专利条形布局的最新高压技术，推出了一系列性能卓越的先进 IGBT 产品——PowerMESH™ IGBT。后缀 “V” 表示该系列产品针对高频应用进行了优化。

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1+
￥18.98
10+
￥16.14
30+
￥14.45

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型号：IGW30N65L5 编号：C536097

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低 VcE(sat) L5 技术，极低的集电极-发射极饱和电压 VcEsat。导通和开关损耗之间的同类最佳平衡。 650V 击穿电压。低栅极电荷 QG。最高结温 175℃。针对目标应用通过 JEDEC 认证。应用：不间断电源。太阳能光伏逆变器

数据手册

1+
￥19.2512 ￥30.08
10+
￥14.013 ￥25.95
30+
￥10.3356 ￥23.49
90+
￥9.24 ￥21
510+
￥8.7384 ￥19.86
990+
￥8.5096 ￥19.34

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型号：YGW40N120T3 编号：C4153733

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

车规级 IGBT单管通过车规AEC-Q101，N沟道，TO247，广泛应用于电机驱动，变频器，PTC行业。

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1+
￥19.76 ￥20.8
10+
￥18.8005 ￥19.79
30+
￥17.3755 ￥18.29
90+
￥16.8055 ￥17.69
510+
￥16.5395 ￥17.41
990+
￥16.416 ￥17.28

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型号：IHW15N120E1 编号：C536117

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低集电极-发射极饱和电压 (VcEsat)。由于 VcEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰 (EMI)。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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1+
￥20.52
10+
￥17.69
30+
￥16.02
90+
￥14.32

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型号：IKW30N65ET7 编号：C5359096

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 30 A。极低的VCE,sat。低关断损耗。短尾电流。降低电磁干扰 (EMI)。应用：伺服驱动器。通用驱动器 (GPD)

1+
￥20.82
10+
￥19.7
30+
￥19.04
90+
￥18.36

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型号：IKWH70N65WR6 编号：C5359104

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。IC = 70A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥23.91
10+
￥22.73
30+
￥22.01
90+
￥21.41

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型号：YGW40N120F2 编号：C4153679

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

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1+
￥27.1795 ￥28.61
10+
￥23.3605 ￥24.59
30+
￥20.235 ￥21.3
90+
￥17.936 ￥18.88
510+
￥16.8815 ￥17.77
1200+
￥16.397 ￥17.26

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型号：NCE40TS120VTP 编号：C5160411

封装：TO-247P

品牌：NCE(无锡新洁能)

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS（场截止）技术，这款1200V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。

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1+
￥27.666 ￥30.74
10+
￥23.292 ￥25.88
30+
￥20.7 ￥23
90+
￥18.072 ￥20.08
510+
￥16.857 ￥18.73
990+
￥16.308 ￥18.12

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型号：HGTG12N60A4D 编号：C463039

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

HGTG12N60A4D、HGTP12N60A4D和HGT1S12N60A4DS是MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗

1+
￥30.23
10+
￥25.94
30+
￥23.39

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型号：IKZ75N65EH5 编号：C536229

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术。由于采用开尔文发射极引脚与TRENCHSTOP 5相结合，实现超低损耗开关。在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。应用：不间断电源。焊接转换器

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1+
￥32.22
10+
￥27.37
30+
￥24.48

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型号：STGW30NC120HD 编号：C5357396

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

采用基于其专利条形布局的最新高压技术，设计了一系列先进的 IGBT，性能卓越。后缀 “H” 标识的系列针对高频应用进行了优化，以在保持低电压降的同时实现极高的开关性能（缩短下降时间 tfall）。

1+
￥34.98
10+
￥29.64
30+
￥26.47

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型号：SL75T120FZ 编号：C5375318

封装：TO-264

品牌：Slkor(萨科微)

特性：VCE(sat)(typ.) = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 75A。高速开关。更高的系统效率。软电流关断波形。应用：UPS。交流和直流电机控制

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1+
￥35.9
10+
￥30.85
25+
￥27.77
100+
￥25.19

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型号：MSG100T120FQC1 编号：C37635837

封装：TO-247

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 100A 1200V TO-247PLUS封装高压晶体管大电流

1+
￥43.49
10+
￥37.37
30+
￥33.64

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型号：DPM30C60DG1 编号：C41368419

封装：DIP-24

品牌：CRMICRO(华润微)

1+
￥45.88
10+
￥39.65
24+
￥35.86
96+
￥32.67

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型号：FGY100T120SWD 编号：C22379659

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管，采用TO247 3引脚封装，为太阳能、UPS和ESS等各种应用中的高效运行提供低开关和传导损耗的最佳性能。

1+
￥59.86
10+
￥50.95
30+
￥45.52

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型号：IKZA75N120CH7XKSA1 编号：C20191537

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥61.42
10+
￥52.66
30+
￥47.32

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型号：IKY75N120CS6XKSA1 编号：C3199297

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥64.94
10+
￥56.64
30+
￥51.58

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型号：FGY4L140T120SWD 编号：C38079241

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥94.96
10+
￥90.77
30+
￥83.51

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型号：FP10R12W1T4 编号：C541162

封装：插件,62.8x33.8mm

品牌：Infineon(英飞凌)

EasyPIM™ 模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管带有温度检测NTC

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1+
￥122.39
24+
￥118.09

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型号：7MBR50VN120-50 编号：C42821895

封装：插件,122x62mm

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低VCE(sat)。紧凑型封装。印刷电路板安装模块。转换器二极管桥。动态制动电路。符合RoHS标准的产品。应用：电机驱动逆变器。交直流伺服驱动器放大器

1+
￥342.29
30+
￥325.97

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型号：FP75R12N2T7 编号：C45898807

封装：插件,107.5x45mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性: -VCES = 1200V。ICnom = 75A / ICRM = 150A。TRENCHSTOP IGBT7。低VCEsat。过载运行温度可达175℃。机械特性: -高功率和热循环能力。应用：辅助逆变器。电机驱动器

1+
￥350.3
30+
￥337.9

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型号：MG75P12E2 编号：C781198

封装：E2

品牌：YANGJIE(扬杰)

MG75P12E2-A1-0000

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1+
￥453.71
30+
￥431.23

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型号：FF450R17ME4 编号：C541079

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥604.98
30+
￥575

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型号：FS300R12N3E7 编号：C42551569

封装：插件,122x62.5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性: -集电极-发射极电压（VCES）：1200V。 -额定集电极电流（ICnom）：300A；重复峰值集电极电流（ICRM）：600A。 -低集电极-发射极饱和电压（VCE,sat）。 -可在高达175℃的温度下进行过载运行。 -采用TRENCHSTOP IGBT7技术。机械特性: -高功率和热循环能力。应用：辅助逆变器。电机驱动器