igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXXK300N60B3 编号：C17358106

封装：TO-264

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：针对10-30kHz开关进行优化。方形反向偏置安全工作区（RBSOA）。国际标准封装。雪崩额定。短路能力。高电流处理能力。应用：功率逆变器。不间断电源（UPS）

1+
￥183.68
25+
￥174.8

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型号：ISL9V3040P3 编号：C463761

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 为下一代点火 IGBT，在节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263)、TO-262 和 TO-220 塑料封装中提供卓越的 SCIS 功能。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供电压箝位，而无需外部组件。

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1+
￥20.21
10+
￥17.93
50+
￥16

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型号：HX40N120-TO264 编号：C41399170

封装：TO-264

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX40N120-TO264的AND系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用了非穿通（NPT）技术，具有低导通和开关损耗，因此非常适合用于感应加热（IH）、电机控制、通用逆变器和不间断电源（UPS）等应用。

1+
￥20.32
10+
￥17.37
25+
￥15.62

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型号：IHW40N120R5 编号：C536127

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，低正向电压，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术，具有以下特点：非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性好。低集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：感应烹饪。微波炉

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1+
￥20.63
10+
￥17.71
30+
￥15.98

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型号：IGW20N60H3 编号：C536092

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用沟槽和场截止技术的高速绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。

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1+
￥20.8171 ￥23.39
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￥15.9422 ￥20.18
30+
￥12.6063 ￥18.27
90+
￥11.2677 ￥16.33
510+
￥10.6536 ￥15.44
990+
￥10.3776 ￥15.04

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型号：STGW40V60DF 编号：C457472

封装：TO-247S

品牌：ST(意法半导体)

600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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￥21.96
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￥21.45
30+
￥21.11

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型号：YGW100N65FSA1 编号：C17702405

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于于电源、电机驱动、光伏逆变等行业。

1+
￥21.98
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￥18.75
30+
￥16.83

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型号：IHFW40N65R5S 编号：C536116

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP 5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压：650V。低栅极电荷QG。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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1+
￥23.028 ￥40.4
10+
￥18.988 ￥40.4
30+
￥14.948 ￥40.4

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型号：STGW30NC60VD 编号：C2970900

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥24.43
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￥20.97
30+
￥18.91

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型号：STGW40H60DLFB 编号：C5122279

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

600 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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1+
￥24.62
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￥24.07
30+
￥23.7

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型号：STGWA30HP65FB2 编号：C3193681

封装：TO-247-3

品牌：ST(意法半导体)

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、30 A 高速 HB2 系列 IGBT

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1+
￥28.8
10+
￥24.52
30+
￥21.97

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型号：IKW40N120CH7XKSA1 编号：C19631203

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 25℃时，VCEsat = 1.7 V。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥30.7
10+
￥26.46
25+
￥23.94

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型号：CGR100N120F2KAD 编号：C49330892

封装：TO-247PLUS

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

1200V/100A/-40~+175℃/TO-247PLUS/替代IKQ100N120CH7

1+
￥33.99
10+
￥29.37
30+
￥26.56

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型号：FGH75T65SHDT-F155 编号：C462126

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

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1+
￥35.05
10+
￥30.18
30+
￥27.21

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型号：YGQ75N120FP 编号：C17702406

封装：T0-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247-PLUS，广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等行业。

1+
￥36.89
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￥31.7
30+
￥28.53

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型号：MSG100T120FQW 编号：C5353689

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下效率高。 10μs短路耐受时间（Tvj = 175℃）。低栅极电荷QG。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温Tvjmax = 175℃。应用：UPS。充电器

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1+
￥39.4
10+
￥34.12
25+
￥30.9

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型号：IKWH75N65EH7XKSA1 编号：C20191524

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。非常软且快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥40.35
10+
￥35.32
30+
￥32.25

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型号：STGW28IH125DF 编号：C222113

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

1250 V、25 A IH系列沟槽栅场截止IGBT

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1+
￥42.69
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￥37.03
30+
￥33.59

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型号：IKFW60N60DH3E 编号：C536181

封装：TO-247-3-AI

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：短路耐受时间：在Tvj = 175℃时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。 2500VRMS电气隔离，50/60Hz，t = 1min。应用：空调功率因数校正。通用驱动器

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1+
￥43.654 ￥83.95
10+
￥30.5928 ￥72.84
30+
￥21.1392 ￥66.06
100+
￥19.3216 ￥60.38

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型号：IKY40N120CS6 编号：C17514171

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速软开关IGBT6技术，在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

1+
￥44.77
10+
￥38.23
30+
￥34.24

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型号：IKW75N120CH7XKSA1 编号：C20191520

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 75 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥58.29
10+
￥49.47
30+
￥44.1

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型号：LGM40HF120S2F2A 编号：C5455587

封装：螺栓安装

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

34mm半桥，广泛应用于电焊机，商灶行业。

1+
￥68.3335 ￥71.93
10+
￥65.1035 ￥68.53
30+
￥59.508 ￥62.64
100+
￥54.625 ￥57.5

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型号：IKY50N120CH3 编号：C536224

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术，具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tvj = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。充电器

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1+
￥70.41
10+
￥60.03
30+
￥53.7

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型号：AFGHL50T65SQDC 编号：C603143

封装：TO-247-3L

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型混合 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 和 SiC SBD 技术，为硬开关应用提供了最佳性能。该器件将硅基 IGBT 与 SiC 肖特基势垒二极管联合封装，在硅基解决方案的较低性能和全碳化硅解决方案的较高成本之间实现了绝佳平衡。

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1+
￥70.9648 ￥104.36
10+
￥58.7308 ￥101.26
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￥48.6048 ￥101.26

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型号：MSG200T65HLC1 编号：C37635832

封装：TO-247Plus

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 200A 650V TO-247PLUS封装大电流国产

1+
￥79.13
10+
￥75.39
30+
￥68.91

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型号：IKQ120N120CS7XKSA1 编号：C20191010

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175℃ 时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。完整的产品系列和 PSpice 模型。应用：工业驱动器。工业电源