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这款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用坚固且经济高效的场截止（FS）型沟槽结构，在严苛的开关应用中表现卓越，兼具低导通压降和极小的开关损耗。该IGBT非常适合谐振或软开关应用。

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￥18.1946 ￥31.37
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￥15.6948 ￥27.06
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￥14.21 ￥24.5
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￥12.7078 ￥21.91
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￥12.0118 ￥20.71
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￥11.6986 ￥20.17

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型号：SPT40N120T1B1 编号：C480186

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序，变频器，电机驱动器

数据手册

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￥18.8005 ￥19.79
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￥16.0835 ￥16.93
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￥13.262 ￥13.96
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￥10.7255 ￥11.29
990+
￥10.393 ￥10.94

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型号：STGWA50HP65FB2 编号：C2971073

封装：TO-247

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A 高速 HB2 系列 IGBT

数据手册

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￥18.92
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￥15.97
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￥14.22

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型号：IRGB4620D 编号：C5369319

封装：TO-220MF

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用软开关应用空调电机驱动逆变器

数据手册

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￥21.166 ￥22.28
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￥12.8535 ￥13.53

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型号：STGF19NC60KD 编号：C10051

封装：TO-220F-3

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￥21.5
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￥18.54
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￥16.79

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型号：AFGHL50T65SQD 编号：C898108

封装：TO-247-3L

采用新型场截止第四代高速IGBT技术。符合AEC Q101标准的AFGHL50T65SQD为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供了最佳性能。

数据手册

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￥22.9724 ￥24.97
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￥20.0326 ￥24.43
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￥17.3232 ￥24.06
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￥17.064 ￥23.7

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型号：STGW30NC60KD 编号：C169772

封装：TO-247

该IGBT采用先进的PowerMESH™工艺，在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

数据手册

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￥24.05
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￥20.87
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￥18.98

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型号：IHFW40N65R5S 编号：C536116

封装：TO-247-3

特性：TRENCHSTOP 5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压：650V。低栅极电荷QG。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

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￥25.856 ￥40.4
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￥21.816 ￥40.4
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￥17.776 ￥40.4

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型号：RJH60F7DPQ-A0#T0 编号：C118764

封装：TO-247A

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.35V 典型值（IC = 50A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。单封装内置快速恢复二极管。沟槽栅和薄晶圆技术。高速开关：tf = 74ns 典型值（IC = 30A，VCE = 400V，VGE = 15V，Rg = 5Ω，Ta = 25℃，感性负载）

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￥27.31
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￥23.38
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￥21.04
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￥18.67

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型号：IGB15N120S7ATMA1 编号：C36925719

封装：TO-263-3

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￥30.25
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￥25.63
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￥22.89

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型号：ISL9V3040S3ST 编号：C898702

封装：TO-263AB

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 为下一代点火 IGBT，提供了卓越的 SCIS 功能，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263)、TO-262 和 TO-220 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

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￥30.84
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￥26.6
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￥24.07

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型号：IGW75N65H5XKSA1 编号：C3191670

封装：TO-247-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低Qs。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：不间断电源。太阳能转换器

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￥31.95
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￥27.2
30+
￥24.37

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型号：CGR75N120F2KAD 编号：C7543668

封装：TO-247-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

采用第二代IGBT技术，具有先进的沟槽和场截止（FS）结构，集电极-发射极饱和电压非常低，易于并联使用。

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￥32.41
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￥27.85
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￥25.14

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型号：CGR100N120F2KAD 编号：C49330892

封装：TO-247PLUS

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

1200V/100A/-40~+175℃/TO-247PLUS/替代IKQ100N120CH7

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￥33.99
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￥29.37
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￥26.56

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型号：1EDI3028ASXUMA1 编号：C43391077

封装：-

是一款高压电流隔离式IGBT驱动器，专为高压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低压和高压域之间提供8kV的电流隔离。支持高达1200V的IGBT。该器件具有强大的输出级，峰值电流高达15A，适用于高功率开关

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￥36.84
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￥31.77
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￥28.76

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型号：STGWA100H65DFB2 编号：C3193679

封装：TO-247

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、100 A 高速 HB2 系列 IGBT

数据手册

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￥38.73
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￥32.96
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￥29.44

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型号：IGW40N120H3 编号：C536098

封装：TO-247-3

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￥41.6
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￥35.52
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￥31.82

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型号：IKW50N60TFKSA1 编号：C2997922

封装：TO-247-3

特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。专为变频器和不间断电源设计。适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术，提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和温度稳定性。 -非常高的开关速度。集电极-发射极饱和电压VCE(sat)具有正温度系数。低电磁干扰。低栅极电荷。非常软且快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。符合JEDEC目标应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

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￥44.7032 ￥58.82
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￥39.2464 ￥51.64
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￥35.9176 ￥47.26
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￥33.1284 ￥43.59

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型号：IKFW75N60ET 编号：C536183

封装：TO-247-3-AI

特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。短路耐受时间：在结温（Tvj）为175℃时为5μs。集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）具有正温度系数。低电磁干扰（EMI）。非常软且快速恢复的反并联二极管。最高结温为175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

数据手册

1+
￥47.0336 ￥73.49
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￥39.6846 ￥73.49
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￥32.3356 ￥73.49

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型号：FGY100T120RWD 编号：C20047183

封装：TO-247-3

使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管，采用TO247 3引脚封装，可提供最佳性能，具有低传导损耗和良好的开关可控性，适用于各种应用中的高效运行，如电机控制、UPS、数据中心和高功率开关。

数据手册

1+
￥58.84
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￥57.96
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￥56.43

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型号：IGW100N60H3 编号：C536089

封装：TO-247-3

特性：TRENCHSTOP™技术。极低的关断能量。低VCEsat。低FMI。最高结温175℃。针对目标应用通过JEDEC认证。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥61.31
10+
￥53.03
30+
￥47.98

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型号：SPT200N65F1A1 编号：C5369332

封装：TO-247P

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用于汽车牵引力模块，通用动力模块

数据手册

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￥70.0815 ￥73.77
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￥60.2205 ￥63.39
30+
￥54.207 ￥57.06
90+
￥49.1625 ￥51.75

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型号：IKQ100N120CH7XKSA1 编号：C20191007

封装：TO-247-3

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A。最大结温 Tv(jmax) = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。 EV充电

1+
￥74.18
10+
￥70.44
30+
￥63.96

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型号：IKQ120N120CH7XKSA1 编号：C20191009

封装：TO-247-3

特性：VCE = 1200 V。 IC = 120 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥75.49
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￥64.53
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￥57.85

有货

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型号：AUIRGDC0250 编号：C533451

封装：TO-220

特性：低VCE(on)平面IGBT技术。低开关损耗。方形RBSOA。 100%的部件经过ILM测试。正VCE(on)温度系数。符合JDS1022-A113回流焊要求。应用：PTC加热器继电器替换

数据手册

1+
￥77.31
10+
￥66.35
50+
￥59.67

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型号：MSG200T65HLC1 编号：C37635832

封装：TO-247Plus

品牌：MASPOWER(麦思浦)

IGBT 200A 650V TO-247PLUS封装大电流国产

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￥79.13
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￥75.39
30+
￥68.91

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型号：IKY140N120CH7XKSA1 编号：C20191528

封装：-

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥81.32
10+
￥77.31
30+
￥70.36

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型号：FGY40T120SMD 编号：C898205

封装：TO-247-3