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  • 1+

    ¥501.62
  • 30+

    ¥488.31
  • 有货
  • 特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。隔离安装表面。4000V~电气隔离。高阻断电压。高峰值电流能力。低饱和电压。应用:开关模式和谐振模式电源。电容放电电路
    • 1+

      ¥559.01
    • 30+

      ¥540.41
  • 有货
  • MG100P12E2-A1-0000
    数据手册
    • 1+

      ¥652.77
    • 30+

      ¥623.99
  • 有货
  • IGBT产品,FS(场截止),耐压:650V,电流:10A,VCE(sat):1.8V
    • 1+

      ¥1.54
    • 10+

      ¥1.5
    • 30+

      ¥1.48
  • 有货
  • IGBT产品,FS(场截止),耐压:650V,电流:20A,VCE(sat):1.6V
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥3.31
    • 30+

      ¥3.26
    • 100+

      ¥3.21
  • 有货
  • 是 15A,650V 高可靠性 IGBT 晶体管,具有低的导通损耗和开关损耗等特点。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.22
    • 50+

      ¥2.83
  • 有货
  • 使用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能,且易于并联操作。
    数据手册
    • 10+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.21
    • 300+

      ¥2.78
  • 有货
  • IGBT产品,FS(场截止),耐压:650V,电流:20A,VCE(sat):1.6V
    • 1+

      ¥5.95
    • 10+

      ¥4.83
    • 50+

      ¥4.27
    • 100+

      ¥3.71
  • 有货
  • 最新的AlphalGBT (α IGBT) 技术。650V击穿电压。非常快速且软恢复的续流二极管。高效的导通di/dt可控性。低VCE/SAT实现高效率。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能。高短路耐受能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.8
    • 30+

      ¥5.53
    • 100+

      ¥5.22
    • 500+

      ¥5.08
  • 有货
  • 光伏逆变 储能 UPS 电焊机 兼容华润微 CRG40T60AN3H和BT40T60AN3H 替代英飞凌infineon IKW40N65H5 士兰 SGTP40V65FDR1P7
    数据手册
    • 1+

      ¥7.16
    • 10+

      ¥6
    • 25+

      ¥5.21
    • 100+

      ¥4.5
    • 500+

      ¥4.18
    • 1000+

      ¥4.03
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™技术。 极低的VCEsat。 低关断损耗。 短尾电流。 低电磁干扰。 最高结温175℃。应用:驱动器。 太阳能逆变器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.3888 ¥14.67
    • 10+

      ¥7.3008 ¥13.52
    • 30+

      ¥5.632 ¥12.8
    • 90+

      ¥5.3064 ¥12.06
    • 510+

      ¥5.1612 ¥11.73
    • 990+

      ¥5.0996 ¥11.59
  • 有货
  • 这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡
    数据手册
    • 1+

      ¥9.45
    • 10+

      ¥7.1576 ¥7.78
    • 30+

      ¥5.6252 ¥6.86
    • 100+

      ¥4.7724 ¥5.82
    • 500+

      ¥4.3952 ¥5.36
    • 1000+

      ¥4.223 ¥5.15
  • 有货
  • 特性:低VCE (on)非穿通IGBT技术。 低二极管VF。 10μs短路能力。 方形RBSOA。 超软二极管反向恢复特性。 正VCE (on)温度系数。 无铅
    • 1+

      ¥10.08
    • 10+

      ¥9.91
    • 30+

      ¥9.8
    • 100+

      ¥9.69
  • 有货
  • CGWT80N65F2KAD采用了捷捷半导体(JSCJ)的第二代IGBT技术,具备先进的沟槽和场截止(FS)结构,具有较高的应用频率、低集电极 - 发射极饱和电压和开关损耗,易于并联使用。
    • 1+

      ¥11.04
    • 10+

      ¥10.78
  • 有货
  • 高品质IGBT 电流25A 耐压1200V 饱和压降:1.95V
    • 1+

      ¥11.07
    • 10+

      ¥9.37
    • 30+

      ¥8.3
    • 90+

      ¥7.21
    • 450+

      ¥6.72
    • 900+

      ¥6.51
  • 有货
  • 特性:第四代。 增强模式。 高速开关:U = 0.20 μs(典型值)(IC = 50 A)。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.7V(典型值)(IC = 50 A)。应用:专用电流谐振逆变器开关应用。 专用部分开关功率因数校正(PFC)应用
    数据手册
    • 1+

      ¥11.43
    • 10+

      ¥9.72
    • 25+

      ¥7.86
    • 100+

      ¥6.76
  • 有货
  • 应用 不间断电源 逆变器 焊接转换器 PFC应用 转换器与高转换频率
    数据手册
    • 1+

      ¥12.0935 ¥12.73
    • 10+

      ¥10.241 ¥10.78
    • 30+

      ¥9.0725 ¥9.55
    • 90+

      ¥7.885 ¥8.3
    • 510+

      ¥7.3435 ¥7.73
    • 990+

      ¥7.106 ¥7.48
  • 有货
  • 特性:无铅引脚端子。 符合RoHS标准的无卤模塑料。应用:不间断电源。 光伏功率调节器
    • 1+

      ¥12.59
    • 10+

      ¥11.91
    • 30+

      ¥11.5
    • 100+

      ¥11.09
    • 600+

      ¥10.9
    • 1200+

      ¥10.82
  • 有货
  • 特性:低 Vce (on) 沟槽 IGBT 技术。低开关损耗。最高结温 175℃。5μs 短路安全工作区。方形反向偏置安全工作区。100% 的部件经过 I(LM) 测试。正 Vce (on) 温度系数。超快软恢复共封装二极管。紧密的参数分布。无铅封装
    数据手册
    • 1+

      ¥12.67
    • 10+

      ¥10.97
    • 25+

      ¥9.9
    • 100+

      ¥8.81
  • 有货
  • 工规级 IGBT单管 TO-3P,广泛应用于各类逆变器/焊机行业。
    • 1+

      ¥13.4995 ¥14.21
    • 10+

      ¥11.495 ¥12.1
    • 30+

      ¥10.241 ¥10.78
    • 90+

      ¥8.9585 ¥9.43
    • 660+

      ¥8.379 ¥8.82
    • 990+

      ¥8.1225 ¥8.55
  • 有货
  • 特性:低栅极电荷。 FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.75V @ IC = 25A 和 TC = 25℃。 RoHS产品。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)
    数据手册
    • 1+

      ¥13.52
    • 10+

      ¥11.44
    • 30+

      ¥10.14
    • 90+

      ¥8.81
    • 510+

      ¥8.2
    • 990+

      ¥7.94
  • 有货
  • HX40N120-TO247采用沟槽和场截止技术的IGBT,配备软恢复快速反向并联二极管
    • 1+

      ¥13.572 ¥15.08
    • 10+

      ¥11.493 ¥12.77
    • 25+

      ¥10.179 ¥11.31
    • 100+

      ¥8.847 ¥9.83
    • 500+

      ¥8.244 ¥9.16
    • 1000+

      ¥7.974 ¥8.86
  • 有货
  • 高速DuoPack:采用沟槽和场截止技术的IGBT,具有软恢复、快速恢复的反并联二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥13.71
    • 10+

      ¥11.63
    • 50+

      ¥10.34
    • 100+

      ¥9.01
  • 有货
  • 650 V、50 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT,TO-247长引线封装
    数据手册
    • 1+

      ¥15.01
    • 10+

      ¥12.87
    • 30+

      ¥11.53
  • 有货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 低 VCEsat。 由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥15.7824 ¥24.66
    • 10+

      ¥11.4858 ¥21.27
    • 30+

      ¥8.4744 ¥19.26
    • 90+

      ¥7.5768 ¥17.22
    • 510+

      ¥7.1632 ¥16.28
    • 990+

      ¥6.9784 ¥15.86
  • 有货
  • 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装
    数据手册
    • 1+

      ¥16.506 ¥27.51
    • 10+

      ¥13.18 ¥26.36
    • 30+

      ¥10.26 ¥25.65
    • 90+

      ¥10.024 ¥25.06
  • 有货
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