igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247

该IGBT模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的能量损耗。内部二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性与热稳定性。模块设计兼容标准安装方式，便于散热和系统集成，适用于电力电子变换、高效能电机驱动及精密能源调控等场合，具备较高的可靠性与耐用性。

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￥25.3555 ￥26.69
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￥21.793 ￥22.94
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￥19.6745 ￥20.71
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￥16.5395 ￥17.41
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￥16.093 ￥16.94

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型号：IGW50N60H3-HXY 编号：C49003467

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电子系统。其1.6V的饱和压降（VCE(sat)）可有效减少导通损耗，提升转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的导通特性和热稳定性。模块采用优化的封装结构，兼顾散热性能与电气隔离，适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等高性能场景，提供高效、可靠的开关解决方案。

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￥25.3555 ￥26.69
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￥21.793 ￥22.94
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￥19.6745 ￥20.71
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￥17.5275 ￥18.45
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￥16.5395 ￥17.41
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￥16.093 ￥16.94

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型号：IGW75N65H5XKSA1-HXY 编号：C49003469

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力变换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的高频响应与稳定性。模块采用优化的封装设计，兼顾散热性能与电气绝缘，适用于多种高效、高可靠性要求的电源系统。

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￥26.258 ￥27.64
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￥17.1285 ￥18.03
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￥16.6725 ￥17.55

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型号：AOK75B65H1 编号：C49003324

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。模块采用标准化封装设计，便于安装和散热，适用于电源变换、电机驱动及电力调节等多种应用场合，提供高效可靠的功率解决方案。

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￥27.17 ￥28.6
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￥23.351 ￥24.58
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￥21.0805 ￥22.19
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￥18.7815 ￥19.77
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￥17.727 ￥18.66
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￥17.2425 ￥18.15

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型号：AOK40B65HQ2 编号：C49003425

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定可靠。该器件可广泛应用于电源管理、电机控制、智能电网及相关电子设备中，满足高效、高可靠性电路设计需求。

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￥27.17 ￥28.6
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￥23.351 ￥24.58
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￥17.2425 ￥18.15

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型号：MIW40N65RA-BP-HXY 编号：C49003427

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)与650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时兼顾导通压降控制。内部续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备良好的电流承载与续流特性。模块封装设计稳定，适用于多种高效能电源系统，提供可靠的开关表现和热管理能力。

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￥27.17 ￥28.6
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￥23.351 ￥24.58
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型号：FGH75T65SQD-F155-HXY 编号：C49003412

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受最高75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和响应特性。该器件适合用于高频开关、高效能转换及电源管理相关的电路设计，满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。

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￥27.17 ￥28.6
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型号：NGTB40N65FL2WG-HXY 编号：C49003415

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换与控制场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效降低损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件适合对能效、运行稳定性及安装空间有较高要求的多样化应用环境，满足复杂工况下的长期使用需求。

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￥28.975 ￥30.5
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￥24.8995 ￥26.21
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￥22.4865 ￥23.67
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￥20.0355 ￥21.09
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￥18.905 ￥19.9
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￥18.392 ￥19.36

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型号：RGWS00TS65GC13-HXY 编号：C49003463

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），可满足高功率密度场景的技术需求。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效减少导通损耗。内部续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效表现。该产品适用于多种功率转换设备，如电源系统、电机驱动装置及智能电网相关应用，提供稳定可靠的电气性能与长期运行可靠性。

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￥28.975 ￥30.5
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￥24.8995 ￥26.21
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型号：IXGH6N170A 编号：C497185

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装。高压封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源

数据手册

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￥29.89
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￥25.92
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￥23.56
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￥21.18

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型号：RGTH00TS65GC13-HXY 编号：C49003456

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效与稳定性。模块设计兼顾性能与可靠性，适合多种高效能电力转换场景的应用需求。

1+
￥30.7895 ￥32.41
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￥26.4575 ￥27.85
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￥23.883 ￥25.14
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型号：IXYH40N65C3H1-HXY 编号：C49003390

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的电流响应与稳定性。采用通用封装设计，便于安装与散热，适合应用于电源变换、电机控制及智能电网等技术领域，满足多样化电路设计需求。

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￥30.7895 ￥32.41
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型号：NGTB50N65FL2WG-HXY 编号：C49003319

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中功率电力电子应用。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理系统，能够在较高频率下稳定工作，满足对性能与可靠性有要求的应用场合。

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￥30.7895 ￥32.41
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￥26.4575 ￥27.85
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￥21.2895 ￥22.41
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￥20.083 ￥21.14
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￥19.5415 ￥20.57

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型号：IRGP4790-EPBF-HXY 编号：C49003471

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定。该模块在电源转换、电力控制等领域表现优异，能够满足多种复杂电路设计对效率与可靠性的要求。

1+
￥32.2905 ￥33.99
10+
￥27.9015 ￥29.37
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￥25.232 ￥26.56
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￥22.99 ￥24.2

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型号：RGSX5TS65HRC11-HXY 编号：C49003473

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和压降为1.6V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好热稳定性和快速恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制、储能装置及智能电力管理系统，满足对效率、可靠性和集成度有较高要求的电路设计应用需求。

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￥22.99 ￥24.2

有货

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型号：IXXH40N65B4H1-HXY 编号：C49003388

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。模块采用标准封装，便于散热与安装，适用于电源变换、电机控制及智能电网等领域，提供稳定可靠的开关性能。

1+
￥32.2905 ￥33.99
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￥27.9015 ￥29.37
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￥25.232 ￥26.56
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￥22.99 ￥24.2

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型号：RGS00TS65EHRC11-HXY 编号：C49003386

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，进一步优化了器件在高频开关环境中的性能表现。该模块在结构设计上兼顾热稳定性和电气绝缘性，适合多种高要求场景下的功率转换与控制应用。

1+
￥32.2905 ￥33.99
10+
￥27.9015 ￥29.37
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￥25.232 ￥26.56
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￥22.99 ￥24.2

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型号：IRGP4266-EPBF-HXY 编号：C49003470

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适合中高功率电力电子系统应用。其集射极饱和压降（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，能够在高频工作条件下提供稳定可靠的反向续流路径。模块结构设计优化，兼顾良好的散热性能与电气稳定性，适用于多种高效电源变换设备。

1+
￥32.2905 ￥33.99
10+
￥27.9015 ￥29.37
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￥25.232 ￥26.56
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￥22.99 ￥24.2

有货

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型号：IGW40N120H3-HXY 编号：C49003446

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，支持快速、稳定的反向恢复特性。该器件适用于各类电源转换设备、电机驱动装置及储能系统，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在复杂工况下长期运行，满足多样化功率控制需求。

1+
￥32.2905 ￥33.99
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￥27.9015 ￥29.37
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￥25.232 ￥26.56
90+
￥22.99 ￥24.2

有货

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型号：APT45GR65B-HXY 编号：C49003461

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），支持高功率密度设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升能效。内置二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的续流能力。模块采用坚固封装结构，适用于多种高频开关应用，如电源转换、电机控制及智能家电等领域，提供稳定可靠的电力电子解决方案。

1+
￥32.2905 ￥33.99
10+
￥27.9015 ￥29.37
30+
￥25.232 ￥26.56
90+
￥22.99 ￥24.2

有货

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型号：IKW60N60H3-HXY 编号：C49003414

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合下的电力控制与转换。其导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.65V，有效减少导通损耗，提高整体能效。内部二极管可承载最大50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，表现出良好的热稳定性与可靠性。该器件适合用于对效率、稳定性和空间布局有较高要求的多种应用场合，满足复杂环境下的长期运行需求。

1+
￥32.5945 ￥34.31
10+
￥28.0155 ￥29.49
30+
￥25.289 ￥26.62
90+
￥22.534 ￥23.72
510+
￥21.2705 ￥22.39
990+
￥20.691 ￥21.78

有货

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型号：IRGP4263D-EPBF-HXY 编号：C49003331

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，可在高频开关与能量回馈应用中提供稳定性能。模块结构设计优化，兼顾散热效率与电气性能，广泛应用于电源变换、新能源控制及高效电机驱动等领域，满足高压高电流场景的技术需求。

1+
￥33.9055 ￥35.69
10+
￥29.298 ￥30.84
30+
￥26.4955 ￥27.89
90+
￥24.1395 ￥25.41

有货

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型号：RGS80TS65HRC11-HXY 编号：C49003450

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，主要参数包括：集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，确保在高压环境下稳定工作；集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。该器件适用于需要高效能功率转换与控制的场景，如智能电网、可再生能源系统及精密电机驱动等领域，提供可靠、高效的性能支持。

1+
￥34.409 ￥36.22
10+
￥29.5735 ￥31.13
30+
￥26.695 ￥28.1
90+
￥23.788 ￥25.04
510+
￥22.4485 ￥23.63
990+
￥21.8405 ￥22.99

有货

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型号：STGW30NC120HD 编号：C5357396

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

采用基于其专利条形布局的最新高压技术，设计了一系列先进的 IGBT，性能卓越。后缀 “H” 标识的系列针对高频应用进行了优化，以在保持低电压降的同时实现极高的开关性能（缩短下降时间 tfall）。

1+
￥34.98
10+
￥29.64
30+
￥26.47

有货

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型号：FGH75T65SHD-F155 编号：C511966

封装：TO-247-G03

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥35.71
10+
￥30.88
30+
￥28.02
90+
￥25.12
450+
￥23.78
900+
￥23.18

有货

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型号：IGW40T120FKSA1-HXY 编号：C49003436

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能够有效降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定可靠。该模块适用于需要高效能开关与功率控制的设备，例如电力变换装置、精密电机驱动系统及高精度电源管理设备，为复杂电路提供稳定的功率支持。

1+
￥47.576 ￥59.47
10+
￥41.12 ￥51.4
30+
￥37.184 ￥46.48
90+
￥33.88 ￥42.35

有货

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型号：IRG8P60N120KD-EPBF-HXY 编号：C49003397

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统中，提供可靠的开关与续流功能。

1+
￥56.08
10+
￥48.46
30+
￥43.82

有货

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型号：ITF48IF1200HR-HXY 编号：C49003393

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）高达1200V，具备较强的电压耐受能力，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于控制导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与反向恢复特性。该器件适合用于高效电源系统、储能设备及智能电网相关应用，满足对性能与可靠性要求较高的设计方案。

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型号：IXA45IF1200HB-HXY 编号：C49003399

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的续流能力与能效表现。适合用于多种高效电力转换系统，提供稳定且可靠的开关性能。

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型号：IKY150N65EH7XKSA1 编号：C26014850

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 150 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。 EV充电

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