igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXGH6N170A 编号：C497185

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装。高压封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：功率逆变器。不间断电源

数据手册

1+
￥35.47
10+
￥31.5
30+
￥29.14
100+
￥26.76

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型号：STGWA75M65DF2-HXY 编号：C49003316

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复性能与稳定性。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、智能电网、精密电机控制等领域，满足多种高性能电力电子设备的技术需求。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
30+
￥23.883 ￥25.14
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￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
990+
￥19.5415 ￥20.57

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型号：SPT40N120F1AT8TL-HXY 编号：C49003423

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和高电流的工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的反向恢复特性。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统，能够稳定运行于复杂电气环境中，为多种高性能电源应用提供可靠支持。

1+
￥30.7895 ￥32.41
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￥26.4575 ￥27.85
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￥23.883 ￥25.14
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￥21.2895 ￥22.41
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型号：STGWA100H65DFB2-HXY 编号：C49003309

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可适用于较高功率的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有助于减小导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备较强的续流能力与稳定性。该器件适合用于各类高效功率转换设备中的开关控制与能量调节应用，参数设计兼顾性能与可靠性需求。

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￥32.2905 ￥33.99
10+
￥27.9015 ￥29.37
30+
￥25.232 ￥26.56
90+
￥22.99 ￥24.2

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型号：IKW40N120CH7XKSA1-HXY 编号：C49003410

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压与中高功率的应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，表现出稳定的续流能力和良好的热性能。模块结构设计紧凑，支持高效、可靠的电力转换与控制功能，适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。

1+
￥32.41
10+
￥27.85
30+
￥25.14

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型号：STGYA50H120DF2-HXY 编号：C49003407

封装：TO-247P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率的应用需求。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于在高效能运作的同时控制导通损耗。内置二极管支持最大50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.7V，表现出良好的导通特性。该器件适用于电源变换装置、电机控制电路以及多种高精度电子设备，为系统提供稳定且高效的功率处理能力。

1+
￥34.31
10+
￥29.49
30+
￥26.62

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型号：AUIRG4PH50S 编号：C533450

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：标准：针对最小饱和电压和低工作频率（< 1kHz）进行优化。第四代 IGBT 设计，提供更严格的参数分布和更高的效率。行业标准 TO-247AC 封装。无铅。通过汽车认证

数据手册

1+
￥38.37
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￥33.37
25+
￥26.78
100+
￥24.23

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型号：GWA40MS120DF4AG-HXY 编号：C49003426

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率等级的电力转换应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗并提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于电源系统、电机驱动、智能电网及相关电子设备中，满足对高性能电力电子器件的技术需求。

1+
￥39.08
10+
￥33.78
30+
￥30.54

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型号：RJH1CV7DPQ-HXY 编号：C49003398

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率密度的设计需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通状态下的功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效与可靠性。适用于多种电力电子变换系统，满足高效、稳定工作的技术要求。

1+
￥42.48
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￥36.71
30+
￥33.2

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型号：FGH40T120SMD-F155-HXY 编号：C49003318

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于实现较低的导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）可达40A，正向压降（Vf）为1.85V，确保稳定可靠的反向续流能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机驱动及能源调控等领域，具备良好的动态响应和热稳定性，适合对效率与可靠性有较高要求的设计场景。

1+
￥42.48
10+
￥36.71
30+
￥33.2

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型号：MIW40N120FLA-BP-HXY 编号：C49003428

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压、中等功率的电力转换应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，能够在较高电压环境下保持稳定的导通性能。内置续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提供良好的电流流通与续流能力。模块采用坚固封装结构，具有出色的热稳定性和可靠性，适用于多种电源变换系统中的高频开关操作。

1+
￥42.48
10+
￥36.71
30+
￥33.2

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型号：IRG7PH46U-EP-HXY 编号：C49003435

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其1.7V的集射极饱和电压（VCE(sat)）有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机控制、智能电网及储能系统等领域，满足高效能、高可靠性电路设计需求。

1+
￥45.88
10+
￥39.65
30+
￥35.86

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型号：IGW40T120FKSA1-HXY 编号：C49003436

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能够有效降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定可靠。该模块适用于需要高效能开关与功率控制的设备，例如电力变换装置、精密电机驱动系统及高精度电源管理设备，为复杂电路提供稳定的功率支持。

1+
￥47.576 ￥59.47
10+
￥41.12 ￥51.4
30+
￥37.184 ￥46.48
90+
￥33.88 ￥42.35

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型号：RGS80TSX2GC11-HXY 编号：C49003434

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与热稳定性。该器件适合应用于电源变换、电机驱动、智能电网及储能系统等场景，满足复杂电路对高效开关性能与可靠运行的严苛要求。

1+
￥47.58
10+
￥41.12
30+
￥37.18

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型号：IRG8P50N120KD-EPBF-HXY 编号：C49003396

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可适应较高功率密度的应用需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有效减少导通状态下的功率损耗。内部二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，进一步提升系统整体效率。该模块适合应用于高效能电力转换系统，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度电源控制等领域。

1+
￥50.98
10+
￥44.06
30+
￥39.84

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型号：IKQ75N120CS6 编号：C536207

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下的高效率。由于VCEsat正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

数据手册

1+
￥55.78
10+
￥48.59
30+
￥42.05

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型号：ITF48IF1200HR-HXY 编号：C49003393

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）高达1200V，具备较强的电压耐受能力，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于控制导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与反向恢复特性。该器件适合用于高效电源系统、储能设备及智能电网相关应用，满足对性能与可靠性要求较高的设计方案。

1+
￥56.08
10+
￥48.46
30+
￥43.82

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型号：IXA45IF1200HB-HXY 编号：C49003399

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的续流能力与能效表现。适合用于多种高效电力转换系统，提供稳定且可靠的开关性能。