igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKW50N60DTP 编号：C501514

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

数据手册

1+
￥20.38
10+
￥17.82
30+
￥16.22
90+
￥14.58
510+
￥13.83
990+
￥13.51

有货

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型号：IGW40N65F5-HXY 编号：C49003453

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部集成的续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，增强了整体能效表现。该器件可应用于电源转换、电机驱动及高频开关等电路设计，提供稳定且可靠的技术支持。

1+
￥20.8335 ￥21.93
10+
￥17.898 ￥18.84
30+
￥16.1595 ￥17.01
90+
￥14.402 ￥15.16
510+
￥13.585 ￥14.3
990+
￥13.224 ￥13.92

有货

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型号：NGTB40N120IHRWG-HXY 编号：C49003329

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率、高电压的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置的续流二极管具备40A的正向电流（IF）能力和1.85V的正向压降（Vf），在高频开关和能量回馈场合表现稳定。模块采用标准封装设计，便于安装与散热，广泛用于电源变换、新能源设备及精密电机控制等电力电子领域。

1+
￥20.97
10+
￥18.02
30+
￥16.27

有货

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型号：RGS80TSX2HRC11-HXY 编号：C49003433

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的电流承载能力和能效表现。该器件适用于需要稳定开关性能和高效能管理的电力电子系统设计，如电源转换、智能电网设备及电机控制等领域，为复杂电路提供可靠支持。

1+
￥22.88
10+
￥19.66
30+
￥17.75

有货

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型号：AU40N120T3A2 编号：C4153732

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

车规级 IGBT单管通过车规AEC-Q101，N沟道，TO247，广泛应用于电机驱动，变频器，PTC行业。

数据手册

1+
￥23.161 ￥24.38
10+
￥22.0115 ￥23.17
30+
￥20.3015 ￥21.37
90+
￥19.6175 ￥20.65
510+
￥19.304 ￥20.32
1200+
￥19.152 ￥20.16

有货

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型号：FGW75N65WE-HXY 编号：C49003406

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中功率电力转换与控制场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，导通损耗较低，有助于提升系统整体能效。内置二极管可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的导通与恢复特性。模块采用优化的封装结构，兼顾散热性能与电气绝缘，适合应用于电源设备、能量管理系统及其他高性能电子装置中。

1+
￥23.45
10+
￥20.15
30+
￥18.19

有货

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型号：SPT50N65F1A1T8TL-HXY 编号：C49003424

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效电源转换、能量调节及高频逆变等场景，满足复杂电气环境下对高性能功率器件的需求。

1+
￥23.541 ￥24.78
10+
￥20.235 ￥21.3
30+
￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

有货

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型号：RGTH00TS65GC11-HXY 编号：C49003462

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的优良参数表现。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.85V。适用于需要高效能功率转换与稳定电气特性的多样化场景，提供可靠的技术支持和运行稳定性。

1+
￥23.541 ￥24.78
10+
￥20.235 ￥21.3
30+
￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

有货

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型号：IRGP4760-EPBF-HXY 编号：C49003459

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的开关控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，能在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了系统整体效率。该模块结构紧凑、可靠性高，适合用于需要稳定高频开关性能的电力电子设备中。

1+
￥23.541 ￥24.78
10+
￥20.235 ￥21.3
30+
￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

有货

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型号：IGW40N60H3-HXY 编号：C49003454

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合中高功率应用需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该器件适用于需要高效能开关操作与热稳定性的场合，可广泛用于电源转换、智能电网及高性能电子设备中。

1+
￥23.541 ￥24.78
10+
￥20.235 ￥21.3
30+
￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

有货

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型号：NGTB35N65FL2WG-HXY 编号：C49003321

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的热稳定性和导通性能。该器件适合用于对效率与可靠性有较高要求的电源转换设备及控制电路，支持高频开关操作，满足复杂应用场景下的动态响应需求。

1+
￥23.541 ￥24.78
10+
￥20.235 ￥21.3
30+
￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

有货

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型号：RGTH80TS65GC13-HXY 编号：C49003449

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。

1+
￥23.541 ￥24.78
10+
￥20.235 ￥21.3
30+
￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

有货

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型号：RGWS80TS65GC13-HXY 编号：C49003448

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。

1+
￥23.541 ￥24.78
10+
￥20.235 ￥21.3
30+
￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

有货

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型号：RGS00TS65HRC11-HXY 编号：C49003464

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），满足高耐压与大电流工作需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，显著降低功率损耗。内部集成续流二极管，支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效。适用于各类高效功率转换装置，如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备，提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。

1+
￥24.453 ￥25.74
10+
￥21.014 ￥22.12
30+
￥18.9715 ￥19.97
90+
￥16.9005 ￥17.79
510+
￥15.9505 ￥16.79
990+
￥15.523 ￥16.34

有货

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型号：SPT40N120T1B1T8TL-HXY 编号：C49003313

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可满足高功率场合下的开关需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管具备40A的正向电流(IF)能力，正向压降(Vf)为1.85V，提升了整体能效与稳定性。模块采用标准封装设计，适用于多种高电压、大电流应用场景，如智能电网设备、新能源变换系统及精密电源管理装置等。

1+
￥24.78
10+
￥21.3
30+
￥19.23

有货

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型号：STGWA40M120DF3-HXY 编号：C49003314

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和较高功率场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能够有效降低导通损耗。内置二极管支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的能效特性。该器件适合用于需要稳定性和高效能的应用场合，如电力转换与控制、节能设备及精密仪器等领域，为复杂电路提供可靠支持。

1+
￥24.78
10+
￥21.3
30+
￥19.23

有货

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型号：YGW75N65HP 编号：C4153747

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥25.061 ￥26.38
10+
￥21.4985 ￥22.63
30+
￥18.582 ￥19.56
90+
￥16.435 ￥17.3
510+
￥15.447 ￥16.26
1200+
￥15.0005 ￥15.79

有货

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型号：IKW40N65F5 编号：C536217

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥25.1064 ￥34.87
10+
￥18.6496 ￥30.08
30+
￥14.1596 ￥27.23
90+
￥12.662 ￥24.35
510+
￥11.9704 ￥23.02
990+
￥11.6584 ￥22.42

有货

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型号：IGW50N65H5AXKSA1-HXY 编号：C49003460

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的开关控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，能在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了系统整体效率。该模块结构紧凑、可靠性高，适合用于需要稳定高频开关性能的电力电子设备中。

1+
￥25.3555 ￥26.69
10+
￥21.793 ￥22.94
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￥19.6745 ￥20.71
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￥17.5275 ￥18.45
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￥16.5395 ￥17.41
990+
￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：IGW50N65F5-HXY 编号：C49003465

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠封装工艺，适用于电源变换、智能电网、新能源控制等领域，提供稳定高效的开关性能。

1+
￥25.3555 ￥26.69
10+
￥21.793 ￥22.94
30+
￥19.6745 ￥20.71
90+
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510+
￥16.5395 ￥17.41
990+
￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：AIGW50N65H5-HXY 编号：C49003458

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的续流能力与热稳定性。模块结构设计优化，兼顾性能与可靠性，广泛应用于高效电源系统及先进电力电子设备中。

1+
￥25.3555 ￥26.69
10+
￥21.793 ￥22.94
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￥19.6745 ￥20.71
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￥17.5275 ￥18.45
510+
￥16.5395 ￥17.41
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￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：RGT00TS65DGC13-HXY 编号：C49003387

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，优化了反向恢复性能与能耗表现。该器件采用高可靠封装结构，兼顾散热能力与电气绝缘特性，适用于对稳定性和耐久性有较高要求的功率变换装置。

1+
￥25.3555 ￥26.69
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￥21.793 ￥22.94
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￥19.6745 ￥20.71
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510+
￥16.5395 ￥17.41
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￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：BIDW50N65T-HXY 编号：C49003330

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，在高频开关与能量回馈应用中表现良好。模块设计兼顾性能与可靠性，适合用于电源转换、新能源控制及高效电机驱动等场景，提供稳定的高压高电流处理能力。

1+
￥25.3555 ￥26.69
10+
￥21.793 ￥22.94
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￥19.6745 ￥20.71
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￥17.5275 ￥18.45
510+
￥16.5395 ￥17.41
990+
￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：RGS00TS65DHRC11-HXY 编号：C49003385

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，进一步优化了器件在高频开关环境中的性能表现。该模块在结构设计上兼顾热稳定性和电气绝缘性，适合多种高要求场景下的功率转换与控制应用。

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￥25.3555 ￥26.69
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￥16.5395 ￥17.41
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￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：AOKS40B65H1 编号：C49003451

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）同样支持40A，其正向压降（Vf）为1.8V，提升了整体能效表现。该器件适合用于电源变换、电机驱动及高频开关等电力电子系统设计中，提供稳定可靠的性能支持。

1+
￥25.3555 ￥26.69
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￥21.793 ￥22.94
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￥19.6745 ￥20.71
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990+
￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：AFGHL75T65SQ-HXY 编号：C49003475

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的能量损耗。内部二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性与热稳定性。模块设计兼容标准安装方式，便于散热和系统集成，适用于电力电子变换、高效能电机驱动及精密能源调控等场合，具备较高的可靠性与耐用性。

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￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：IGW50N60H3-HXY 编号：C49003467

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电子系统。其1.6V的饱和压降（VCE(sat)）可有效减少导通损耗，提升转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的导通特性和热稳定性。模块采用优化的封装结构，兼顾散热性能与电气隔离，适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等高性能场景，提供高效、可靠的开关解决方案。

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型号：FGH75T65SQD-F155-HXY 编号：C49003412

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受最高75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和响应特性。该器件适合用于高频开关、高效能转换及电源管理相关的电路设计，满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。

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型号：STGW80H65DFB 编号：C457471

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

数据手册

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型号：YGW75N65FP 编号：C4153744

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

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