igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IGW40N60H3 编号：C536099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

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￥18.3677 ￥25.87
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￥15.0365 ￥24.65
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￥12.2043 ￥23.93
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￥11.832 ￥23.2
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￥11.6637 ￥22.87
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￥11.5821 ￥22.71

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型号：IXGH48N60A3D1 编号：C5447838

封装：TO-247AD-3

品牌：Littelfuse/IXYS

超低饱和电压（Vsat）穿通型（PT）绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于高达5kHz的开关应用。

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￥18.67
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￥16.94
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￥15.89
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￥15

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型号：FGH75T65SHD-F155-HXY 编号：C49003311

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可满足中高功率应用场景的需求。器件的集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于提升导通效率并减少能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，具有良好的热稳定性和可靠性。该产品适用于智能电网、家用电器以及高效电源转换系统，为复杂电路提供精准的开关控制与能量传输支持。

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￥18.81 ￥19.8
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￥18.3825 ￥19.35
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￥18.107 ￥19.06
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￥17.822 ￥18.76

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型号：GT40QR21(STA1,E,D 编号：C4153791

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。增强模式。高速开关 IGBT：tf = 0.20 μs（典型值）（IC = 40 A） FWD：trr = 0.60 μs（典型值）（IF = 15 A）。低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V（典型值）（IC = 40A）。高结温：TJ = 175℃（最大值）。应用：专用于电压谐振逆变器开关应用

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￥19.26
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￥16.31
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￥14.47
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￥12.58

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型号：FGA40T65SHD 编号：C898159

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

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￥19.5548 ￥25.73
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￥14.652 ￥22.2
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￥11.2504 ￥20.09
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￥10.0632 ￥17.97
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￥9.5144 ￥16.99
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￥9.2624 ￥16.54

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型号：AOK50B65H1 编号：C49003323

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率场合。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的电流承载能力和热稳定性。模块采用标准封装形式，便于安装与散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等应用场景，提供可靠且高效的电力电子解决方案。

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￥19.9215 ￥20.97
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￥17.119 ￥18.02
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￥15.4565 ￥16.27
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￥12.996 ￥13.68
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￥12.6445 ￥13.31

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型号：STGWA50M65DF2-HXY 编号：C49003417

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用标准封装，便于安装与散热，适用于各类高效能转换设备中的电力调控需求。

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￥19.9215 ￥20.97
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￥17.119 ￥18.02
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￥12.996 ￥13.68
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￥12.6445 ￥13.31

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型号：IHW20N120R5 编号：C536118

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术，具有以下特点:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

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￥20.02
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￥17.34
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￥14.83
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￥13.22
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￥12.48
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￥12.14

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型号：STGWA80H65DFB 编号：C5268579

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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￥20.21
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￥17.2
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￥15.4
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￥13.59

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型号：AFGHL40T65SPD-HXY 编号：C49003317

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）650V的额定参数，能够满足较高功率应用场景的需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该模块适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中，可广泛用于电源变换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定的开关和导通表现。

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￥20.634 ￥21.72
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￥20.1685 ￥21.23
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￥19.855 ￥20.9
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￥19.5415 ￥20.57

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型号：IGW40N65F5-HXY 编号：C49003453

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部集成的续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，增强了整体能效表现。该器件可应用于电源转换、电机驱动及高频开关等电路设计，提供稳定且可靠的技术支持。

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￥13.224 ￥13.92

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型号：AFGHL50T65SQD-HXY 编号：C49003419

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。内部集成二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和反向恢复性能。模块采用通用封装设计，便于安装与维护，适合用于各类高效能电源设备中的电力调控应用。

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￥21.736 ￥22.88
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￥13.794 ￥14.52

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型号：IKW25N120H3 编号：C111025

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品

数据手册

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￥23.13
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￥14.54
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￥13.35

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型号：FGW75N65WE-HXY 编号：C49003406

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中功率电力转换与控制场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，导通损耗较低，有助于提升系统整体能效。内置二极管可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的导通与恢复特性。模块采用优化的封装结构，兼顾散热性能与电气绝缘，适合应用于电源设备、能量管理系统及其他高性能电子装置中。

1+
￥23.45
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￥20.15
30+
￥18.19

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型号：RGTH00TS65GC11-HXY 编号：C49003462

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的优良参数表现。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.85V。适用于需要高效能功率转换与稳定电气特性的多样化场景，提供可靠的技术支持和运行稳定性。

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￥23.541 ￥24.78
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￥18.2685 ￥19.23
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￥14.9435 ￥15.73

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型号：SPT50N65F1A1T8TL-HXY 编号：C49003424

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效电源转换、能量调节及高频逆变等场景，满足复杂电气环境下对高性能功率器件的需求。

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￥23.541 ￥24.78
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￥14.9435 ￥15.73

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型号：IGW40N60H3-HXY 编号：C49003454

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合中高功率应用需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该器件适用于需要高效能开关操作与热稳定性的场合，可广泛用于电源转换、智能电网及高性能电子设备中。

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￥23.541 ￥24.78
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型号：IRGP4760-EPBF-HXY 编号：C49003459

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的开关控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，能在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了系统整体效率。该模块结构紧凑、可靠性高，适合用于需要稳定高频开关性能的电力电子设备中。

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￥23.541 ￥24.78
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型号：RGTH80TS65GC13-HXY 编号：C49003449

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。

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￥23.541 ￥24.78
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￥20.235 ￥21.3
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型号：NGTB35N65FL2WG-HXY 编号：C49003321

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的热稳定性和导通性能。该器件适合用于对效率与可靠性有较高要求的电源转换设备及控制电路，支持高频开关操作，满足复杂应用场景下的动态响应需求。

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型号：RGWS80TS65GC13-HXY 编号：C49003448

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。

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￥14.9435 ￥15.73

有货

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型号：STGWT40HP65FB 编号：C2969948

封装：TO-3P

品牌：ST(意法半导体)

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

数据手册

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￥24.23
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￥20.9
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￥18.92

有货

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型号：RGS00TS65HRC11-HXY 编号：C49003464

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），满足高耐压与大电流工作需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，显著降低功率损耗。内部集成续流二极管，支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效。适用于各类高效功率转换装置，如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备，提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。

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￥24.453 ￥25.74
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￥15.523 ￥16.34

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型号：IGW50N65H5AXKSA1-HXY 编号：C49003460

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的开关控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，能在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了系统整体效率。该模块结构紧凑、可靠性高，适合用于需要稳定高频开关性能的电力电子设备中。

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型号：IGW50N65F5-HXY 编号：C49003465

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠封装工艺，适用于电源变换、智能电网、新能源控制等领域，提供稳定高效的开关性能。

1+
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￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：RGT00TS65DGC13-HXY 编号：C49003387

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，优化了反向恢复性能与能耗表现。该器件采用高可靠封装结构，兼顾散热能力与电气绝缘特性，适用于对稳定性和耐久性有较高要求的功率变换装置。

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￥16.093 ￥16.94

有货

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型号：AIGW50N65H5-HXY 编号：C49003458

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的续流能力与热稳定性。模块结构设计优化，兼顾性能与可靠性，广泛应用于高效电源系统及先进电力电子设备中。

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型号：BIDW50N65T-HXY 编号：C49003330

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，在高频开关与能量回馈应用中表现良好。模块设计兼顾性能与可靠性，适合用于电源转换、新能源控制及高效电机驱动等场景，提供稳定的高压高电流处理能力。

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有货

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型号：AOKS40B65H1 编号：C49003451

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）同样支持40A，其正向压降（Vf）为1.8V，提升了整体能效表现。该器件适合用于电源变换、电机驱动及高频开关等电力电子系统设计中，提供稳定可靠的性能支持。

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型号：AFGHL75T65SQ-HXY 编号：C49003475

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的能量损耗。内部二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性与热稳定性。模块设计兼容标准安装方式，便于散热和系统集成，适用于电力电子变换、高效能电机驱动及精密能源调控等场合，具备较高的可靠性与耐用性。

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