igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：MLG50N65FUK 编号：C20624240

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

MLG50N65FUK采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特点。该IGBT适用于焊接、UPS及高开关频率应用。

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￥11.84
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￥10.18
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￥8.7
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￥7.64
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￥7.16
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￥6.95

有货

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型号：MLG60N65FUK 编号：C20624241

封装：TO-247

品牌：minos(迈诺斯)

MLG60N65FUK采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，具有低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该绝缘栅双极晶体管（IGBT）是光伏、不间断电源（UPS）、升压及高开关频率应用的理想器件。

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￥11.94
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￥10.13
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￥8.82
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￥7.66
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￥7.14
990+
￥6.91

有货

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型号：CRG60T60AK3HD 编号：C2924648

封装：TO-247-3

品牌：CRMICRO(华润微)

采用先进的沟槽FSIGBT技术，具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

数据手册

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￥13.73
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￥11.75
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￥9.58
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￥8.3
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￥7.72
1000+
￥7.47

有货

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型号：AOK50B65M2 编号：C49003325

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块的集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）达650V，适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流（IF）同样支持50A，正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的导电性能与热稳定性。模块设计符合标准封装规范，便于安装和散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景，提供稳定高效的功率处理能力。

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￥14.21
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￥12.1
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￥10.78

有货

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型号：IGW40N60TP-HXY 编号：C49003452

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，进一步优化整体能效表现。该器件广泛应用于电源转换、电机控制及高频开关电路中，满足多种高性能电路设计需求。

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￥15.0385 ￥15.83
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￥12.806 ￥13.48
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￥11.4095 ￥12.01
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￥9.975 ￥10.5
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￥9.329 ￥9.82
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￥9.0535 ￥9.53

有货

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型号：YGW50N65T1 编号：C4153738

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

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￥15.0955 ￥15.89
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￥9.6425 ￥10.15
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￥8.9965 ￥9.47
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￥8.7115 ￥9.17

有货

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型号：SPT25N135F1A 编号：C480181

封装：TO-247-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用感应烹饪逆变微波炉谐振转换器软开关应用

数据手册

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￥15.2285 ￥16.03
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￥12.939 ￥13.62
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型号：RGT00TS65DGC11-HXY 编号：C49003320

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的能效特性。该器件适用于需要高效能、高稳定性的电力电子系统，如能源转换装置及精密控制设备，提供可靠的开关与导通性能，满足复杂电路对动态响应和热稳定性的要求。

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￥15.4185 ￥16.23
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￥13.129 ￥13.82
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￥11.704 ￥12.32
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￥9.5665 ￥10.07
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￥9.2815 ￥9.77

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型号：DGTD65T50S1PT-HXY 编号：C49003401

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率等级的电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的能效特性。模块采用通用封装形式，便于安装与散热管理，适合用于电源变换、电机驱动等高性能功率系统设计。

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￥15.4185 ￥16.23
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￥13.129 ￥13.82
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￥11.704 ￥12.32
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￥10.2315 ￥10.77
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￥9.5665 ￥10.07
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￥9.2815 ￥9.77

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型号：IKW50N65H5-HXY 编号：C49003404

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的电气特性，适用于较高功率场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.45V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中，如电源转换及电机驱动等应用。

1+
￥15.4185 ￥16.23
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￥13.129 ￥13.82
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￥11.704 ￥12.32
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￥10.2315 ￥10.77
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￥9.5665 ￥10.07
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￥9.2815 ￥9.77

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型号：IKW50N60H3-HXY 编号：C49003408

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可支持最大50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.45V，表现出优异的导通性能。该器件可广泛应用于电源转换、电机驱动及精密电子设备中，提供高效、稳定的功率控制解决方案。

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￥15.4185 ￥16.23
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￥11.704 ￥12.32
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￥9.5665 ￥10.07
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￥9.2815 ￥9.77

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型号：IHW30N135R5-HXY 编号：C49003405

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高电压与电流环境，适用于对功率控制要求较高的场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V，能在导通状态下保持较低损耗。内置二极管的正向电流(IF)为30A，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠性封装，具备较好的热稳定性与绝缘性能，适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。

1+
￥15.63
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￥13.31
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￥11.86

有货

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型号：IKW30N65WR5 编号：C536215

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片二极管，针对零电流开关 (ZCS) 应用进行了优化。 TRENCHSTOP™ 5 技术应用提供: -高耐用性，温度稳定性能。 -极低的集电极-发射极饱和电压 (VCEsat) 和低最大值 (Emax)。 -由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰 (EMI)。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正 (PFC)

数据手册

1+
￥16.1
10+
￥13.65
30+
￥12.12
90+
￥10.55

有货

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型号：NGTG35N65FL2WG-HXY 编号：C49003447

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。

1+
￥16.4065 ￥17.27
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￥13.9745 ￥14.71
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￥12.445 ￥13.1
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￥10.887 ￥11.46
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￥10.184 ￥10.72
990+
￥9.88 ￥10.4

有货

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型号：YGW60N65T1 编号：C4153742

封装：TO-247

品牌：luxin-semi(上海陆芯)

工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于各类高频电源行业。

数据手册

1+
￥16.8245 ￥17.71
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￥14.2025 ￥14.95
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￥12.065 ￥12.7
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￥10.3835 ￥10.93
510+
￥9.6235 ￥10.13
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￥9.3005 ￥9.79

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型号：STGP14NC60KD 编号：C222224

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是采用先进的PowerMESH™技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的完美平衡。

数据手册

1+
￥16.8909 ￥27.69
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￥12.1788 ￥23.88
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￥8.8642 ￥21.62
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￥7.9253 ￥19.33
500+
￥7.4948 ￥18.28
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￥7.298 ￥17.8

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型号：IRGP4263-EPBF-HXY 编号：C49003457

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），支持高功率密度设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗并提升系统效率。内置二极管具备50A正向电流（IF）耐受能力，正向压降（Vf）为1.85V，增强续流性能与热稳定性。适用于电源转换、能源管理及高性能电力电子装置中，满足高效、高可靠性应用需求。

1+
￥17.33
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￥14.76
30+
￥13.15
90+
￥11.5
510+
￥10.75
990+
￥10.43

有货

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型号：STGWA40HP65FB-HXY 编号：C49003326

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，能够有效降低导通损耗。内建二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的热稳定性和可靠性。此模块结构紧凑、效率高，适合用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计中。

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￥17.347 ￥18.26
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￥14.7725 ￥15.55
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￥11.514 ￥12.12
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￥10.4405 ￥10.99

有货

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型号：IGW50N60TP-HXY 编号：C49003466

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。内部续流二极管可支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备优良的热稳定性与动态响应特性。模块设计注重电气隔离与散热性能，适用于电力电子变换、智能能源管理及高效电源系统等场景，提供稳定可靠的开关控制能力。

1+
￥17.347 ￥18.26
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￥14.7725 ￥15.55
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￥13.167 ￥13.86
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￥11.514 ￥12.12
510+
￥10.7635 ￥11.33
990+
￥10.4405 ￥10.99

有货

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型号：SGB07N120 编号：C539053

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥17.65
10+
￥17.24
30+
￥16.98

有货

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型号：FGH40T65SHD-F155-HXY 编号：C49003421

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电能转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的开关性能和热稳定性。该器件可广泛应用于电源变换、电机控制、储能系统及智能电力基础设施等领域，提供高效、可靠的半导体解决方案。

1+
￥18.1165 ￥19.07
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￥15.5705 ￥16.39
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￥14.0505 ￥14.79
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￥12.521 ￥13.18
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￥11.818 ￥12.44
990+
￥11.495 ￥12.1

有货

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型号：AOK40B65M3 编号：C49003322

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低损耗并提升能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的热稳定性和导通一致性。该器件适合用于电源转换、精密控制等电路设计，支持高频开关操作，满足复杂场景对效率与稳定性的需求。

1+
￥18.1165 ￥19.07
10+
￥15.5705 ￥16.39
30+
￥14.0505 ￥14.79
90+
￥12.521 ￥13.18
510+
￥11.818 ￥12.44
990+
￥11.495 ￥12.1

有货

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型号：FGHL50T65SQ-HXY 编号：C49003468

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的性能指标，适用于高电压和较高功率场景下的开关与控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.85V，可在高频切换条件下提供稳定反向续流能力。该模块在结构设计上注重热管理和电气稳定性，适合多种电力变换设备中使用。

1+
￥18.1165 ￥19.07
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￥11.495 ￥12.1

有货

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型号：IKW40N120CS6-HXY 编号：C49003307

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适合高电压和较高电流环境下运行。在导通状态下，集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有助于降低功率损耗并提高系统效率。内置二极管可承受40A的正向电流(IF)，其正向压降(Vf)为1.85V，可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计，如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。

1+
￥19.07
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￥16.39
30+
￥14.79

有货

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型号：IHW20N120R5 编号：C536118

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术，具有以下特点:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥19.12
10+
￥16.41
30+
￥13.89
90+
￥12.15
480+
￥11.37
960+
￥11.03

有货

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型号：AOK50B65H1 编号：C49003323

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率场合。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的电流承载能力和热稳定性。模块采用标准封装形式，便于安装与散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等应用场景，提供可靠且高效的电力电子解决方案。

1+
￥19.9215 ￥20.97
10+
￥17.119 ￥18.02
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￥13.775 ￥14.5
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￥12.996 ￥13.68
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￥12.6445 ￥13.31

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型号：STGWA50M65DF2-HXY 编号：C49003417

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用标准封装，便于安装与散热，适用于各类高效能转换设备中的电力调控需求。

1+
￥19.9215 ￥20.97
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￥17.119 ￥18.02
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￥15.4565 ￥16.27
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￥13.775 ￥14.5
510+
￥12.996 ￥13.68
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￥12.6445 ￥13.31

有货

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型号：FGH50T65SQD-F155-HXY 编号：C49003308

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和高频响应能力。该模块适合用于高效电源转换、智能电网设备、新能源变换装置及精密电机控制等领域，满足对性能与可靠性有较高要求的设计需求。

1+
￥19.9215 ￥20.97
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￥12.996 ￥13.68
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￥12.6445 ￥13.31

有货

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型号：NGTB40N120FL3WG-HXY 编号：C49003312

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率和高压场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和导通性能。该器件可广泛应用于能源管理、智能家电及精密电力控制设备中，实现高效、可靠的开关与能量转换功能。

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￥20.02
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￥17.2
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￥15.53

有货

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型号：SL40T120FL 编号：C5632303

封装：TO-247

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低栅极电荷。沟槽FS技术。饱和电压：VCE(sat) = 1.8V @ IC + 40A。符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS

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