您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > igbt模块
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共4594
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
应用程序 ,变频器,电机驱动器
数据手册
  • 1+

    ¥7.809 ¥8.22
  • 10+

    ¥6.4885 ¥6.83
  • 30+

    ¥5.567 ¥5.86
  • 90+

    ¥4.75 ¥5
  • 510+

    ¥4.389 ¥4.62
  • 990+

    ¥4.2275 ¥4.45
  • 有货
  • P:5000W VRWM:5.0V-220V GPP芯片
    • 1+

      ¥10.3455 ¥10.89
    • 10+

      ¥8.683 ¥9.14
    • 30+

      ¥7.6475 ¥8.05
    • 90+

      ¥6.7545 ¥7.11
    • 510+

      ¥6.27 ¥6.6
    • 1200+

      ¥6.061 ¥6.38
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™技术。 极低的VCEsat。 低关断损耗。 短尾电流。 低电磁干扰。 最高结温175℃。应用:驱动器。 太阳能逆变器
    数据手册
    • 1+

      ¥10.4157 ¥14.67
    • 10+

      ¥8.2472 ¥13.52
    • 30+

      ¥6.528 ¥12.8
    • 90+

      ¥6.1506 ¥12.06
    • 510+

      ¥5.9823 ¥11.73
    • 990+

      ¥5.9109 ¥11.59
  • 有货
  • 高品质IGBT 电流25A 耐压1200V 饱和压降:1.95V
    • 1+

      ¥10.8965 ¥11.47
    • 10+

      ¥9.2815 ¥9.77
    • 30+

      ¥8.265 ¥8.7
    • 90+

      ¥7.2295 ¥7.61
    • 450+

      ¥6.764 ¥7.12
    • 900+

      ¥6.555 ¥6.9
  • 有货
  • 特性:提供1350V的高击穿电压,提高可靠性。 强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性,温度稳定性能。 -低Vce(sat)。 -由于Vce(sat)具有正温度系数,易于并联开关。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥11.28
    • 10+

      ¥9.63
    • 30+

      ¥8.6
  • 有货
    • 1+

      ¥11.3
    • 10+

      ¥9.59
    • 30+

      ¥8.51
    • 90+

      ¥7.41
  • 有货
  • 特性:强大的单片二极管,针对零电流开关 (ZCS) 应用进行了优化。 TRENCHSTOP™ 5 技术应用提供: -高耐用性,温度稳定性能。 -极低的集电极-发射极饱和电压 (VCEsat) 和低最大值 (Emax)。 -由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰 (EMI)。 电气参数对温度的依赖性低。应用:焊接。 功率因数校正 (PFC)
    数据手册
    • 1+

      ¥11.51
    • 10+

      ¥10.49
    • 30+

      ¥9.86
    • 90+

      ¥9.2
  • 有货
  • 工规级 广泛应用于各类高频电源行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.6565 ¥12.27
    • 10+

      ¥9.937 ¥10.46
    • 30+

      ¥8.5215 ¥8.97
    • 90+

      ¥7.4195 ¥7.81
    • 510+

      ¥6.9255 ¥7.29
    • 1200+

      ¥6.707 ¥7.06
  • 有货
  • 特性:高速开关和低功耗。 集电极-发射极饱和电压VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A。 关断损耗Eoff = 0.35mJ @ TC = 25℃。 高输入阻抗。 反向恢复时间Trr = 80ns(典型值)@ dF / dt = 1000A / μs。 最大结温Tv(jmax) = 175℃。应用:UPS。 PFC
    数据手册
    • 1+

      ¥11.76
    • 10+

      ¥9.95
    • 30+

      ¥8.82
    • 90+

      ¥7.66
    • 510+

      ¥7.14
    • 990+

      ¥6.91
  • 有货
  • 应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用
    数据手册
    • 1+

      ¥12.331 ¥12.98
    • 10+

      ¥10.6305 ¥11.19
    • 30+

      ¥8.303 ¥8.74
    • 90+

      ¥7.2105 ¥7.59
    • 510+

      ¥6.726 ¥7.08
    • 990+

      ¥6.5075 ¥6.85
  • 有货
  • 本产品为IGBT模块,具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),适合高电压和较高电流环境下运行。在导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V,有助于降低功率损耗并提高系统效率。内置二极管可承受40A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为1.85V,可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计,如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。
    • 1+

      ¥12.78
    • 10+

      ¥12.49
    • 30+

      ¥12.3
  • 有货
  • 本IGBT模块具备50A集电极电流(Ic)和650V集射极击穿电压(Vces),适用于中功率电力电子应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.6V,有效降低导通损耗,提升系统效率。内置续流二极管可承受50A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的热稳定性和高频响应能力。该模块适合用于高效电源转换、智能电网设备、新能源变换装置及精密电机控制等领域,满足对性能与可靠性有较高要求的设计需求。
    • 1+

      ¥13.3475 ¥14.05
    • 10+

      ¥13.053 ¥13.74
    • 30+

      ¥12.8535 ¥13.53
    • 90+

      ¥12.6445 ¥13.31
  • 有货
  • 该IGBT模块的集电极电流(Ic)为50A,集射极击穿电压(Vces)达650V,适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流(IF)同样支持50A,正向压降(Vf)为1.45V,表现出良好的导电性能与热稳定性。模块设计符合标准封装规范,便于安装和散热,适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景,提供稳定高效的功率处理能力。
    • 1+

      ¥14.21
    • 10+

      ¥12.1
    • 30+

      ¥10.78
  • 有货
  • 该IGBT模块具有30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces),适用于较高电压等级的功率应用环境。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,有效控制导通损耗。内置续流二极管支持30A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,提升系统能效表现。模块设计符合标准封装规范,便于安装与散热管理,适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。
    • 1+

      ¥14.5635 ¥15.33
    • 10+

      ¥14.231 ¥14.98
    • 30+

      ¥14.0125 ¥14.75
    • 90+

      ¥13.794 ¥14.52
  • 有货
  • 采用专有的沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,600V沟槽FS II IGBT具有出色的导通和开关性能,且易于并联操作。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.79
    • 10+

      ¥12.03
    • 30+

      ¥10.51
  • 有货
  • 本产品为高性能IGBT管/模块,具备50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),可支持较高功率应用场景。在导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))仅为1.65V,有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为1.45V,表现出良好的能效特性。该器件适用于需要高效能、高稳定性的电力电子系统,如能源转换装置及精密控制设备,提供可靠的开关与导通性能,满足复杂电路对动态响应和热稳定性的要求。
    • 1+

      ¥15.4185 ¥16.23
    • 10+

      ¥13.129 ¥13.82
    • 30+

      ¥11.704 ¥12.32
    • 90+

      ¥10.2315 ¥10.77
    • 510+

      ¥9.5665 ¥10.07
    • 990+

      ¥9.2815 ¥9.77
  • 有货
  • 该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于中等功率等级的电力电子应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,有助于降低导通损耗,提升系统效率。内置续流二极管支持50A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.45V,表现出良好的能效特性。模块采用通用封装形式,便于安装与散热管理,适合用于电源变换、电机驱动等高性能功率系统设计。
    • 1+

      ¥15.4185 ¥16.23
    • 10+

      ¥13.129 ¥13.82
    • 30+

      ¥11.704 ¥12.32
    • 90+

      ¥10.2315 ¥10.77
    • 510+

      ¥9.5665 ¥10.07
    • 990+

      ¥9.2815 ¥9.77
  • 有货
  • 本产品为IGBT管/模块,具备集电极电流(Ic)50A、集射极击穿电压(Vces)650V的电气特性,适用于较高功率场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流(IF)达50A,正向压降(Vf)为1.45V,性能稳定。该器件适合用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中,如电源转换及电机驱动等应用。
    • 1+

      ¥15.4185 ¥16.23
    • 10+

      ¥13.129 ¥13.82
    • 30+

      ¥11.704 ¥12.32
    • 90+

      ¥10.2315 ¥10.77
    • 510+

      ¥9.5665 ¥10.07
    • 990+

      ¥9.2815 ¥9.77
  • 有货
  • 该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces),可稳定工作于较高电压与电流环境,适用于对功率控制要求较高的场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,能在导通状态下保持较低损耗。内置二极管的正向电流(IF)为30A,正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠性封装,具备较好的热稳定性与绝缘性能,适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。
    • 1+

      ¥15.63
    • 10+

      ¥13.31
    • 30+

      ¥11.86
  • 有货
  • 本产品为IGBT管/模块,具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V,在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计,能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。
    • 1+

      ¥16.23
    • 10+

      ¥13.82
    • 30+

      ¥12.32
  • 有货
  • 本产品为高性能IGBT管/模块,具备40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于高功率密度场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,能够有效降低导通损耗。内建二极管可支持40A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.8V,具备良好的热稳定性和可靠性。此模块结构紧凑、效率高,适合用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计中。
    • 1+

      ¥17.347 ¥18.26
    • 10+

      ¥14.7725 ¥15.55
    • 30+

      ¥13.167 ¥13.86
    • 90+

      ¥11.514 ¥12.12
    • 510+

      ¥10.7635 ¥11.33
    • 990+

      ¥10.4405 ¥10.99
  • 有货
  • 该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)与650V的集射极击穿电压(Vces),适合多种中高功率应用场合。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,有效降低导通状态下的功率损耗,提升整体能效。内部续流二极管可支持50A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,具备优良的热稳定性与动态响应特性。模块设计注重电气隔离与散热性能,适用于电力电子变换、智能能源管理及高效电源系统等场景,提供稳定可靠的开关控制能力。
    • 1+

      ¥17.347 ¥18.26
    • 10+

      ¥14.7725 ¥15.55
    • 30+

      ¥13.167 ¥13.86
    • 90+

      ¥11.514 ¥12.12
    • 510+

      ¥10.7635 ¥11.33
    • 990+

      ¥10.4405 ¥10.99
  • 有货
  • 应用程序 ,变频器 ,电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥17.6795 ¥18.61
    • 10+

      ¥14.9625 ¥15.75
    • 30+

      ¥13.262 ¥13.96
    • 90+

      ¥11.514 ¥12.12
    • 660+

      ¥10.7255 ¥11.29
    • 990+

      ¥10.393 ¥10.94
  • 有货
  • 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥37.034857
    • 100+

      ¥34.233902
    • 1000+

      ¥31.510751
    本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流(Ic)与650V的集射极击穿电压(Vces),适用于多种中高功率电能转换场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,有效降低导通损耗,提升整体效率。内部集成二极管可支持40A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.8V,表现出良好的开关性能和热稳定性。该器件可广泛应用于电源变换、电机控制、储能系统及智能电力基础设施等领域,提供高效、可靠的半导体解决方案。
    • 1+

      ¥18.1165 ¥19.07
    • 10+

      ¥15.5705 ¥16.39
    • 30+

      ¥14.0505 ¥14.79
    • 90+

      ¥12.521 ¥13.18
    • 510+

      ¥11.818 ¥12.44
    • 990+

      ¥11.495 ¥12.1
  • 有货
  • 该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于中等功率场景下的高频开关应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,在保证性能的同时有助于降低导通损耗。内置续流二极管可承受最大40A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.8V,具备稳定的反向恢复特性。模块采用优化的封装结构,散热性能良好,适用于对能效与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。
    • 1+

      ¥18.1165 ¥19.07
    • 10+

      ¥15.5705 ¥16.39
    • 30+

      ¥14.0505 ¥14.79
    • 90+

      ¥12.521 ¥13.18
    • 510+

      ¥11.818 ¥12.44
    • 990+

      ¥11.495 ¥12.1
  • 有货
  • 本IGBT管/模块具备40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于中高功率电力电子系统。导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,有助于降低损耗并提升能效。内置二极管可承受40A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为1.8V,表现出良好的热稳定性和导通一致性。该器件适合用于电源转换、精密控制等电路设计,支持高频开关操作,满足复杂场景对效率与稳定性的需求。
    • 1+

      ¥18.1165 ¥19.07
    • 10+

      ¥15.5705 ¥16.39
    • 30+

      ¥14.0505 ¥14.79
    • 90+

      ¥12.521 ¥13.18
    • 510+

      ¥11.818 ¥12.44
    • 990+

      ¥11.495 ¥12.1
  • 有货
  • 本产品为IGBT管/模块,具备集电极电流(Ic)50A、集射极击穿电压(Vces)650V的性能指标,适用于高电压和较高功率场景下的开关与控制。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,有助于降低导通损耗,提高系统效率。内置二极管可支持正向电流(IF)达50A,正向压降(Vf)为1.85V,可在高频切换条件下提供稳定反向续流能力。该模块在结构设计上注重热管理和电气稳定性,适合多种电力变换设备中使用。
    • 1+

      ¥18.1165 ¥19.07
    • 10+

      ¥15.5705 ¥16.39
    • 30+

      ¥14.0505 ¥14.79
    • 90+

      ¥12.521 ¥13.18
    • 510+

      ¥11.818 ¥12.44
    • 990+

      ¥11.495 ¥12.1
  • 有货
  • 应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用
    数据手册
    • 1+

      ¥18.316 ¥19.28
    • 10+

      ¥15.599 ¥16.42
    • 30+

      ¥13.357 ¥14.06
    • 90+

      ¥11.6185 ¥12.23
    • 510+

      ¥10.83 ¥11.4
    • 990+

      ¥10.488 ¥11.04
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。 低EMI。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.3677 ¥25.87
    • 10+

      ¥15.0365 ¥24.65
    • 30+

      ¥12.2043 ¥23.93
    • 90+

      ¥11.832 ¥23.2
    • 510+

      ¥11.6637 ¥22.87
    • 990+

      ¥11.5821 ¥22.71
  • 有货
  • 立创商城为您提供igbt模块型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买igbt模块提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content