igbt模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXBX75N170 编号：C17489325

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

特性：国际标准封装。高阻断电压。高电流处理能力。反并联二极管。高功率密度。低栅极驱动要求。应用：电容放电。交流开关

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￥381.83
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￥365.11

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型号：IXXH60N65B4-HXY 编号：C49003431

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，进一步优化整体电性能表现。该器件适合用于多种类型的电力电子设备中，满足对稳定性和效率的较高要求。

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￥40.356 ￥42.48
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￥34.8745 ￥36.71
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￥31.54 ￥33.2
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￥28.7375 ￥30.25

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型号：IXYH50N65C3H1-HXY 编号：C49003391

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，可支持较高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复性能。该器件适用于需要高效能与稳定性的电力转换设备，如电源系统、储能装置及智能电网相关设备中，满足高可靠性和高效率的设计需求。

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￥40.356 ￥42.48
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￥34.8745 ￥36.71
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型号：APT70GR65B-HXY 编号：C49003472

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件可广泛应用于电源变换器、电机驱动、储能系统及智能电网等场景，满足高效能与高稳定性需求的电路设计要求。

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￥43.586 ￥45.88
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￥37.6675 ￥39.65
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￥34.067 ￥35.86
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￥31.0365 ￥32.67

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型号：APT40GR120B-HXY 编号：C49003445

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块典型集电极电流为40A，集射极击穿电压达1200V，具备较强的高电压和大电流承载能力。其集射极饱和电压为1.9V，在导通状态下可有效降低功率损耗。内部反并联二极管支持40A正向电流，正向压降为2.5V，适用于高频开关应用。该器件适合用于电源变换、电机控制及储能系统等场景，具备良好的热稳定性与可靠性，能够适应较复杂的工作环境，满足高效能功率转换需求。

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￥43.586 ￥45.88
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型号：IKQ75N120CS6 编号：C536207

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下的高效率。由于VCEsat正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

数据手册

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￥44.34
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￥42.54
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￥39.29

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型号：APT68GA60B-HXY 编号：C49003455

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），满足中高功率场景下的开关需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效控制导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定工作。该器件适用于电源变换、智能电网、高性能电子设备等应用场景，具备良好的热稳定性与开关性能，可为系统提供高效可靠的支持。

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￥45.201 ￥47.58
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￥39.064 ￥41.12
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￥35.321 ￥37.18
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￥32.186 ￥33.88

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型号：IXYH100N65C3-HXY 编号：C49003474

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用标准封装形式，便于散热与安装，适用于电源转换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定可靠的开关性能。

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￥45.201 ￥47.58
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￥39.064 ￥41.12
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￥35.321 ￥37.18
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型号：IXYH75N65C3D1-HXY 编号：C49003430

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率需求的电路设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通压降，提升能量转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）同样为1.65V，进一步优化系统整体性能。该器件适合用于多种高效电力控制与转换场景，提供稳定可靠的运行表现。

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￥51.661 ￥54.38
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￥44.6405 ￥46.99
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￥40.3655 ￥42.49
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￥36.784 ￥38.72

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型号：IXYH40N65B3D1-HXY 编号：C49003389

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，具备较强的电流承载与耐压能力。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定可靠的续流性能。模块设计紧凑，适配通用封装标准，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、电机驱动及智能电网等高要求场景。

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￥54.8815 ￥57.77
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￥47.4335 ￥49.93
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￥42.8925 ￥45.15
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￥39.083 ￥41.14

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型号：IRGP4790D-EPBF-HXY 编号：C49003328

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块提供75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升整体效率。内置二极管可支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性与可靠性。该器件结构紧凑、性能稳定，适合用于对能效和功率密度有一定要求的高频开关与电源转换应用。

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￥56.4965 ￥59.47
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￥48.83 ￥51.4
30+
￥44.156 ￥46.48
90+
￥40.2325 ￥42.35

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型号：IXYH40N120C3-HXY 编号：C49003442

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统整体效率。内部反并联二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流能力与稳定性。该器件适合应用于电源变换器、储能系统及高效能开关电路等场景，满足对性能与可靠性有较高要求的电力电子设计方案。