T1235T-8FP

厂商名称st意法半导体
元件分类双向可控硅
中文描述三端双向可控硅,800 V,12 A,TO-220FPAB,1.3 V,90 A,40 mA
英文描述12 A Snubberless™Triac
数据手册T1235T-8FP数据手册Datasheet PDF
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T1235T-8FP概述

T1235T-8FP是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能双向可控硅（Thyristor），属于Snubberless™系列，专为高功率开关和控制应用设计，尤其在交流电路中表现出色。以下是其主要特点和应用领域：

芯片概述

制造商：意法半导体（STMicroelectronics）。
描述：双向可控硅，用于高功率开关和控制应用。
系列：Snubberless™。

关键特性

电气参数：
- 断态电压 (V_RRM)：800V，使其适用于多种高压应用。
- 通态电流 (I_T(RMS))：最大12A，能够承载高达12安培的电流，适合大多数中等负载应用。
- 非重复浪涌电流 (I_TSM)：90A（50Hz）/ 95A（60Hz），适用于电动机起动、变换器等场合。
- 栅极触发电压 (V_gt)：最大1.3V，有利于简化电路设计。
- 栅极触发电流 (I_gt)：最大35mA，能够在较低的触发电流下启用，方便与微控设备兼容。
- 保持电流 (I_h)：最大40mA，保证在导通状态下可控硅保持稳定而不被关闭。
工作温度范围：-40°C至+150°C，能够在极端环境下正常工作。
封装形式：TO-220-3，具有良好的散热性能和便捷的安装方式，适合用于通孔安装的电路设计。

T1235T-8FP中文参数

制造商:STMicroelectronics

产品种类:双向可控硅

系列:T1235T-8FP

开启状态RMS电流-It RMS:12 A

不重复通态电流:90 A

额定重复关闭状态电压VDRM:800 V

关闭状态漏泄电流（在VDRM IDRM下）:7.5 uA

保持电流Ih最大值:40 mA

栅极触发电压-Vgt:1.3 V

栅极触发电流-Igt:35 mA

最小工作温度:-40℃

最大工作温度:+150℃

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-220-3 FP

T1235T-8FP引脚图

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