VN5050JTR-E
- 厂商名称st意法半导体
- 元件分类栅极驱动器
- 中文描述电源负载分配开关, 高压侧, 13 V输入, 19 A, 0.05ohm, 1输出, PowerSSO-12
- 英文描述 Load Switch IC, High Side, 3.5mA, 41V, 12-Pin, PowerSSO
- 数据手册VN5050JTR-E数据手册Datasheet PDF
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VN5050JTR-E概述
VN5050JTR-E是一款用于汽车应用的单通道高压侧驱动器。它是采用意法半导体VIPower技术制造的单片式器件。它适用于驱动一侧接地的阻性或感性负载。有源VCC引脚电压箝位可保护器件免受低能量尖峰的影响。当STAT_DIS保持开路或驱动低电平时，该器件可检测开启和关闭状态下的负载开路情况。在关断状态下会检测到短路至VCC的输出。当STAT_DIS被驱动为高电平时，STATUS引脚处于高阻抗状态。输出电流限制可在过载条件下保护器件。在长时间过载的情况下，器件会将耗散功率限制在安全水平，直至热关断干预。带自动重启功能的热关断可使设备在故障条件消失后立即恢复正常运行。它适用于所有类型的电阻、电感和电容负载。
工作电压范围:4.5到36V
在IOUT=1A和Tj=25°C时，最大导通电阻（每通道）为50 ohm
通过功率限制主动管理浪涌电流，待机电流极低
3.0V CMOS兼容输入，优化电磁辐射
符合2002/95/EC European directive标准
低电磁敏感性
直流短路电流在VCC=13V时为19A（典型值）
关断状态电源电流典型值为2µA
PowerSSO-12封装
结点工作温度范围为-40至150°C
工作电压范围:4.5到36V
在IOUT=1A和Tj=25°C时，最大导通电阻（每通道）为50 ohm
通过功率限制主动管理浪涌电流，待机电流极低
3.0V CMOS兼容输入，优化电磁辐射
符合2002/95/EC European directive标准
低电磁敏感性
直流短路电流在VCC=13V时为19A（典型值）
关断状态电源电流典型值为2µA
PowerSSO-12封装
结点工作温度范围为-40至150°C
VN5050JTR-E中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:栅极驱动器
产品:MOSFET Gate Drivers
类型:High-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:PowerSSO-12
激励器数量:1 Driver
输出端数量:1 Output
输出电流:2 A
电源电压-最小:4.5 V
电源电压-最大:36 V
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+150℃
系列:VN5050J-E
资格:AEC-Q100
最大关闭延迟时间:35 us
最大开启延迟时间:20 us
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:1.9 mA
工作电源电压:13 V
产品种类:栅极驱动器
产品:MOSFET Gate Drivers
类型:High-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:PowerSSO-12
激励器数量:1 Driver
输出端数量:1 Output
输出电流:2 A
电源电压-最小:4.5 V
电源电压-最大:36 V
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+150℃
系列:VN5050J-E
资格:AEC-Q100
最大关闭延迟时间:35 us
最大开启延迟时间:20 us
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:1.9 mA
工作电源电压:13 V
VN5050JTR-E引脚图
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