TS372IDT
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类模拟比较器
- 中文描述低功耗双路CMOS电压比较器
- 英文描述TS372IDT,Dual Comparator Open Drain 0.6μs 12 V,15 V,5 V,9 V 8-Pin SO
- 数据手册TS372IDT数据手册Datasheet PDF
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TS372IDT概述
TS372IDT 是由意法半导体（STMicroelectronics）设计生产的一款低功耗双CMOS电压比较器。以下是关于它的详细介绍：
基本性能参数
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输入失调电压：10mV。
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输入偏置电流：25nA。
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输出形式：开漏输出。
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电源电压范围：2.7V~16V。
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工作温度范围：-40℃~125℃。
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封装形式：8-SOIC。
主要特点
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低功耗设计：适用于对功耗敏感的应用场景，如电池供电设备。
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宽电源电压范围：能够适应不同的电源环境。
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高输入阻抗：输入偏置电流低，对信号源的影响小。
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输出兼容性好：输出电平与TTL、CMOS等逻辑电平兼容。
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快速响应：具有较短的传播延迟。
TS372IDT中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:模拟比较器
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
通道数量:2 Channel
输出类型:Open Drain
响应时间:600 ns
比较器类型:General Purpose
电源电压-最小:3 V
电源电压-最大:16 V
工作电源电流:375 uA
每个通道的输出电流:45 mA
Vos-输入偏置电压:10 mV
Ib-输入偏流:300 pA
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
系列:TS372
Ios-输入偏置电流:200 pA
最小双重电源电压:1.5 V
工作电源电压:18 V
Pd-功率耗散:710 mW
产品种类:模拟比较器
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
通道数量:2 Channel
输出类型:Open Drain
响应时间:600 ns
比较器类型:General Purpose
电源电压-最小:3 V
电源电压-最大:16 V
工作电源电流:375 uA
每个通道的输出电流:45 mA
Vos-输入偏置电压:10 mV
Ib-输入偏流:300 pA
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+125℃
系列:TS372
Ios-输入偏置电流:200 pA
最小双重电源电压:1.5 V
工作电源电压:18 V
Pd-功率耗散:710 mW
TS372IDT引脚图
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