
STTH3010D
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类二极管
- 中文描述1000 V,30 A超高速二极管
- 英文描述1000 V, 30 A Ultrafast Diode
- 数据手册STTH3010D数据手册Datasheet PDF
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STTH3010D概述
STTH3010D 是由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的一款超高速恢复二极管。以下是关于它的详细介绍:
基本性能参数
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额定电压(DC):1000V。
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额定电流:30A。
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正向压降(Vf):2V@30A。
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反向恢复时间(trr):100ns。
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反向漏电流(Ir):15μA@1000V。
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封装形式:TO-220AC(通孔安装)。
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工作温度范围:-65℃~+175℃(结温)。
主要特点
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超高速恢复:具有极短的反向恢复时间,适合高频应用。
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低损耗:低正向压降和快速恢复特性有助于降低传导和开关损耗。
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高耐压能力:能够承受高达1000V的反向电压。
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高可靠性:设计用于高功率和高可靠性要求的应用。
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绝缘封装:具有电气绝缘封装,适合在高电压环境下使用。
STTH3010D中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:小信号开关二极管
产品:General Purpose Diodes
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-2
峰值反向电压:1 kV
最大浪涌电流:180 A
If-正向电流:30 A
配置:Single
恢复时间:42 ns
Vf-正向电压:1.3 V
Ir-反向电流:15 uA
最小工作温度:-65℃
最大工作温度:+175℃
系列:STTH3010
产品种类:小信号开关二极管
产品:General Purpose Diodes
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-2
峰值反向电压:1 kV
最大浪涌电流:180 A
If-正向电流:30 A
配置:Single
恢复时间:42 ns
Vf-正向电压:1.3 V
Ir-反向电流:15 uA
最小工作温度:-65℃
最大工作温度:+175℃
系列:STTH3010
STTH3010D引脚图

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