STP90NF03L
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述N沟道30V-0.0056Ohm-90A-TO-220低栅极电荷StripFET(TM)II功率MOSFET
- 英文描述MOSFET N Channel 30V 90A 2.5V 250uA 6.5mΩ 45A,10V TO-220(TO-220-3)RoHS
- 数据手册STP90NF03L数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
STP90NF03L概述
STP90NF03L是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，具有以下特点和参数：
特点
-
低导通电阻：0.0056Ω，有助于降低导通时的损耗。
-
低栅极电荷量：47nC@5V，可减少开关时的损耗。
-
高连续漏极电流：90A，适用于大电流应用场合。
-
工作温度范围广：-65℃~+175℃，能在较宽的温度范围内稳定工作。
-
封装形式：TO-220，便于安装和散热。
应用
适用于需要高效功率转换的电路，如电源适配器、电机驱动器、DC-DC转换器等。
电气参数
-
漏源电压(Vdss)：30V。
-
连续漏极电流(Id)：90A。
-
导通电阻(RDS(on))：0.0056Ω。
-
最大功率耗散(Pd)：150W。
-
阈值电压(Vgs(th))：2.5V。
-
输入电容(Ciss)：2700pF@25V。
-
栅极电荷量(Qg)：47nC@5V。
STP90NF03L中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
最小工作温度:-65℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:150 W
通道模式:Enhancement
下降时间:105 ns
正向跨导-最小值:40 S
高度:9.15 mm
长度:10.4 mm
产品类型:MOSFETs
上升时间:200 ns
系列:STP90NF03L
1000
子类别:Transistors
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
典型关闭延迟时间:50 ns
典型接通延迟时间:30 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V,+20 V
最小工作温度:-65℃
最大工作温度:+150℃
Pd-功率耗散:150 W
通道模式:Enhancement
下降时间:105 ns
正向跨导-最小值:40 S
高度:9.15 mm
长度:10.4 mm
产品类型:MOSFETs
上升时间:200 ns
系列:STP90NF03L
1000
子类别:Transistors
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
典型关闭延迟时间:50 ns
典型接通延迟时间:30 ns
STP90NF03L引脚图
爆款物料推荐
型号
价格