STP30NF10

STP30NF10是意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻和高开关速度特性，专为高效率电源切换和电机驱动设计，适用于中高功率应用场景。

基本参数

• 类型：N沟道增强型MOSFET
• 漏源电压（V_DSS）：100V
• 连续漏极电流（I_D）：30A（@25°C）
• 脉冲漏极电流（I_DM）：120A
• 导通电阻（R_DS(on)）：0.04Ω（V_GS=10V）
• 栅极阈值电压（V_GS(th)）：2V至4V
• 封装：TO-220（直插式封装，带散热片）
• 工作温度范围：-55°C至+175°C

商品特性

1. 低导通损耗：极低的R_DS(on)提升能效，减少发热。
2. 快速开关性能：优化栅极电荷（Q_g≈50nC），适用于高频开关电路。
3. 高可靠性：雪崩耐量（E_AS）和体二极管反向恢复特性优异，抗浪涌能力强。
4. 热管理优化：TO-220封装配合散热片设计，支持高功率持续输出。
5. 兼容性广泛：适用于多种驱动电路，简化设计复杂性。

应用场景

• 开关电源：DC-DC转换器、逆变器中的功率开关元件。
• 电机驱动：电动工具、无人机、工业电机控制器中的H桥电路。
• 汽车电子：车载充电器、LED驱动器、电动助力转向（EPS）系统。
• 工业设备：电焊机、不间断电源（UPS）的功率模块。
• 消费电子：大功率适配器、电池管理系统（BMS）保护电路。