STP5NK50Z

厂商名称ST意法半导体
元件分类MOS管
中文描述N沟道500 V、典型值1.22欧姆、4.4 A SuperMESH功率MOSFET，采用TO-220封装
英文描述N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package<span> </span>
数据手册STP5NK50Z数据手册Datasheet PDF
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STP5NK50Z概述

STP5NK50Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道高压功率 MOSFET，以下是其详细的产品规格、技术参数和应用领域：

产品规格

类型：N 沟道功率 MOSFET。
漏源电压（Vdss）：500V。
连续漏极电流（Id）：4.4A。
导通电阻（Rds(on)）：1.22Ω（典型值，@10V）。
封装形式：TO-220。
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃。

技术参数

阈值电压（Vgs(th)）：4.5V。
栅极电荷量（Qg）：28nC（@400V）。
输入电容（Ciss）：535pF（@25V）。
反向传输电容（Crss）：17pF（@25V）。
最大耗散功率（Pd）：70W。
齐纳保护：具备齐纳保护功能。

特性

高压应用：适用于高电压环境。
低导通电阻：在高电压下仍保持较低的导通电阻，减少功耗。
高 dv/dt 能力：适合高动态负载应用。
齐纳保护：提供额外的保护功能。

应用领域

STP5NK50Z 广泛应用于以下领域：

开关电源：用于高电压转换。
电机控制：驱动直流电机和交流电机。
LED 驱动：在高电压 LED 照明中使用。
太阳能逆变器：适用于高压逆变电路。
音频放大器：用于高电压音频信号放大。

STP5NK50Z中文参数

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-220-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:4.4 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms

Vgs-栅极-源极电压:-30 V,+30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Qg-栅极电荷:28 nC

最小工作温度:-55℃

最大工作温度:+150℃

Pd-功率耗散:70 W

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

商标:STMicroelectronics

配置:Single

下降时间:15 ns

正向跨导-最小值:3.1 S

高度:9.15 mm

长度:10.4 mm

产品类型:MOSFETs

上升时间:10 ns

系列:STP5NK50Z

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:15 ns