NTR4170NT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，30 V，2.4 A，0.045 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册NTR4170NT1G数据手册Datasheet PDF
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NTR4170NT1G概述
NTR4170NT1G是一个N沟道功率MOSFET，提供30V漏极源极电压和2.4A连续漏极电流。它适用于便携式，电池管理和负载/电源开关应用的电源转换器。
低RDS（开启）
低栅极电荷
低阈值电压
-55至150°C的工作结温范围
应用
电源管理，便携式器材，工业
低RDS（开启）
低栅极电荷
低阈值电压
-55至150°C的工作结温范围
应用
电源管理，便携式器材，工业
NTR4170NT1G中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | 最大栅源电压 | ±12 V |
| 最大漏源电压 | 30 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 宽度 | 1.4mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 高度 | 1.01mm |
| 引脚数目 | 3 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ | 典型栅极电荷@Vgs | 4.76 nC @ 4.5 V |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 3.04mm |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V | 正向二极管电压 | 1V |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 480 mW |
NTR4170NT1G引脚图
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