NDS331N

厂商名称ON安森美
元件分类MOS管
中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，20 V，1.3 A，0.11 ohm，SuperSOT，表面安装
英文描述MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
数据手册NDS331N数据手册Datasheet PDF
在线购买

NDS331N概述

NDS331N是一款N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，采用高单元密度，DMOS技术.这种非常高密度的工艺特别适合降低导通电阻.适用于PCMCIA卡与其他电池供电电路的低电压应用，其中需要非常小的表面安装封装，以及快速开关与低功耗.

高密度单元设计，极低RDS(ON)

卓越的导通电阻与最大DC电流能力

应用

电源管理，计算机和计算机周边

NDS331N中文参数

晶体管极性:N沟道

漏源电压，Vds:20V

电流，Id连续:1.3A

在电阻RDS（上）:0.11ohm

晶体管封装类型:SuperSOT

晶体管安装:表面安装

电压 Rds测量:4.5V

阈值电压Vgs:700mV

功耗Pd:500mW

针脚数:3引脚

工作温度最高值:150°C

NDS331N引脚图

爆款物料推荐

型号

价格