FDN337N

厂商名称ON安森美
元件分类MOS管
中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，30 V，2.2 A，0.065 ohm，SuperSOT，表面安装
英文描述Channel MOSFET，2.2 A，30 V，3-Pin SOT-23
数据手册FDN337N数据手册Datasheet PDF
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FDN337N概述

FDN337N是采用superSOT-3封装的N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管。该晶体管采用高单元密度、DMOS技术生产，非常高密度的工艺特别定制以最大限度地降低导通电阻，因此适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，这些电路需要快速开关和低功耗。在非常小的外形表面贴装封装中需要内嵌功率损耗。

用于极低Rds(on)的高密度电池设计

出色的导通电阻和最大直流电流能力

30V的漏源电压(Vds)

±8V的栅源电压

Vgs 4.5V时的低导通电阻为65mohm

2.2A的连续漏极电流

最大功耗500mW

工作结温范围为-55°C至150°C

FDN337N中文参数

晶体管极性:N沟道

电流，Id连续:2.2A

漏源电压，Vds:30V

在电阻RDS（上）:65毫欧

电压 Rds测量:4.5V

阈值电压Vgs:700mV

晶体管安装:表面安装

晶体管封装类型:SOT-23

针脚数:3引脚

功耗Pd:500mW

工作温度最高值:150°C

FDN337N引脚图

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