FQT7N10LTF
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，1.7 A，0.275 ohm，SOT-223，表面安装
- 英文描述N-channel MOSFET Transistor 1.7 A 100 V，4-Pin SOT-223
- 数据手册FQT7N10LTF数据手册Datasheet PDF
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FQT7N10LTF概述
FQT7N10LTF是使用平面条纹和DMOS技术生产的N通道增强型功率MOSFET。这种先进的MOSFET技术专为降低导通电阻、提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度而设计。它适用于开关模式电源、音频放大器和可变开关电源应用。
100%雪崩测试
5.8nC典型低栅极电荷
10pF典型低Crss
100%雪崩测试
5.8nC典型低栅极电荷
10pF典型低Crss
FQT7N10LTF中文参数
晶体管极性:N沟道
电流，Id连续:1.7A
漏源电压，Vds:100V
在电阻RDS（上）:275毫欧
电压 Rds测量:10V
阈值电压Vgs:2V
晶体管安装:表面安装
功耗Pd:2W
晶体管封装类型:SOT-223
针脚数:4引脚
工作温度最高值:150°C
电流，Id连续:1.7A
漏源电压，Vds:100V
在电阻RDS（上）:275毫欧
电压 Rds测量:10V
阈值电压Vgs:2V
晶体管安装:表面安装
功耗Pd:2W
晶体管封装类型:SOT-223
针脚数:4引脚
工作温度最高值:150°C
FQT7N10LTF引脚图
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