FDN335N
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，20 V，1.7 A，0.07 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述N-channel MOSFET Transistor 1.7 A 20 V，3-Pin SuperSOT
- 数据手册FDN335N数据手册Datasheet PDF
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FDN335N概述
FDN335N是一款N沟道2.5V MOSFET，采用先进PowerTrench®工艺，该工艺最大限度地降低了导通电阻，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
低栅极阈值电压
高性能Trench技术，极低的Rds
高功率，高电流处理能力
应用
电源管理，工业
低栅极阈值电压
高性能Trench技术，极低的Rds
高功率，高电流处理能力
应用
电源管理，工业
FDN335N中文参数
晶体管极性:N沟道
漏源电压，Vds:20V
电流，Id连续:1.7A
在电阻RDS（上）:0.07ohm
晶体管封装类型:SOT-23
晶体管安装:表面安装
电压 Rds测量:4.5V
阈值电压Vgs:900mV
功耗Pd:500mW
针脚数:3引脚
工作温度最高值:150°C
漏源电压，Vds:20V
电流，Id连续:1.7A
在电阻RDS（上）:0.07ohm
晶体管封装类型:SOT-23
晶体管安装:表面安装
电压 Rds测量:4.5V
阈值电压Vgs:900mV
功耗Pd:500mW
针脚数:3引脚
工作温度最高值:150°C
FDN335N引脚图
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