NTMFS5C430NLT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, 表面安装
- 英文描述channel MOSFET Transistor，200 A，40 V，5-Pin DFN
- 数据手册NTMFS5C430NLT1G数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
NTMFS5C430NLT1G概述
功率MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单N沟道
特性
低R DS(on)
最小化传导损耗
低输入电容
最小化开关损耗
最高结温175C
为热挑战应用提供更宽的设计余量
紧凑设计的小尺寸(5x6 mm)
符合RoHS标准
应用
负载点模块
高性能DC-DC转换器
次要同步。整改
直流电机驱动
网通、电信
服务器
手持电动工具
特性
低R DS(on)
最小化传导损耗
低输入电容
最小化开关损耗
最高结温175C
为热挑战应用提供更宽的设计余量
紧凑设计的小尺寸(5x6 mm)
符合RoHS标准
应用
负载点模块
高性能DC-DC转换器
次要同步。整改
直流电机驱动
网通、电信
服务器
手持电动工具
NTMFS5C430NLT1G中文参数
| 通道类型 | N | 最大功率耗散 | 110 W |
| 最大连续漏极电流 | 200 A | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 40 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | DFN | 最高工作温度 | +175 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 长度 | 5.1mm |
| 引脚数目 | 5 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 2.2 mΩ | 宽度 | 6.1mm |
| 通道模式 | 增强 | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大栅阈值电压 | 2V | 典型栅极电荷@Vgs | 32 nC @ 4.5 V, 70 nC @ 10 V |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
NTMFS5C430NLT1G引脚图
爆款物料推荐
型号
价格