MJD44H11T4-A
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类双极晶体管
- 中文描述单晶体管双极,NPN,80 V,8 A,20 W,TO-252(DPAK),表面安装
- 英文描述Automotive-grade low voltage NPN power transistor
- 数据手册MJD44H11T4-A数据手册Datasheet PDF
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MJD44H11T4-A概述
MJD44H11T4-A器件采用低压多外延平面技术制造。它们适用于通用线性和开关应用。
所有功能
器件符合汽车应用要求
开关速度快
集电极-发射极饱和电压低
表面贴装TO-252(DPAK)卷带电源封装
所有功能
器件符合汽车应用要求
开关速度快
集电极-发射极饱和电压低
表面贴装TO-252(DPAK)卷带电源封装
MJD44H11T4-A中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:80 V
集电极—基极电压VCBO:-
发射极-基极电压VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:1 V
最大直流电集电极电流:8 A
Pd-功率耗散:20 W
增益带宽产品fT:-
最小工作温度:-
最大工作温度:+150℃
资格:AEC-Q100
系列:MJD44H11T4-A
产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:80 V
集电极—基极电压VCBO:-
发射极-基极电压VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:1 V
最大直流电集电极电流:8 A
Pd-功率耗散:20 W
增益带宽产品fT:-
最小工作温度:-
最大工作温度:+150℃
资格:AEC-Q100
系列:MJD44H11T4-A
MJD44H11T4-A引脚图
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