IS62WV51216BLL-55TLI
- 厂商名称ISSI
- 元件分类SRAM存储器
- 中文描述芯片,存储器,SRAM,8MB,512K X 16位,55 NS存取时间,TTL接口,2.5 V至3.6 V电源,TSOP-II-44
- 英文描述SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
- 数据手册IS62WV51216BLL-55TLI数据手册Datasheet PDF
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IS62WV51216BLL-55TLI概述
IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb高速静态RAM,512K字,每字16位.它使用ISSI的高性能CMOS技术制造.这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可获得高性能和低功耗的器件.当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW时,CS2为HIGH,而且LB与UB均为HIGH时,器件进入待机模式,在此模式下,CMOS输入电平可降低功耗.通过使用Chip Enable和Output Enable输入,可提供存储器扩展.低电平有效Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取.数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问.
36mW运作(典型值),12?W(典型值)CMOS待机CMOS低功耗运作
TTL兼容接口电平
完全静态运行,无需时钟或刷新
三态输出
数据控制用于高与低字节
应用
工业,车用
36mW运作(典型值),12?W(典型值)CMOS待机CMOS低功耗运作
TTL兼容接口电平
完全静态运行,无需时钟或刷新
三态输出
数据控制用于高与低字节
应用
工业,车用
IS62WV51216BLL-55TLI中文参数
| 存储器大小 | 8Mbit | 引脚数目 | 44 |
| 组织 | 512k x 16 位 | 尺寸 | 18.52 x 10.29 x 1.05mm |
| 字组数目 | 512k | 高度 | 1.05mm |
| 每字组的位元数目 | 16Bit | 长度 | 18.52mm |
| 最长随机存取时间 | 55ns | 最高工作温度 | +85 °C |
| 位址总线宽 | 19Bit | 最小工作电源电压 | 2.5 V |
| 低功率 | 是 | 最低工作温度 | -40 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 10.29mm |
| 封装类型 | TSOP | 最大工作电源电压 | 3.6 V |
IS62WV51216BLL-55TLI引脚图
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