NTF2955T1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，60 V，2.6 A，0.17 ohm，SOT-223，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab)SOT-223 T/R
- 数据手册NTF2955T1G数据手册Datasheet PDF
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NTF2955T1G概述
NTF2955T1G是一款P沟道功率MOSFET，可在雪崩模式和通信模式下承受高能量。
±20V栅源电压
应用
电源管理，电机驱动与控制，工业
±20V栅源电压
应用
电源管理，电机驱动与控制，工业
NTF2955T1G中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 2.6 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-223 | 长度 | 6.5mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 引脚数目 | 3 + Tab | 宽度 | 3.5mm |
| 最大漏源电阻值 | 185 mΩ | 高度 | 1.57mm |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2300 mW | 典型栅极电荷@Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
NTF2955T1G引脚图
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