ULN2003AD
- 厂商名称TI德州仪器
- 元件分类达林顿管
- 中文描述双极晶体管阵列，达林顿，NPN，50 V，500 mA，25 W，600 hFE，SOIC
- 英文描述50-V，7-ch darlington transistor array，-20C to 70C
- 数据手册ULN2003AD数据手册Datasheet PDF
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ULN2003AD概述
Texas Instruments的ULN2003AD系列是表面安装，高电压，高电流达林顿晶体管阵列，SOIC封装.每片包含七个NPN达林顿对，具有高压共发射极与开集输出带共同阴极钳位二极管用于开关感性负载.单达林顿对的集电极额定电流为500mA，达林顿对可并联以获得更高的电流能力.ULN2003A每个达林顿对都有一个2.7Kohm串联基极电阻，可直接连接与TTL或5V CMOS器件.典型应用包括继电器驱动器，电锤驱动器，灯驱动器，显示器驱动器(LED与气体放电)，线路驱动器和逻辑缓冲器.
高电压输出:50V
兼容多种类型逻辑输入
350mA集电极电流时，通导输入电压:3V
350mA集电极电流时，集电极到发射极饱和电压:1.2V
工作温度范围:-20°C至70°C
集电极电流(Ic):500mA(单路输出)
高电压输出:50V
兼容多种类型逻辑输入
350mA集电极电流时，通导输入电压:3V
350mA集电极电流时，集电极到发射极饱和电压:1.2V
工作温度范围:-20°C至70°C
集电极电流(Ic):500mA(单路输出)
ULN2003AD中文参数
| 晶体管类型 | NPN | 每片芯片元件数目 | 7 |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA | 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.6 V |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | 最高工作温度 | +70 °C |
| 最大发射极-基极电压 | 50 V | 尺寸 | 9.9 x 3.91 x 1.58mm |
| 封装类型 | SOIC | 长度 | 9.9mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 高度 | 1.58mm |
| 引脚数目 | 16 | 最低工作温度 | -20 °C |
| 晶体管配置 | 共发射极 | 宽度 | 3.91mm |
ULN2003AD引脚图
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