IRF7342TRPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述双路场效应管，MOSFET，P沟道，55 V，3.4 A，0.095 ohm，SOIC，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
- 数据手册IRF7342TRPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF7342TRPBF概述
IRF7342TRPBF是一款双P沟道MOSFET，采用最新的处理技术，实现极低的导通电阻。这款器件具有快开关速度和坚固耐用设计。HEXFET功率MOSFET是一款高效率器件，可用于多种应用。SO-8经过优化，采用定制引线框架，以增强温度特性和双管芯功能，非常适合电源应用。通过这些改进，可以同时使用多个器件从而缩小电路板空间。
第五代技术
超低导通电阻
表面安装设备
动态dV/dt额定值
快速开关性能
应用
工业，电源管理
第五代技术
超低导通电阻
表面安装设备
动态dV/dt额定值
快速开关性能
应用
工业，电源管理
IRF7342TRPBF中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大连续漏极电流 | 3.4 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 55 V | 每片芯片元件数目 | 2 |
| 封装类型 | SOIC | 系列 | HEXFET |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 4mm |
| 引脚数目 | 8 | 高度 | 1.5mm |
| 最大漏源电阻值 | 170 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1V | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 长度 | 5mm |
| 最大功率耗散 | 2 W | 典型栅极电荷@Vgs | 26 nC @ 10 V |
IRF7342TRPBF引脚图
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