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2N7002-7-F

厂商名称：Diodes

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，115 mA，13.5 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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2N7002-7-F概述

2N7002-7-F是一款60V N沟道增强型场效应晶体管，带镀雾锡端子.该端子符合MIL-STD-202，method 208焊接标准.该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择.外壳由模制塑料"绿色"模塑料(UL94V-0)制成.

低导通电阻

低栅极阈值电压

低输入电容

快速开关速度

低输入/输出泄漏

无卤素，无锑

绿色设备

符合AEC-Q101标准，高可靠性

应用

电机驱动与控制，电源管理，国防，军用与航空

2N7002-7-F中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	115 mA	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	60 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-23	高度	1.1mm
安装类型	表面贴装	最高工作温度	+150 °C
引脚数目	3	长度	3mm
最大漏源电阻值	13.5 Ω	最低工作温度	-55 °C
通道模式	增强	宽度	1.4mm
最大栅阈值电压	2.5V	晶体管材料	Si
最大功率耗散	300 mW