2N7002-7-F
- 厂商名称Diodes
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，115 mA，13.5 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册2N7002-7-F数据手册Datasheet PDF
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2N7002-7-F概述
2N7002-7-F是一款60V N沟道增强型场效应晶体管，带镀雾锡端子.该端子符合MIL-STD-202，method 208焊接标准.该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择.外壳由模制塑料"绿色"模塑料(UL94V-0)制成.
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速开关速度
低输入/输出泄漏
无卤素，无锑
绿色设备
符合AEC-Q101标准，高可靠性
应用
电机驱动与控制，电源管理，国防，军用与航空
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速开关速度
低输入/输出泄漏
无卤素，无锑
绿色设备
符合AEC-Q101标准，高可靠性
应用
电机驱动与控制，电源管理，国防，军用与航空
2N7002-7-F中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 高度 | 1.1mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 | 长度 | 3mm |
| 最大漏源电阻值 | 13.5 Ω | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 宽度 | 1.4mm |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
2N7002-7-F引脚图
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