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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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    ¥52.153794
1.8V 1Gbit
数据手册
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    ¥57.07
  • 10+

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  • 30+

    ¥55.07
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  • 订货
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      ¥72.285562
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      ¥68.269697
    • 100+

      ¥58.899347
    • 1000+

      ¥54.21417
    • 1+

      ¥58.06
    • 10+

      ¥56.83
    • 30+

      ¥56.02
    • 100+

      ¥55.21
  • 订货
    • 1+

      ¥67.466
    • 10+

      ¥66.36
    • 50+

      ¥63.595
    • 100+

      ¥61.936
    • 200+

      ¥60.83
    • 1+

      ¥70.9979
    • 10+

      ¥69.834
    • 50+

      ¥66.92425
    • 100+

      ¥65.1784
    • 200+

      ¥64.0145
    S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒,相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区,允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程,与标准编程算法相比,可有效缩短编程时间
    • 1+

      ¥80.227627
    • 10+

      ¥78.91242
    • 50+

      ¥75.624403
    • 100+

      ¥73.651592
    • 200+

      ¥72.336385
    • 1+

      ¥75.62
    • 10+

      ¥71.8
    • 30+

      ¥65.2
    • 100+

      ¥59.44
  • 订货
    • 5+

      ¥104.539284
    • 50+

      ¥91.830585
    • 500+

      ¥84.553832
    • 1+

      ¥79.44
    • 10+

      ¥75.73
    • 30+

      ¥69.31
    • 100+

      ¥63.7
  • 订货
  • S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒,相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区,允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程,与标准编程算法相比,可有效缩短编程时间
    • 5+

      ¥128.44656
    • 50+

      ¥112.831488
    • 500+

      ¥103.8906
    • 1+

      ¥85.5
    • 10+

      ¥81.19
    • 30+

      ¥73.72
    • 100+

      ¥67.21
  • 订货
  • 采用65纳米制程技术制造,具备快速页面访问时间,最快可达15 ns,随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程,有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥92.24
    • 10+

      ¥89.02
  • 订货
    • 1+

      ¥97.08
    • 10+

      ¥92.71
    • 30+

      ¥85.14
    • 100+

      ¥78.54
  • 订货
  • MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间,相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥107.59
    • 10+

      ¥98.45
    • 30+

      ¥90.04
    • 100+

      ¥82.71
  • 订货
  • 3.3V 2Gbit
    数据手册
    • 1+

      ¥110.52
    • 10+

      ¥99.01
    • 30+

      ¥90.39
    • 96+

      ¥82.87
  • 订货
    • 1+

      ¥112.94
    • 10+

      ¥107.35
    • 30+

      ¥97.67
    • 100+

      ¥89.22
  • 订货
  • 是 32 × 8 非易失性存储器,读写方式与标准 SRAM 类似。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,意味着断电后数据仍可保留。它可提供超过 151 年的数据保留时间,同时消除了电池备用 SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使 F-RAM 优于其他类型的存储器
    • 1+

      ¥113.5
    • 10+

      ¥108.39
    • 30+

      ¥99.54
    • 100+

      ¥91.82
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