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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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    ¥144.77
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    ¥137.98
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    ¥126.23
  • 100+

    ¥115.97
  • 订货
  • FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),组织为256K×8。它采用先进的铁电工艺,提供高达10万亿次读写操作的高耐久性和121年的数据保留时间。该器件支持最高33 MHz的SPI接口,具有低功耗特性,支持扩展温度范围(-40°C至+105°C)。
    • 1+

      ¥145.92
    • 10+

      ¥141.47
  • 订货
  • 高性能、4Mbit非易失性存储器,采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可实现151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟。每个字节成功传输到设备后,数据立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有出色的写耐久性,能够支持10¹⁴次读写循环,比EEPROM多1亿次写循环
    • 1+

      ¥197.91
    • 30+

      ¥187.71
  • 订货
  • 是低功耗、8 Mbit非易失性存储器,采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    • 1+

      ¥221.84
    • 30+

      ¥210.84
  • 订货
  • 512 Mb HYPERRAM™ 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,具备 HYPERBUS™ 接口。该 DRAM 阵列采用动态单元,需要定期刷新。当 HYPERBUS™ 接口主控(主机)未对存储器进行主动读写操作时,器件内部的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列的刷新操作
    • 1+

      ¥53.21
    • 10+

      ¥51.85
    • 30+

      ¥50.94
    • 100+

      ¥50.03
  • 订货
  • Cypress CY14B104NA是一款4Mbit非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),具有高速访问时间和自动存储功能。它支持无限次读写和召回操作,数据保持时间为20年。
    数据手册
    • 1+

      ¥259.77
    • 299+

      ¥100.53
    • 598+

      ¥97
    • 897+

      ¥95.25
  • 订货
  • CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM),支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器,支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制,受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V,支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。
    数据手册
    • 单价:

      ¥693.27 / 个
  • 订货
    • 1+

      ¥117.52565
    • 10+

      ¥115.599
    • 50+

      ¥110.782375
    • 100+

      ¥107.8924
    • 200+

      ¥105.96575
    S34ML01G200BHI000 是一款 1 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器,适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口,具有 3.3 V 供电电压,支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命,适用于需要高数据完整性的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.215
    • 20+

      ¥24.19
    • 100+

      ¥23.575
    • 200+

      ¥22.96
    • 500+

      ¥22.55
    • 1+

      ¥11.88
    • 200+

      ¥4.74
    • 500+

      ¥4.59
    • 1000+

      ¥4.51
  • 订货
  • Cypress S34ML02G2系列提供3.3-V VCC电源供应,支持x8或x16 I/O接口。NAND单元为嵌入式固态存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器分为可独立擦除的块,从而可以在保留有效数据的同时擦除旧数据。每个页面大小为(2048+128)字节,128字节备用区域。
    数据手册
    • 1+

      ¥25.83
    • 20+

      ¥24.78
    • 100+

      ¥24.15
    • 200+

      ¥23.52
    • 500+

      ¥23.1
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