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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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FM24V10 是一款采用先进铁电工艺的 1 Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F - RAM)具有非易失性,其读写操作与随机存取存储器(RAM)类似。它能可靠保存数据达 151 年,同时消除了电可擦可编程只读存储器(EEPROM)和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销以及系统级可靠性问题
  • 1+

    ¥136.98
  • 30+

    ¥130.57
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      ¥613.6
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      ¥542.8
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      ¥505.04
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      ¥28.9
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      ¥26.04
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      ¥23.64
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    • 135+

      ¥23.76
  • 订货
  • 是一款高性能CMOS静态RAM,组织为512k字×8位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当未选中该器件时(CE为高电平),将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当未选中该器件(CE为高电平)、输出禁用(OE为高电平)或进行写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,八个输入和输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻抗状态。该器件适合与具有TTL输入/输出电平的处理器接口,不适合需要CMOS输入/输出电平的处理器。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.23
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      ¥33.51
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      ¥33.03
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      ¥32.55
  • 订货
  • CY62128E是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可实现超低工作电流。非常适合用于便携式应用,以延长电池续航时间(More Battery Life™,MoBL)
    • 1+

      ¥12.5
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      ¥12
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      ¥34.13
  • 订货
  • CY62256N是一款高性能CMOS静态RAM,组织为32K字节×8-Bit。它支持商业、工业和汽车级温度范围,具有自动断电功能,可显著降低功耗。
    • 85+

      ¥20.460795
    • 100+

      ¥19.257218
    • 1000+

      ¥17.725395
    CY62146EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为256K words by 16 bits。该设备具有超低活动电流和宽电压范围,适用于便携式应用如手机等。自动断电功能可在未选中时节省超过99%的功耗。
    数据手册
    • 60+

      ¥30.284024
    • 100+

      ¥27.993636
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      ¥25.76687
    • 1+

      ¥49.02
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      ¥47.92
    • 30+

      ¥47.19
    • 100+

      ¥46.46
  • 订货
  • 64 Mb HyperRAM 器件是一款高速 CMOS 自刷新动态 RAM (DRAM),配备 HyperBus 接口。赛普拉斯 128 Mb HyperRAM 器件采用单芯片堆叠,包含 64 Mb HyperRAM 器件。
    • 1+

      ¥49.08
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      ¥42.83
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      ¥39.02
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      ¥35.82
  • 订货
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      ¥49.97
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      ¥48.77
    • 30+

      ¥47.98
    • 100+

      ¥47.18
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  • FM25V02A 是一款 256-Kbit 的铁电随机存取存储器 (F-RAM),采用 32K x 8 的组织方式,支持高速 SPI 接口,最高时钟频率可达 33 MHz。该存储器具有高耐久性和低功耗,适用于频繁写入的应用场景。
    • 1+

      ¥54.33
    • 10+

      ¥52.09
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  • S27KL0641DABHI020 是一款 64 Mb 的 HyperRAM 自刷新 DRAM,支持 1.8 V 和 3.0 V 工作电压。它具有低信号计数接口,最大时钟速率为 166 MHz(1.8 V)和 100 MHz(3.0 V)。该设备提供了 166 MBps 的数据传输速率,并支持多种突发模式。
    • 1+

      ¥57.35
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      ¥49.69
    • 30+

      ¥43.03
    • 100+

      ¥39.12
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  • CY15B102Q 是一款2-Mbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。该存储器具有高耐久性(10万亿次读写),快速SPI接口(最高25MHz),低功耗(5mA active current at 25MHz,750μA standby current,20μA sleep mode current),支持SPI模式0和3,工作电压2.0V至3.6V,工作温度范围-40°C至+125°C,符合AEC-Q100 Grade 1标准。
    • 1+

      ¥60.28
    • 10+

      ¥58.35
  • 订货
  • CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计,提供超低功耗和高速度,适用于汽车应用。
    • 1+

      ¥47.0844
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      ¥45.1704
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      ¥44.022
    • 200+

      ¥42.108
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      ¥41.3424
    是一款高性能 CMOS 静态 RAM,其结构为 131,072 个字 x 8 位。低电平有效芯片使能 (CE1(上划线))、高电平有效芯片使能 (CE2)、低电平有效输出使能 (OE(上划线)) 和三态驱动器可轻松实现内存扩展。
    • 1+

      ¥66.05
    • 10+

      ¥56.82
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      ¥46.48
  • 订货
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    • 100+

      ¥62.17
  • 订货
  • FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口,最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景,如数据采集和工业控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥90.88
    • 10+

      ¥88.28
  • 订货
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      ¥92.09
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      ¥87.77
    • 30+

      ¥80.3
    • 135+

      ¥73.77
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  • FM16W08是一款8Kx8非易失性存储器,读写操作类似于标准SRAM。它具有高耐久性,可进行100万亿次读写操作,数据保留时间超过151年。支持2.7V到5.5V宽电压范围,适用于工业温度范围。
    数据手册
    • 1+

      ¥111.86
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      ¥108.52
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