BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：FBGA-96

是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取，以实现非常高的带宽。

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￥218.83
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￥198

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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C500274

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥56.33
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型号：FM24V05-GTR 编号：C66021

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

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型号：MT29F2G08ABAEAWP:E 编号：C110895

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Flash 2GBIT

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型号：MT25QU512ABB8ESF-0SIT 编号：C2061983

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：MKDV16GCL-STPA 编号：C47118465

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV16GCL-STP的升级款。尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥273.0585 ￥287.43
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￥259.844 ￥273.52

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型号：CSNP64GCR01-BOW 编号：C41380595

封装：LGA-8(7x8.5)

品牌：CS(创世)

SD NAND 64Gb MLC.标准SD 2.0协议.内嵌Flash管理算法,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,支持EXT4/FAT系列文件系统.待机/工作功耗低.自动stand by模式,高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

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￥395.98
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￥316.19

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型号：MT25QU01GBBB8E12-0SIT 编号：C2061873

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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￥413.37
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￥398.3

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型号：K4UBE3D4AB-MGCL 编号：C5827966

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥552.87
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￥522.94

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型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

2+
￥607.9905 ￥639.99
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￥578.8255 ￥609.29

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型号：24C08BN(XBLW) 编号：C18723544

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

10+
￥0.30476 ￥0.3208
100+
￥0.24092 ￥0.2536
300+
￥0.209 ￥0.22
1000+
￥0.18506 ￥0.1948
4000+
￥0.16587 ￥0.1746
8000+
￥0.156275 ￥0.1645

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型号：ZD24C02B-STGMT 编号：C5374815

封装：SOT23-5L

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

10+
￥0.3506
100+
￥0.2787
300+
￥0.2427
3000+
￥0.2128
6000+
￥0.1912
9000+
￥0.1804

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型号：ZD24C08A-STGMT 编号：C2896640

封装：SOT-23-5

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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10+
￥0.408
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￥0.3216
300+
￥0.2784
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￥0.246
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￥0.2201
9000+
￥0.2071

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型号：24C32N(XBLW) 编号：C18723552

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

5+
￥0.4182
50+
￥0.3672
150+
￥0.3417
500+
￥0.3226
2000+
￥0.3073
4000+
￥0.2997

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型号：HX24C32DGKRG 编号：C42396716

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

32K串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.4242
50+
￥0.3682
150+
￥0.3402
500+
￥0.3192
3000+
￥0.3024

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型号：24C64N(XBLW) 编号：C18723553

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，使用标准2线串行接口进行所有读写操作。

5+
￥0.64258 ￥0.6764
50+
￥0.512335 ￥0.5393
150+
￥0.447165 ￥0.4707
500+
￥0.398335 ￥0.4193
2000+
￥0.359195 ￥0.3781
4000+
￥0.33972 ￥0.3576

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型号：24C128BN(XBLW) 编号：C19708136

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C128系列是131,072位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为16,384个8位字。这些设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP和8引脚DFN封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的VCC范围（1.8V至5.5V）使应用范围广泛。

5+
￥0.648185 ￥0.6823
50+
￥0.504545 ￥0.5311
150+
￥0.432725 ￥0.4555
500+
￥0.37886 ￥0.3988
2500+
￥0.33573 ￥0.3534
4000+
￥0.31426 ￥0.3308

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型号：AT24C128-HXY 编号：C18198381

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C128是一款128K位的2线串行读/写非易失性存储器，适用于低功耗和低电压应用。支持最多8个设备连接到同一2线总线上。

1+
￥1.07216 ￥1.3402
10+
￥0.87096 ￥1.0887
30+
￥0.78472 ￥0.9809
100+
￥0.67712 ￥0.8464
500+
￥0.6292 ￥0.7865
1000+
￥0.60048 ￥0.7506

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型号：BR24G08F-3GTE2 编号：C509764

封装：SOP-8-4.4mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G08 - 3 是一款采用 I2C 总线接口的 8Kbit 串行 EEPROM。

数据手册

5+
￥1.1298
50+
￥0.8757
150+
￥0.7669
500+
￥0.6311
2500+
￥0.5706
5000+
￥0.5343

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型号：HX25Q16DRG 编号：C22439610

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

16M BIT SPI NOR FLASH

5+
￥1.1432
50+
￥0.9013
150+
￥0.7976
500+
￥0.6682

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型号：HT1307BRMZ 编号：C50338903

封装：MSOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

低功耗，512位静态CMOS RAM，按64字×8位组织。内置32,768 Hz振荡器（由外部晶体控制），RAM的前8字节用于时钟/日历功能，并以二进制编码十进制（BCD）格式配置。地址和数据通过两线双向总线串行传输。内置地址寄存器在每次写入或读取数据字节后自动递增。时钟具有内置电源检测电路，可检测电源故障，并在电源故障时自动切换到电池供电。维持RAM和时钟操作所需的能量可由小型锂硬币电池提供。使用50mAh、3V锂电池时，典型数据保留时间超过10年。

5+
￥1.5558
50+
￥1.2282
150+
￥1.0878
500+
￥0.9127

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型号：M24C16-WDW6TP 编号：C283442

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.5747
50+
￥1.2207
150+
￥1.0689
500+
￥0.8796
2500+
￥0.7953
4000+
￥0.7447

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型号：ZD25WQ16CTIGT 编号：C5353550

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,16Mbit,1.65~3.6V,SOP-8-150mil，Tape&Reel

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5+
￥1.5853
50+
￥1.2571
200+
￥1.1164
500+
￥0.9409
2500+
￥0.8628
5000+
￥0.8159

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型号：AT24C02D-XHM-T 编号：C125973

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

5+
￥1.5916
50+
￥1.2556
150+
￥1.1116
500+
￥0.9319
2500+
￥0.8519

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型号：AT24C256CDGKRG 编号：C19723713

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C256C是一款256 Kbit的I²C兼容串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最大传输速率为1MHz。工作温度范围为-40°C至+105°C

5+
￥1.6812
50+
￥1.3032
150+
￥1.1412
500+
￥0.9391
3000+
￥0.8491
6000+
￥0.795

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型号：AT93C66B-SSHM-T 编号：C30841

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/66B 提供 2048/4096 位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），当 ORG 引脚连接到 V(CC) 时，其组织形式为 128/256 个 16 位字；当 ORG 引脚接地时，则为 256/512 个 8 位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。AT93C56B/66B 提供节省空间的 8 引脚 JEDEC SOIC、8 引脚 TSSOP、8 焊盘 UDFN、8 焊盘 XDFN 和 8 球 VFBGA 封装

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