BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8-208mil

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音……（原文“voi”后内容不完整）

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型号：23K256T-I/SN 编号：C136317

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T-I/SN 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚SOIC封装。

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型号：AT25M01-SSHM-T 编号：C117499

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25M01提供1,048,576位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。AT25M01通过片选引脚（CS(overline)）使能，并通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问

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型号：DS24B33S+T&R 编号：C117539

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

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型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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型号：MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 编号：C97456

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构:页面大小：x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备大小：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能:随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

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型号：AT45DB641E-SHN-T 编号：C2060948

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB641E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB641E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其69,206,016位的存储器被组织为32,768页，每页256字节或264字节

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型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI 编号：C883296

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：W9425G6KH-5 编号：C62381

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：2.5V±0.2V

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型号：MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2891523

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

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￥30.79
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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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￥31.25
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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C500274

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MT25QL256ABA8ESF-0SIT TR 编号：C2653526

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，包括STR和DTR

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型号：FM25V20A-GTR 编号：C466857

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口，最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

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￥53.69
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￥45.91
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￥37.2

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型号：MT25QL512ABB8ESF-0SIT 编号：C1350089

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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型号：MKDV16GCL-STP 编号：C19192127

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥80.8925 ￥85.15
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￥77.064 ￥81.12
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型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI 编号：C57407

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥95.17
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￥82.57
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￥72.47
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￥66.03

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型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。