BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24CM02-SSHM-T 编号：C779670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8（2 Mbit）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

数据手册

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￥19.83
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￥16.97
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￥15.18
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￥12.28
500+
￥11.45
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￥11.09

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型号：HG24C256MT/TR 编号：C53200143

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

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￥1.9149
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￥1.5117
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￥1.3389
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￥1.1233
2500+
￥1.0273

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型号：FM24C512D-TS-T-G 编号：C192125

封装：TSSOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C512D提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65,536个8位字，带有128位UID和128字节安全区。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一个公共两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。

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￥2.2119
50+
￥1.7376
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￥1.5343
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￥1.2807
2500+
￥1.1678

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型号：AT93C56B-SSHM-T 编号：C111441

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/66B提供2048/4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当ORG引脚连接到V(CC)时，其组织形式为128/256个16位字；当ORG引脚接地时，为256/512个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C56B/66B提供节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN和8球VFBGA封装

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￥2.3947
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￥1.8562
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￥1.6255
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￥1.3376
2500+
￥1.2094

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型号：M95080-WMN6TP 编号：C41469

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

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￥2.5514
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￥2.0236
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￥1.7975
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￥1.5153

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型号：CAT24C128YI-GT3 编号：C238978

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 Kb的串行EEPROM，采用I²C接口，内部组织为16384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

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￥2.63
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￥2.09
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￥1.87
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￥1.58
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￥1.45
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￥1.38

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型号：P24CM01B--SSH-MIR 编号：C5263817

封装：-

品牌：PUYA(普冉)

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￥3.49
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￥2.76
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￥2.45
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￥2.06
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￥1.8
1000+
￥1.69

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型号：M24256-BFMC6TG 编号：C283431

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

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￥3.97
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￥3.16
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￥2.81
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￥2.38
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￥2.19
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￥2.07

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型号：M95640-DRDW8TP/K 编号：C2971645

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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￥4.34
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￥3.49
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￥3.06
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￥2.64
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￥2.27
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型号：MX25R1635FZUIL0 编号：C152595

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

16Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 2,097,152 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 4,194,304 位 x 4 或 8,388,608 位 x 2。具有串行外设接口。

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￥6.24
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￥5.21
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￥4.7
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￥4.19
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￥3.82
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￥3.66

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型号：24LC512-I/SN 编号：C455433

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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￥8.51
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￥7.36
30+
￥6.72
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￥6.01
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￥5.69

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型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

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￥9.09
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￥8.28
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￥7.76
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￥7.24
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￥7
1000+
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型号：AT24C256C-MAHL-T 编号：C2063074

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压运行:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I2C 兼容 (2 线) 串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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￥9.17
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￥7.54
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￥6.65
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￥5.63
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￥5.19

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型号：24CW1280T-I/OT 编号：C2061808

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

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1+
￥10.03
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￥8.44
30+
￥7.56
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￥6.31
500+
￥5.87
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型号：25LC512T-I/SN 编号：C31769

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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￥10.51
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￥8.87
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￥7.85
100+
￥6.8
500+
￥6.32
1000+
￥6.12

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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￥12.22
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￥11.21
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￥10.59
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￥9.94
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￥9.65
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￥9.52

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型号：SST26VF064B-104I/SM 编号：C638561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路I/O（SQI）系列闪存器件采用六线4位I/O接口，能在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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1+
￥14.7
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￥12.38
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￥10.92

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型号：PM004MNIATR 编号：C5444277

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

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1+
￥19.08
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￥16.22
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￥14.43
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￥12.12
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￥11.29
1000+
￥10.93

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型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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1+
￥20.97
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￥17.95
30+
￥16.07
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￥14.14
500+
￥13.27

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型号：W25Q64JVZPIQ 编号：C54407715

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥21.19
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￥18.19
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￥16.41
100+
￥14.6
570+
￥13.77
1140+
￥13.4

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型号：APS6404L-3SQR-SN 编号：C5333729

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

数据手册

1+
￥21.49
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￥18.85
30+
￥17.21
100+
￥15.52
500+
￥14.76

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型号：W25Q128JVFIQ TR 编号：C2456298

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

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5+
￥22.16
50+
￥19.63
150+
￥18.05
1000+
￥15.55
2000+
￥14.82
5000+
￥14.5

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型号：24LC1025T-E/SN 编号：C2061812

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1025是一款128K x 8位的I2C串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，具有100,000次擦写寿命，数据保持时间为200年。该器件支持1 MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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1+
￥22.66
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￥19.45
30+
￥17.54
100+
￥15.6
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￥14.71
1000+
￥14.31

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型号：W25Q64JWBYIQ 编号：C2691929

封装：WLCSP-12

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥23.29
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￥21.32
30+
￥20.09
100+
￥18.82
500+
￥18.25
1000+
￥18

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型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥29.02
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￥25.02
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￥22.64
100+
￥20.24

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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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1+
￥30.02
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￥26.45
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￥24.32
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￥20.94
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￥19.95
1000+
￥19.5

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

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