BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：M93C66-WDW6TP 编号：C500648

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

数据手册

5+
￥1.6347
50+
￥1.272
150+
￥1.1165
500+
￥0.9226
2500+
￥0.8363

有货

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型号：CAT25160VI-GT3 编号：C512876

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

1+
￥1.75
10+
￥1.52
30+
￥1.42
100+
￥1.29
500+
￥1.23
1000+
￥1.2

有货

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型号：AT24C256M/TR 编号：C434513

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C256系列是262,144位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它们被组织为32,768个8位字（一个字节）。这些设备采用专有的先进CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP和8引脚UDFN封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的Vcc范围（1.8V至5.5V）设备支持广泛的应用。

数据手册

5+
￥1.8221
50+
￥1.4441
150+
￥1.2821
500+
￥1.08
2500+
￥0.8866
5000+
￥0.8325

有货

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型号：24LC16BT-I/OT 编号：C2061286

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.003
50+
￥1.5981
150+
￥1.4246
500+
￥1.2081
3000+
￥1.1117
6000+
￥1.0539

有货

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型号：FM24C512D-SO-T-G 编号：C22470841

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

5+
￥2.0944
50+
￥1.6534
150+
￥1.4644
500+
￥1.2286
2500+
￥1.1236

有货

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型号：ZD24C512A-MAGMT 编号：C19725754

封装：DFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A是一个512K位的串行EEPROM，具有I2C兼容的双向数据传输协议，支持1 MHz的高速操作。该器件提供64K字节的EEPROM存储空间，分为512页，每页128字节。具有硬件数据保护功能，可防止误写入。

5+
￥2.4486
50+
￥1.9333
150+
￥1.7125
500+
￥1.4369
3000+
￥1.2243
6000+
￥1.1506

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型号：AT24C512CN 编号：C19193469

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)

1+
￥2.47
10+
￥1.94
50+
￥1.71
100+
￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.23

有货

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型号：GT20L16P1Y 编号：C126753

封装：SOT-23-6

品牌：GENITOP(高通)

GT20L16P1Y是一款16x16汉字点阵和16点外文点阵字库芯片，支持GB2312字符集，同时支持拉丁文、希腊、西里尔文、阿拉伯文、希伯来文、泰文。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.22
30+
￥1.96
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：M24128-DFMN6TP 编号：C5221742

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

128Kbit (16K x 8 bit) EEPROM，支持I2C协议，具有4百万次写周期寿命和200年数据保留时间。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

1+
￥2.96
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￥2.33
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￥2.07
100+
￥1.73
500+
￥1.58
1000+
￥1.49

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型号：AT25010B-SSHL-T 编号：C30499

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25010B/020B/040B 提供 1024/2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 128/256/512 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B 采用节省空间的 JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN 和 VFBGA 封装

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1+
￥3.19
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￥2.5
30+
￥2.2
100+
￥1.83
500+
￥1.67
1000+
￥1.57

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型号：AT24C512N 编号：C434600

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C512提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为65,536个8位字。该器件的可级联特性允许最多4个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

数据手册

1+
￥3.6
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￥2.87
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￥2.57
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￥2.21
500+
￥1.99
1000+
￥1.87

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型号：AT45DB041E-SHN-T 编号：C63570

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

数据手册

1+
￥3.66
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￥2.97
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￥2.68
100+
￥2.31
500+
￥1.93
1000+
￥1.83

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型号：M95040-DRDW8TP/K 编号：C2062181

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

数据手册

1+
￥3.68
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￥2.93
30+
￥2.62
100+
￥2.22
500+
￥2.04
1000+
￥1.94

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型号：AT25128B-SSHL-T 编号：C38927

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装

数据手册

1+
￥4.52
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￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.79
500+
￥2.54
1000+
￥2.4

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型号：GX2431Q 编号：C2763593

封装：QFN-16

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431Q是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

数据手册

1+
￥4.66
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￥3.75
30+
￥3.29
100+
￥2.84
500+
￥2.5
1000+
￥2.36

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型号：M95256-DRMN3TP/K 编号：C157455

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

1+
￥4.7
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￥3.74
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￥3.26
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￥2.78
500+
￥2.49
1000+
￥2.35

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型号：24LC64T-E/SN 编号：C615720

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

数据手册

1+
￥5.02
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￥4.56
30+
￥4.33
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￥4.1
500+
￥3.96
1000+
￥3.89

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型号：GD25LQ32EEIGR 编号：C2939873

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ32E（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

1+
￥6.35
10+
￥5.4
30+
￥4.93
100+
￥4.46
500+
￥2.63
1000+
￥2.49

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型号：AT24CM01-SSHD-T 编号：C36553

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥8.19
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￥6.79
30+
￥6.03
100+
￥4.83
500+
￥4.44

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型号：IS62C256AL-45ULI-TR 编号：C14323

封装：SOIC-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

数据手册

1+
￥12.51
10+
￥10.84
30+
￥9.92
100+
￥8.88
500+
￥7.92
1000+
￥7.71

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

1+
￥14.8105 ￥15.59
10+
￥12.521 ￥13.18
30+
￥11.0865 ￥11.67
100+
￥9.614 ￥10.12
500+
￥8.9585 ￥9.43
1000+
￥8.664 ￥9.12

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型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

1+
￥14.8865 ￥15.67
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￥12.597 ￥13.26
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￥11.1625 ￥11.75
100+
￥9.6995 ￥10.21
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￥9.0345 ￥9.51
1000+
￥8.7495 ￥9.21

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型号：MX25L25645GMI-08G 编号：C526821

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

数据手册

1+
￥20.59
10+
￥17.73
30+
￥15.94
100+
￥11.85
500+
￥11.02
1000+
￥10.66

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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

1+
￥21.85
10+
￥19.67
30+
￥18.3
100+
￥9.65
500+
￥9.02

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型号：W25Q256JVEIQ 编号：C2682312

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥22.31
10+
￥19.6
30+
￥17.9
100+
￥14.63

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型号：EPCS4SI8N 编号：C569019

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

若要使用基于SRAM的器件配置系统，每次给器件上电时，都必须加载配置数据。EPCS器件是一种闪存器件，可存储用于在FPGA上电后进行配置的数据。您可以在所有支持AS x1配置方案的FPGA上使用EPCS器件

数据手册

1+
￥23.57
10+
￥20.54
30+
￥18.74
100+
￥16.83
500+
￥15.99

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥31.14
10+
￥26.79
30+
￥24.21
100+
￥20.45
500+
￥19.25
1000+
￥18.71

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型号：GD25B512MEYIGR 编号：C2974186

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25B512ME（512M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持四路SPI和双数据速率（DTR）模式：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和RESET#。四路I/O和四路输出数据的传输速率为532Mbit/s，DTR四路I/O数据的传输速率为720Mbit/s。

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