BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC128T-I/SN 编号：C99368

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA128/24LC128/24FC128（24××128*）是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥3.66
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型号：24LC64-I/SN 编号：C511260

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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￥2.2493
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型号：AT24C04D-STUM-T 编号：C2061208

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥3.36
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型号：M95512-WMN6TP 编号：C7567

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥3.41
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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：W25X20CLUXIG-TR 编号：C164121

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

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型号：GD25Q64ESIG 编号：C2685734

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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型号：CAT25512HU5I-GT3 编号：C463684

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb串行EEPROM SPI器件，内部结构为64Kx8位。它具备128字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS）(overline)输入使能

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型号：M95M01-RMN6TP 编号：C111166

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥7.22
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型号：W25Q64JVSSIM 编号：C5362615

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：25LC512T-I/SN 编号：C31769

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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￥10.55
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￥8.91
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型号：W25Q128JVFIQ 编号：C111478

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥13.98
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型号：W25Q128FVSIG 编号：C571265

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该器件在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，工作电流低至 4mA，掉电电流低至 1μA。

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￥17.02
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型号：AT24CM02-SSHM-T 编号：C779670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8（2 Mbit）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

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￥19.83
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型号：DS28EC20+ 编号：C722465

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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￥27.06
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￥23.15
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￥20.82
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型号：IS62WV51216EBLL-45TLI 编号：C1348903

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 512K 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥34.29
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￥26.12
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￥22.23
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型号：MKDV4GIL-AST 编号：C26159626

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV4GIL-AS的升级款，4Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV4GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C10；IOPS R/W 1633/90；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

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￥35.76
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￥28.04
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￥25.59

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型号：W989D6DBGX6I 编号：C2641243

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。以完全同步模式运行，输出数据与系统时钟的正边沿同步，能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。

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￥40.2
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￥39.35
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型号：IS62WV51216BLL-55TLI-TR 编号：C2064581

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥45.05
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￥38.78
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￥33.51
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￥29.74
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￥28
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￥27.22

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型号：W25Q512JVFIQ 编号：C2962011

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

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￥45.47
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￥40.57
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￥35.51
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￥33

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型号：MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR 编号：C2062650

封装：W-PDFN-8-EP(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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1+
￥51.2
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￥45.16
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￥41.48
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￥38.39

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型号：EPCQ16ASI8N 编号：C467192

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

FPGA-配置存储器

数据手册

1+
￥56.16
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￥49.02
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￥44.67
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￥41.02

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型号：SDINBDG4-8G-XI1 编号：C577445

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

数据手册

1+
￥164.37
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￥157.91
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￥138.02
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￥128.25

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型号：H9HCNNNBKUMLXR-NEE 编号：C21912322

封装：FBGA-200(10x15)

品牌：HYNIX(海力士)

LPDDR4 - SDRAM是一种高速同步DRAM器件，内部配置有1个或2个通道。单通道由8个存储体组成，每通道密度为1 Gb至16 Gb。双通道由8个存储体组成，每通道密度为2 Gb至32 Gb

1+
￥369.93
30+
￥358.61

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型号：K4UBE3D4AB-MGCL 编号：C5827966

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥569.73
30+
￥542.96

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型号：AT24C02D-SSHM-T 编号：C22452050

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

10+
￥0.3493
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￥0.2773
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￥0.2413
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型号：HX24LC08BDBVRG 编号：C2987267

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

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5+
￥0.3939
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￥0.3419
150+
￥0.3159
500+
￥0.2964
3000+
￥0.2808
6000+
￥0.273

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型号：24C16S(XBLW) 编号：C41408503

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16,384位的串行EEPROM，组织为2,048个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供多种封装选项，包括8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN、6引脚DFN和5引脚SOT-23。标准2线串行接口用于所有读写功能。