BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W66DP2RQQAGJ 编号：C46681826

封装：TFBGA-200(10x14.5)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥146.6
30+
￥140

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型号：AT24CM01-SSHM-T 编号：C68393

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥7.38
10+
￥6.08
30+
￥5.37
100+
￥4.34
500+
￥3.98
1000+
￥3.82

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型号：MB85RC64VPNF-G-JNERE1 编号：C8740

封装：SOIC-8-150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V

数据手册

1+
￥8.33
10+
￥6.94
30+
￥6.18
100+
￥5.32
500+
￥4.94
1500+
￥4.77

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2895586

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥9.56
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￥8.32
30+
￥7.7
90+
￥6.86
540+
￥6.49
990+
￥6.3

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型号：W25Q128JVSIM 编号：C2613930

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥12.07
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￥10.37
30+
￥9.3
90+
￥8.21
540+
￥7.72
990+
￥7.5

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型号：SST26VF064B-104I/SM 编号：C638561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路I/O（SQI）系列闪存器件采用六线4位I/O接口，能在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

数据手册

1+
￥14.97
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￥12.58
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￥11.09
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￥9.56
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1000+
￥8.57

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型号：W9864G6KH-6I 编号：C503937

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用，W9864G6KH 被分为以下速度等级：-5、-6、-6l 和 -7。-5 等级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 等级部件可运行至 143MHz/CL3，trp=18ns。

1+
￥18.72
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￥18.52
30+
￥18.38
108+
￥18

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型号：CSNP1GCR01-AOW 编号：C2838632

封装：LGA-8(6x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代1Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.5~10万次擦写寿命,高可靠性,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

数据手册

1+
￥22.33
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￥18.98
30+
￥16.99
100+
￥14.98
480+
￥14.05
960+
￥13.63

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型号：IS61WV25616BLL-10TLI 编号：C53825

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥25.15
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￥21.53
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￥19.38
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￥16.31
500+
￥15.3
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￥14.85

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型号：ZDSD04GLGEAG 编号：C2875854

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥27.77
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￥23.67
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￥21.24
100+
￥18.69
480+
￥17.55
960+
￥17.04

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型号：MT25QL128ABA1ESE-0SIT 编号：C41359590

封装：SOP-8-208mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议

1+
￥32.47
10+
￥27.63
30+
￥24.68
100+
￥22.21

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型号：FM25W256-GTR 编号：C23520

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写），151年的数据保持能力，无延迟写入，非常快的SPI接口（最高20 MHz），低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），以及工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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1+
￥56.04
10+
￥49.18
30+
￥45
100+
￥37.12

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型号：W664GG6RB-06 编号：C41866572

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥61.95
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￥53.96
30+
￥49.09
100+
￥45

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型号：SDINBDG4-16G 编号：C2830396

封装：BGA-153(11.5x13)

品牌：SANDISK(闪迪)

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1+
￥165.85
10+
￥160.33
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￥145.87
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￥137.52

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型号：MT40A512M16LY-062E:E 编号：C1352320

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

1+
￥200.61
30+
￥181.2

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型号：24C04BN(XBLW) 编号：C18723543

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C04是一款4096位的串行EEPROM，组织为512个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。

10+
￥0.172045 ￥0.1811
100+
￥0.158745 ￥0.1671
300+
￥0.152095 ￥0.1601
1000+
￥0.14706 ￥0.1548
4000+
￥0.14307 ￥0.1506
8000+
￥0.141075 ￥0.1485

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型号：HG24C32MM/TR 编号：C5310845

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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5+
￥0.7126
50+
￥0.551
150+
￥0.4701
500+
￥0.4095
3000+
￥0.3947
6000+
￥0.3705

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型号：M24C32-WMN6TP 编号：C7998

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7973
50+
￥0.6388
150+
￥0.5596
500+
￥0.5002
2500+
￥0.3938
5000+
￥0.37

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型号：FM24C64D-SO-T-G 编号：C192126

封装：SO-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C64D提供65,536位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字，带有128位唯一ID和32字节安全区域。该设备支持最多8个设备共享一个2线总线，适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

数据手册

5+
￥0.9956
50+
￥0.777
150+
￥0.6677
500+
￥0.5857
2500+
￥0.5201
4000+
￥0.4873

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型号：M24C02-FMH6TG 编号：C222197

封装：UFDFPN-5(1.4x1.7)

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.2407
50+
￥0.9617
150+
￥0.8422
500+
￥0.693
2500+
￥0.6266

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型号：M93C66-WDW6TP 编号：C500648

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

数据手册

5+
￥1.6347
50+
￥1.272
150+
￥1.1165
500+
￥0.9226
2500+
￥0.8363

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型号：FM25Q64AI3-SOB-T-G 编号：C19626526

封装：SOP-8-208mil

品牌：FM(复旦微)

FM25Q64AI3是一款64M位（8MB）串行闪存，具备先进的写保护机制。FM25Q64AI3支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路I/O。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP），以及存储语音、文本和数据

1+
￥2.49
10+
￥1.96
30+
￥1.73
100+
￥1.45
500+
￥1.32
1000+
￥1.25

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型号：M95640-RMC6TG 编号：C2061380

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

1+
￥2.5047 ￥2.53
10+
￥1.9847 ￥2.23
30+
￥1.6432 ￥2.08
100+
￥1.5247 ￥1.93
500+
￥1.4536 ￥1.84
1000+
￥1.422 ￥1.8

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型号：24LC08BT-I/OT 编号：C89050

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款8K位电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备由四个256×8位存储器块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达16字节数据的页写入能力。

数据手册

5+
￥2.7466
50+
￥2.1595
150+
￥1.9079
500+
￥1.4586
3000+
￥1.3188

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型号：GD25Q40ETIGR 编号：C2928893

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.33
30+
￥2.1
100+
￥1.82
500+
￥1.7
1000+
￥1.63

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型号：W25Q80DVSNIG 编号：C115408

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。工作电压为 2.7V 至 3.6V 或 2.3V 至 3.6V,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 4,096 个可编程页面组成,每页 256 字节,每次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页(4KB 扇区擦除)、128 页(32KB 块擦除)、256 页(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。小的 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性

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