BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W29N02KVSIAF 编号：C2940193

封装：TSOPI-48

品牌：Winbond(华邦)

W29N02KV是一款2Gbit、3.3V供电的NAND Flash存储器，适用于低功耗和高可靠性的应用。支持标准NAND命令集，提供多种封装选项，包括48-pin TSOP1、48-ball VFBGA和63-ball VFBGA。

数据手册

1+
￥51.8
10+
￥46.88
30+
￥43.95
96+
￥40.99
480+
￥39.62
768+
￥39

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型号：DS28E05R+T 编号：C2064942

封装：SOT-23-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-WireEEPROM、利用高效的单触点操作，为传感器和附件提供低成本的认证或校准

数据手册

1+
￥8.12
10+
￥6.79
30+
￥6.07
100+
￥5.24
500+
￥4.4
1000+
￥4.24

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型号：DS28E07P+T 编号：C2063921

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

数据手册

1+
￥11.12
10+
￥9.42
30+
￥8.36
100+
￥7.26
500+
￥6.77
1000+
￥6.56

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型号：DS28E01P-100+T 编号：C143315

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1Kb、保护型1-WireEEPROM，带有SHA-1引擎、为外设和系统提供低成本世界级安全认证

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1+
￥11.76
10+
￥10.11
30+
￥9.08
100+
￥7.57

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型号：W25Q128JVEIQ 编号：C401662

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

1+
￥12.09
10+
￥10.56
30+
￥9.6
100+
￥8.62
480+
￥7.7
960+
￥7.5

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型号：IS42S16400J-6TLI 编号：C2897490

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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1+
￥15.4
10+
￥12.99
30+
￥11.49
100+
￥9.47
500+
￥8.77
1000+
￥8.47

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型号：ZDSD04GLGEAG 编号：C2875854

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥27.77
10+
￥23.67
30+
￥21.24
100+
￥18.69
480+
￥17.55
960+
￥17.04

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型号：MT25QL128ABA8ESF-0SIT 编号：C427722

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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1+
￥31.82
10+
￥27
30+
￥24.13
100+
￥21.22
500+
￥19.89
1000+
￥19.28

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型号：H5TQ4G63EFR-RDC 编号：C2803259

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样

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1+
￥41.84
10+
￥36.77
30+
￥33.69
100+
￥28.5

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型号：W25Q01JVZEIQ 编号：C5137036

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。

1+
￥85.7
10+
￥74.99
30+
￥68.47
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￥63

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型号：MKDN256GCL-ZA 编号：C2913169

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，采用LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商业级应用。Nano SD NAND 包含NAND闪存和高性能控制器，支持SD3.0接口，工作电压为3.3V。

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1+
￥137.4365 ￥144.67
10+
￥131.594 ￥138.52
30+
￥116.3085 ￥122.43
100+
￥107.4735 ￥113.13

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型号：MT40A1G16TB-062E:F 编号：C20561900

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

1+
￥814.6
30+
￥775.21

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型号：JSM24C02 编号：C2857178

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM24C02/04/08/16系列提供2048/4096/8192/16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256/512/1024/2048个8位字。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。

数据手册

10+
￥0.31008 ￥0.3876
100+
￥0.24576 ￥0.3072
300+
￥0.2136 ￥0.267
1000+
￥0.18944 ￥0.2368
4000+
￥0.15584 ￥0.1948
8000+
￥0.14616 ￥0.1827

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型号：24C32N(XBLW) 编号：C18723552

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

5+
￥0.4182
50+
￥0.3672
150+
￥0.3417
500+
￥0.3226
2000+
￥0.3073
4000+
￥0.2997

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型号：ZD24C16A-XGMT 编号：C5447092

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C16A提供16384位（2048字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为2048个8位字。

数据手册

5+
￥0.4437
50+
￥0.3465
150+
￥0.2979
500+
￥0.2615
2500+
￥0.2323
4000+
￥0.2177

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型号：M24C08-RMN6TP 编号：C141777

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥0.4514
50+
￥0.3506
150+
￥0.3002
500+
￥0.2624

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型号：ZD24C64A-SSGMB 编号：C2837682

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C64A是一款低电压I2C兼容串行EEPROM，内部组织为8,192 x 8 (64Kb)，支持100kHz至1MHz的时钟频率，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥0.478
50+
￥0.4221
200+
￥0.3749
500+
￥0.3539
2500+
￥0.3372
5000+
￥0.3288

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型号：FM24C02C-SO-T-G 编号：C189501

封装：SOIC-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C02C是一款低工作电压的2-Wire Serial EEPROM，具有2048位存储容量，组织为256个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用，特别是需要低功耗和低电压操作的场合。

数据手册

5+
￥0.5074
50+
￥0.397
150+
￥0.3418
500+
￥0.3004
2500+
￥0.2673
4000+
￥0.2507

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型号：AT24C08CM/TR 编号：C22396888

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C08M/TR升级替代料，建议试样，AT24C08C是一款8Kbit I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于-40°C至+105°C的工作温度范围。该设备具有硬件和软件写保护功能，提供16字节的可写锁定页和128位唯一ID。支持2线串行接口，传输速率可达1MHz。

5+
￥0.5565
50+
￥0.441
150+
￥0.3832
500+
￥0.3399
2500+
￥0.3052
5000+
￥0.2879

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型号：M24C04-WMN6TP 编号：C118280

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.6132
50+
￥0.4712
150+
￥0.4001
500+
￥0.3469
2500+
￥0.3043

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型号：AT24C128CDR140 编号：C51026304

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C128是一款提供128K比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为16384x8比特，内部分为256页，每页64字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，64-byte页写，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年。