EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：DS28E07+T 编号：C2063370

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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单价：
￥4.32 / 个

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型号：BR25G512FVT-3GE2 编号：C2061857

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR25G512-3是一款512Kbit的SPI接口串行EEPROM。它支持1.8V到5.5V的单电源供电，适用于电池供电应用。该芯片具有页写模式，最高时钟频率可达10MHz，数据保留时间超过100年，写周期寿命超过100万次。

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￥4.49
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￥1.74
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￥1.68
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型号：BR24L32FVT-WE2 编号：C2061457

封装：TSSOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24L32FVT-WE2是一款32Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有高达1,000,000次的写周期寿命，数据保持时间为40年。该芯片适用于电池供电设备，具有低功耗和高可靠性。

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￥5.25
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￥2.03
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型号：BR24G64FV-3AGTE2 编号：C6135257

封装：LSSOP-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G64FV-3AGTE2是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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￥5.56
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￥2.22
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型号：BR93G46-3A 编号：C19594832

封装：DIP-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR93G46-3A 是一款具有 3 线接口的 1Kbit 串行 EEPROM。它支持高达 3MHz 的时钟频率，写入时间为 5ms 最大值。该芯片支持 1.7V 到 5.5V 的工作电压，具有地址自动递增功能和写保护功能。

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￥6.84
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￥2.73
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￥2.6

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型号：DS28E07P+ 编号：C1349849

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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单价：
￥9.2448 / 个

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型号：BR25H128F-2ACE2 编号：C2061834

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H128-2AC是一款128Kbit SPI接口的串行EEPROM。它支持2.5V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+125°C，时钟频率最高可达10MHz，写周期时间为4ms。该芯片具有1,000,000次写周期寿命（在Ta≤85°C条件下），数据保留时间为100年（在Ta≤25°C条件下）。它还支持多种封装，包括TSSOP-B8、SOP8和SOP-J8，并通过了AEC-Q100认证。

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￥7.47
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￥2.89
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￥2.79
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型号：BR24S256FJ-WE2 编号：C2061522

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24S256FJ-WE2 是一款具有 I2C 接口的 256Kbit 串行 EEPROM。它支持 1.7V 至 5.5V 的单电源供电，适用于电池供电设备。该芯片支持高达 400kHz 的快速模式，并具有 1,000,000 次的写入寿命和 40 年的数据保持能力。

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￥9.03
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￥3.5
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型号：25LC040-I/P 编号：C613776

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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￥13.15
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￥5.09
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￥4.91
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￥4.82

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型号：25AA080/SN 编号：C615241

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的25AA080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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￥21.72
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￥8.41
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￥7.97

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型号：CY7C1061G18-15BV1XI 编号：C2948895

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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￥9.08
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￥3.39
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型号：71024S20TYG 编号：C1348816

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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￥9.45
207+
￥3.66
506+
￥3.53
989+
￥3.47

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型号：71024S20YG 编号：C1351795

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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￥3.53
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型号：BR25H128F-2LBH2 编号：C2062210

封装：SOP-8-4.4mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H128F-2LB是一款支持工业市场的长寿命支持的串行EEPROM，采用SPI接口方法。它具有高达10MHz的高速时钟操作，2.5V至5.5V的单电源操作，适合电池使用。该芯片支持页写模式，适用于工厂发货时的初始值写入。封装为SOP8，尺寸为5.00mm x 6.20mm x 1.71mm。低功耗，待机电流仅为0.1uA。支持100年的数据保留时间和超过1百万次的写周期寿命。

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￥10.66
250+
￥4.13
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￥3.98
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型号：W27C512-45Z 编号：C19311781

封装：PDIP-28

品牌：Winbond(华邦)

W27C512是一种高速、低功耗的电可擦除可编程只读存储器，提供电气芯片擦除功能。具有高速访问时间、低读取电流和编程/擦除电流，支持单5V供电。提供28针600mil DIP和32针330mil PLCC封装。

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￥15.86
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￥6.33
495+
￥6.12
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￥6.02

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型号：N25S818HAT21I 编号：C897836

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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1+
￥23.57
200+
￥9.12
500+
￥8.8
1000+
￥8.65

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型号：N25S818HAS21I 编号：C897678

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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￥23.57
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￥9.12
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￥8.8
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型号：W94AD6KBHX6I 编号：C17490410

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W94AD6KBHX6I是一款1Gb移动LPDDR SDRAM，支持低功耗模式和高性能读写操作。它具有166MHz的工作频率，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于工业级应用。该芯片支持多种突发长度和突发类型，以及自动预充电和部分阵列自刷新等功能。

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￥31.43
312+
￥12.54
624+
￥12.12
936+
￥11.92

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型号：CAT28C256NI15 编号：C7228132

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：onsemi(安森美)

CAT28C256是一款快速、低功耗的5V CMOS并行EEPROM，组织为32K x 8位。它需要简单的在系统编程接口。芯片上带有地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和Vcc电源上下电写保护。数据轮询和状态位信号指示自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28C256还具有硬件和软件写保护。

1+
￥36.32
200+
￥14.5
500+
￥14.01
1000+
￥13.77

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型号：CAT28LV65H13I25T 编号：C5591180

封装：TSOP-28

品牌：onsemi(安森美)

CAT28LV65是一款低电压、低功耗的CMOS并行EEPROM，组织为8K x 8位。它需要一个简单的接口进行在系统编程。芯片上的地址和数据锁存器、自定时写周期、自动清除和Vcc电源上下写保护消除了额外的定时和保护硬件。数据轮询、RDY/BUSY状态位和切换状态位信号自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28LV65还具有硬件和软件写保护。

1+
￥39.5
200+
￥15.76
500+
￥15.24
1000+
￥14.98

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型号：CAT28C256G-12T 编号：C19423043

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：onsemi(安森美)

CAT28C256是一款快速、低功耗的5V CMOS并行EEPROM，组织为32K x 8位。它需要简单的在系统编程接口。芯片上带有地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和Vcc电源上下电写保护。数据轮询和状态位信号指示自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28C256还具有硬件和软件写保护。

1+
￥41.44
200+
￥16.54
500+
￥15.99
1000+
￥15.71

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型号：S-24C02DI-M5T1U5 编号：C2061065

封装：SOT-23-5

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款低功耗、宽工作范围的2线串行EEPROM。该芯片具有2 K-bit的存储容量，支持1.7V到5.5V的工作电压范围，最高工作频率为1.0 MHz。

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3000+
￥6.2715
6000+
￥6.215
9000+
￥6.1585

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型号：S-24C08DI-K8T3U5 编号：C2061244

封装：TMSOP-8-2.8mm

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款低功耗、宽范围操作的2线串行EEPROM，具有8 K-bit的存储容量。该芯片支持1.7V到5.5V的工作电压，最高时钟频率为1.0 MHz，写入时间为5.0 ms。

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1+
￥1.0742
200+
￥0.4157
500+
￥0.4011
1000+
￥0.3939

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型号：S-93L66AR0I-J8T1U 编号：C2062079

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

S-93L66A是一款低电压操作的3线串行EEPROM，支持16位字长，具有256字×16位的存储容量。该芯片支持顺序读取，具有写保护功能，可在低电源电压下防止误写入。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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1+
￥1.3575
200+
￥0.5254
500+
￥0.5069
1000+
￥0.4978

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型号：S-24C16DI-K8T3U5 编号：C2062115

封装：TMSOP-8-2.8mm

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款低功耗、宽范围操作的2线串行EEPROM。它具有16 K-bit的存储容量，组织方式为2048字节×8位。该芯片支持1.7V到5.5V的工作电压，最大时钟频率为1.0 MHz（Vcc = 2.5 V到5.5 V）或400 kHz（Vcc = 1.7 V到5.5 V）。写入时间为5.0 ms，数据保持时间为100年。

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1+
￥1.6976
200+
￥0.657
500+
￥0.6339
1000+
￥0.6225

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型号：71024S15YG 编号：C1348958

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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1+
￥18.49
200+
￥7.16
500+
￥6.91
1000+
￥6.78

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型号：71024S12YG 编号：C1348944

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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1+
￥20.7
207+
￥8.02
506+
￥7.73
989+
￥7.59

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型号：71024S15YGI 编号：C1349073

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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1+
￥22.68
200+
￥8.78
500+
￥8.47
1000+
￥8.32

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型号：71024S20YGI 编号：C1349178

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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1+
￥24.65
207+
￥9.54
506+
￥9.21
989+
￥9.04

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型号：CY7C1049G30-10VXI 编号：C2954555

封装：BSOJ-36

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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￥26.18
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￥10.14
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