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封装：SOIC-8

的AT25320B/640B提供32,768/65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096/8,192个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25320B/640B采用节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8引脚UDFN、8引脚XDFN和8球VFBGA封装

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￥4.07
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￥3.32
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￥2.95
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￥2.58
500+
￥2.36
1000+
￥2.25

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型号：MT40A512M16LY-062E:E 编号：C1352320

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

1+
￥208.7
30+
￥189.29

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型号：24C02-HXY 编号：C7427344

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

24C02是一款低电压低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C到85°C。具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8 (2K)，标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1 MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V)兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

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￥0.2337 ￥0.246
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￥0.191045 ￥0.2011
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￥0.16967 ￥0.1786
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￥0.153615 ￥0.1617
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￥0.123975 ￥0.1305
8000+
￥0.117515 ￥0.1237

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型号：ZD24C08A-STGMT 编号：C2896640

封装：SOT-23-5

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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￥0.3468
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￥0.2734
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￥0.2366
3000+
￥0.2091
6000+
￥0.1871
9000+
￥0.176

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型号：BL24C02F-PARC 编号：C176653

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个字节，每个字节8位。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。

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10+
￥0.3616
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￥0.2913
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￥0.2561
2500+
￥0.2297
5000+
￥0.2086
10000+
￥0.198

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型号：24C64BN(XBLW) 编号：C18723547

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，使用标准2线串行接口进行所有读写操作。

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￥0.401185 ￥0.4223
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￥0.329555 ￥0.3469
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￥0.29374 ￥0.3092
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￥0.266855 ￥0.2809
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￥0.245385 ￥0.2583
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￥0.234555 ￥0.2469

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型号：AT24C32N 编号：C434601

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C32 / AT24C64提供32,768 / 65,536位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为4096 / 8192个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT24C32 / AT24C64采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP和8引脚MSOP封装，通过两线串行接口进行访问

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￥1.0104
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￥0.8005
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￥0.7032
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￥0.5818
2000+
￥0.5278
4000+
￥0.4954

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型号：AT24C02D-XHM-T 编号：C125973

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥1.504
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￥1.1865
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￥0.8806
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5000+
￥0.7596

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型号：M93C86-WMN6TP 编号：C111883

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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￥1.677
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￥1.3065
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￥1.1478
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￥0.9497
2500+
￥0.8615

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型号：AT24C02D-STUM-T 编号：C79996

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥1.9119
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￥1.4986
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￥1.3215
500+
￥1.1005
2500+
￥1.0021

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型号：AT24C256C-XHL-T 编号：C33035

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C256C提供262,144位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为32,768个8位字。该器件的级联功能允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

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￥2.55
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￥2.25
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￥2.1
100+
￥1.95
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￥1.86
1000+
￥1.82

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型号：AT24C512C-XHM-T 编号：C111546

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C512C 提供 524,288 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 65,536 个 8 位字。该器件的可级联特性允许最多八个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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1+
￥3.61
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￥2.92
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￥2.58
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￥2.24
500+
￥2.03
1000+
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型号：W25X05CLSNIG 编号：C2641187

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25X05CL（512K位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25x系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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￥4.39
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￥3.7
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￥3.41
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￥3.04
500+
￥2.88
1000+
￥2.78

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2895586

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

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1+
￥11.55
10+
￥10.34
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￥9.68
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￥8.66
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￥8.33
990+
￥8.18

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型号：W25Q128JVSIM 编号：C2613930

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥13.2
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￥11.5
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￥10.43
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￥9.34
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￥8.85
990+
￥8.63

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型号：SST26VF064B-104I/SM 编号：C638561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路I/O（SQI）系列闪存器件采用六线4位I/O接口，能在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥14.97
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￥12.58
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￥11.09
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￥9.56
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￥8.87
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￥8.57

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型号：MX25L25645GM2I-08G 编号：C190799

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

256-Mbit(256M x 1/128M x 2/64M x 4)，工作电压：3V

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￥17.64
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￥15.55
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￥14.07
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￥11.8
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￥11.18
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￥10.93

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型号：W9864G6KH-6I 编号：C503937

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用，W9864G6KH 被分为以下速度等级：-5、-6、-6l 和 -7。-5 等级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 等级部件可运行至 143MHz/CL3，trp=18ns。

1+
￥20.11
10+
￥19.91
30+
￥19.78
108+
￥19.4

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型号：CSNP1GCR01-AOW 编号：C2838632

封装：LGA-8(6x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代1Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.5~10万次擦写寿命,高可靠性,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

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1+
￥22.33
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￥18.98
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￥16.99
100+
￥14.98
480+
￥14.05
960+
￥13.63

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型号：IS61WV25616BLL-10TLI 编号：C53825

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

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1+
￥25.15
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￥21.53
30+
￥19.38
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￥16.31
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￥15.3
1000+
￥14.85

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型号：MT25QL128ABA1ESE-0SIT 编号：C41359590

封装：SOP-8-208mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议

1+
￥32.47
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￥27.63
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￥24.68
100+
￥22.21

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型号：W25N01GWZEIG 编号：C2940194

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥38.83
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￥35.89
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￥34.05
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￥31.8483 ￥32.17
480+
￥31.0068 ￥31.32
960+
￥30.6405 ￥30.95

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型号：H5TQ4G63EFR-RDC 编号：C2803259

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样

数据手册

1+
￥41.84
10+
￥36.77
30+
￥33.69
100+
￥28.5

有货

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型号：W634GU6QB-11 编号：C2943204

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥60.4
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￥55.37
30+
￥52.3
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￥49.2228 ￥49.72

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型号：SDINBDG4-8G-XI1 编号：C577445

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

数据手册

1+
￥164.37
10+
￥157.91
30+
￥138.02
100+
￥128.25

有货

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型号：FT24C02A-KSR-T 编号：C190120

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KxX是一款2K位的串行EEPROM，支持I2C接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。该设备具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256 x 8 (2K)。标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V) 兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

数据手册

10+
￥0.2878
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￥0.2254
300+
￥0.1942
2500+
￥0.1708
5000+
￥0.1521
10000+
￥0.1427

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型号：BL24C08F-RRRC 编号：C2763397

封装：TSOT-23-5L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C08F是一款8K位串行EEPROM，采用I2C接口，支持硬件数据保护，具有高可靠性和增强的ESD/闩锁保护。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40℃至+85℃。

数据手册

10+
￥0.4274
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￥0.3442
300+
￥0.3026
3000+
￥0.2628
6000+
￥0.2378
9000+
￥0.2253

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型号：HG24C32MM/TR 编号：C5310845

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

数据手册

5+
￥0.7126
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￥0.551
150+
￥0.4701
500+
￥0.4095
3000+
￥0.3947
6000+
￥0.3705

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型号：ZD25WQ80CEIGR 编号：C16197313

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,8Mbit，1.65V~3.6V,USON-8(2x3),Tape&Reel

5+
￥1.1899
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￥0.9382
150+
￥0.8304
500+
￥0.6958
3000+
￥0.6154
6000+
￥0.5794

有货

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型号：AT25020B-SSHL-T 编号：C2061419

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：兼容串行外设接口 (SPI)，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (Vcc = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 8字节页面模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 < 4000V。高可靠性: -耐久性：1000000次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

数据手册

5+
￥1.9513
50+
￥1.5831
150+
￥1.4253
500+
￥1.0754
2500+
￥0.9878
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