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THGAMRG8T13BAIL是一款容量为32GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGAMRG8T13BAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：FEMDME008G-A8A39 编号：C3249972

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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型号：IS43TR81024BL-125KBLI 编号：C1236873

封装：TWBGA-78(10x14)

IS43TR81024BL-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3L SDRAM，支持1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：FEMKNN004G-58A42 编号：C5117594

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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型号：AS4C256M16D3C-12BIN 编号：C1012885

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

品牌：Alliance Memory

4Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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型号：FEMDME004G-A8A39 编号：C3249971

封装：FBGA-153(11.5x13)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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型号：CY7C1480BV33-250BZI 编号：C914905

封装：FBGA-165

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。

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单价：
￥693.27 / 个

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型号：HYD1G16L3AE-B9A 编号：C19272577

封装：FBGA-96

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片的结构为 16Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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型号：THGBMJG6C1LBAIL 编号：C524518

封装：BGA-153

THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：THGBMHG6C1LBAIL 编号：C391257

封装：BGA-153

THGBMHG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装为多芯片模块。THGBMHG6C1LBAIL具备行业标准的MMC协议，使用方便

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型号：MX25L4006EM1I-12G 编号：C2931002

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。四个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO) 和芯片选择 (CS#)。通过 CS# 输入可启用对该设备的串行访问。当处于双输出读取模式时，SI 和 SO 引脚会发生变化。

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型号：MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126730

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RC1MT无需使用数据备份电池即可保留数据。

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型号：MB85RC256VPF-G-JNERE2 编号：C126728

封装：SOP-8-208mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RC256V是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC256V无需使用数据备份电池即可保留数据。

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型号：IS25LP064A-JMLE 编号：C1349157

封装：SOIC-16-300mil

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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型号：THGBMJG6C1LBAIL 编号：C41428411

封装：BGA-153

THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：IS61C1024AL-12JLI 编号：C412832

封装：SOJ-32

是非常高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态RAM。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CE1为高电平或CE2为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，通过使用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用两个芯片使能输入CE1和CE2，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。有32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP（I型，8x20）和32引脚sTSOP（I型，8x13.4）封装。

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型号：IS42S32400F-6TL 编号：C413752

封装：TSOP-86-10.2mm

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

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型号：IS42S16160G-7TL-TR 编号：C17569592

封装：TSOP-54-10.2mm

IS42S16160G-7TL-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Pin TSOP II封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

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型号：THGBMJG8C2LBAIL 编号：C879826

封装：FBGA-153

THGBMJG8C2LBAIL 是一款容量为 32GB 的 e-MMC 模块产品，采用 153 球 BGA 封装。该产品采用先进的东芝 NAND 闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG8C2LBAIL 遵循行业标准 MMC 协议，使用方便

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型号：FEMDRM008G-58A39 编号：C719499

封装：FBGA-153

应用领域：耐用性消费类电子、车载后装、商显、TV、黑白家电。EMMC,工业EMMC，FORESEE, LONGSYS,工规EMMC，工规存储芯片，工业存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规EMMC、国产工业EMMC、江波龙、耐用性消费类电子、车载后装、商显、TV、黑白家电、工业级

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型号：BR24G01F-3GTE2 编号：C2061183

封装：SOIC-8-175mil

BR24G01F-3GTE2 是一款具有I2C接口的1Kbit EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，适用于电池供电设备。该芯片具有低功耗、防误写功能，支持高达1百万次的写入周期和超过40年的数据保留时间。

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型号：BR24G64F-3AGTE2 编号：C2061334

封装：SOP-8-4.4mm

BR24G64F-3AGTE2是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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型号：BR24G64FVT-3AGE2 编号：C2061275

封装：TSSOP-8

BR24G64FVT-3AGE2是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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型号：BR24G64NUX-3ATTR 编号：C2061070

封装：VSON-8-EP(2x3)

BR24G64NUX-3ATTR是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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型号：BR93H56RFJ-2CE2 编号：C2061400

封装：SOIC-8

BR93H56-2C是一款具有125°C工作温度范围的3线接口串行EEPROM。它支持2.5V到5.5V的单电源供电，具有自动地址递增功能，并且在写入时具有防误写功能。该芯片符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。

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型号：BR93G46F-3BGTE2 编号：C2061343

封装：SOP-8-4.4mm

BR93G46F-3BGTE2是一款1Kbit的3线接口串行EEPROM，支持1.7至5.5V的工作电压，具有高速读写功能，支持高达3MHz的时钟频率。该芯片具备40年的数据保留时间和超过1百万次的写周期寿命，适用于多种应用场景。

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型号：BR25G320FJ-3GE2 编号：C2061403

封装：SOIC-8

BR25G320FJ-3GE2 是一款32Kbit的SPI接口EEPROM，具有高达20MHz的时钟频率，支持1.6V至5.5V的单电源供电，适用于电池供电设备。该芯片支持页写模式，最多可写入32字节，具有自定时编程周期和低功耗特性。

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型号：BR24G64FVM-3AGTTR 编号：C2062442

封装：MSOP-8-2.8mm

BR24G64FVM-3AGTTR是一款64Kbit的I2C接口串行EEPROM，支持1.6V至5.5V的工作电压，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持高达100万次的写入周期，数据保持时间为40年。

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