EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

GD25Q16E（16M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.72
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￥2.4
100+
￥2.01
500+
￥1.84
1000+
￥1.73

有货

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型号：ZD24C512A-SSGMT 编号：C2896788

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

数据手册

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￥1.73664 ￥1.9296
50+
￥1.36485 ￥1.5165
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￥1.20546 ￥1.3394
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￥0.89415 ￥0.9935
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￥0.84105 ￥0.9345

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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥1.8753
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￥1.4665
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型号：ZD25WQ32CEIGR 编号：C5258281

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,32Mbit,1.65~3.6V,USON2x3x0.45mm，Tape&Reel

数据手册

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￥2.2682
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型号：AT24C512C-SSHM-T 编号：C54668

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C512C 提供 524,288 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 65,536 个 8 位字。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

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￥3.41
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型号：24LC512T-I/SN 编号：C52088

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24XX12）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

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￥5.55
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￥3.86
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￥3.29
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￥2.96
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￥2.78

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型号：AT45DB161E-SHD-T 编号：C64021

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

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￥9.08
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￥7.73
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￥6.98
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型号：W25Q64JVZEIQ 编号：C571262

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

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￥11.23
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￥9.39
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￥8.32
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型号：PM002MNIATR 编号：C7434471

封装：SOP8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

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￥13.77
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型号：W25Q128JVPIM TR 编号：C2441427

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

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￥14.15
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￥11.46
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￥9.91
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型号：FM25V02A-GTR 编号：C66029

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有高耐久性和低功耗特性。

数据手册

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￥19.88
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￥17.35
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￥15.77
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￥12.95
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￥12.22
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￥11.9

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

数据手册

1+
￥25.12
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￥23.19
30+
￥21.98
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￥20.08
540+
￥19.53
864+
￥19.28

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型号：XT26G01CWSIGA 编号：C2833378

封装：WSON-8(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G01C是一款1G-bit SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。该存储器具有高级写保护机制，适用于高可靠性应用。它支持单级单元(SLC)技术，页编程时间为450μs，块擦除时间为4ms，读取速度高达104MHz。

数据手册

1+
￥33.54
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￥29.53
30+
￥27.15
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￥23.56
480+
￥22.45
960+
￥21.95

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型号：GD5F1GQ5UEYIGR 编号：C2829047

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGR是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双线、四线SPI和DTR模式。它具有高级安全特性，包括8K字节OTP区域和内部ECC。页面大小为2048字节+128字节，典型编程时间为400us，典型擦除时间为3ms。工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至85°C。

数据手册

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￥33.55
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￥27.14
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￥20.98
500+
￥19.86
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￥19.36

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型号：FM25V10-GTR 编号：C44173

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，适用于需要频繁写入的应用。

数据手册

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￥36.92
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￥31.62
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￥26.33
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￥23.14
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￥21.67
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￥21

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型号：MT25QU512ABB1EW9-0SIT 编号：C2060949

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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￥79.21
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￥75.39
30+
￥68.78
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￥63

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型号：MKDN256GCL-ZA 编号：C2913169

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，采用LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商业级应用。Nano SD NAND 包含NAND闪存和高性能控制器，支持SD3.0接口，工作电压为3.3V。

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1+
￥162.925 ￥171.5
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￥148.6655 ￥156.49

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJ 编号：C2842431

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥440.44
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￥319.72

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型号：AT24C16 编号：C7507361

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款EEPROM元器件采用I2C接口，提供16Kbit存储容量，适应400kHz至1MHz的时钟频率。其工作电压范围为1.8V至5.5V，确保了良好的兼容性和稳定性。适用于多种设备，如通信设备、医疗设备，满足数据存储与管理的需求。

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￥0.4546
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￥0.3639
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￥0.3185
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￥0.2845
2500+
￥0.2363
4000+
￥0.2227

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型号：FM24C16D-SO-T-G 编号：C285241

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C16D是一款16K位2线串行EEPROM，具有128位唯一ID和16字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为40年。

数据手册

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￥0.6106
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￥0.4241
500+
￥0.3775
2500+
￥0.3402
4000+
￥0.3216

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型号：ZD24C512A-SSGMB 编号：C918274

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

数据手册

5+
￥1.64862 ￥1.8318
50+
￥1.28448 ￥1.4272
200+
￥1.12833 ￥1.2537
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￥0.93366 ￥1.0374
2500+
￥0.8469 ￥0.941
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￥0.79488 ￥0.8832

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型号：24LC01BT-I/OT 编号：C511269

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx01是1 Kbit电可擦除PROM。该器件被组织为一个128x8位的存储块，具有2线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

数据手册

5+
￥1.7648
50+
￥1.4064
150+
￥1.2527
500+
￥1.0611
3000+
￥0.9758
6000+
￥0.9245

有货

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.9331
50+
￥1.5063
150+
￥1.3233
500+
￥1.095
3000+
￥0.9462
6000+
￥0.8852

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型号：24AA02T-I/OT 编号：C478090

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.0128
50+
￥1.5642
150+
￥1.372
500+
￥1.1321
3000+
￥1.0253

有货

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型号：GD25Q80CTIGR 编号：C395464

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

C版本是8寸的晶元，65纳米的工艺

数据手册

1+
￥3.37
10+
￥2.66
30+
￥2.36
100+
￥1.98
500+
￥1.82
1000+
￥1.71

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型号：24AA02E48T-I/OT 编号：C38987

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该器件由两个128×8位存储器块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，I温度下的最大待机电流仅为1μA，E温度下为5μA，最大工作电流为1 mA。还具备最多八字节数据的页写能力（24AA025E48/24AA025E64为16字节）。有标准8引脚SOIC、5引脚SOT-23和6引脚SOT-23封装可供选择。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.8
30+
￥2.46
100+
￥2.11
500+
￥2.04
1000+
￥1.93

有货

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型号：W25X20CLUXIG-TR 编号：C164121

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

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