EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS49RL36160-093EBLI 编号：C1352938

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达1066MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

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型号：IS49RL18320-093EBLI 编号：C1352940

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达1066MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

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型号：S-585AABCCC-A8T5U4 编号：C19759944

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款带有温度传感器的2线串行EEPROM，支持SMBus和I2C协议，内置地址解析协议(ARP)功能。该芯片的工作电压范围为1.7V至3.6V，存储容量为4K位，分为2页，每页256字节，支持页面写入和顺序读取。温度传感器精度在0°C至+85°C范围内为±0.25°C，在-40°C至+125°C范围内为±1.5°C。

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型号：MT41K512M16HA-107:A 编号：C1137480

封装：FBGA-96(9x14)

品牌：Alliance Memory

MT41K512M16HA-107:A 是一款低功耗 DDR3L SDRAM，支持 64MB x 16 x 8 banks配置。它的工作电压为 1.35V (1.283-1.45V)，时钟频率为 1866MHz。该芯片支持多种命令和功能，包括自动预充电、突发写入和读取等。

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型号：AS4C512M16D3LC-12BCN 编号：C17377236

封装：FBGA-96(9x13)

品牌：Alliance Memory

8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为0°C至95°C，最大时钟频率为800MHz。

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型号：AS4C512M16D3LC-10BCN 编号：C20348759

封装：FBGA-96(9x13)

品牌：Alliance Memory

8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为0°C至95°C，最大时钟频率为933MHz。

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型号：AS4C512M16D3LC-10BIN 编号：C20348760

封装：FBGA-96(9x13)

品牌：Alliance Memory

8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为-40°C至95°C，最大时钟频率为933MHz。

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￥285.7
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型号：AS4C512M16D3LC-12BIN 编号：C17328922

封装：FBGA-96(9x13)

品牌：Alliance Memory

8Gb双数据速率DDR3L SDRAM，采用双4Gb x8位芯片封装，支持JEDEC标准，工作温度范围为-40°C至95°C，最大时钟频率为800MHz。

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￥335.88
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型号：MT41K512M16HA-125:A 编号：C1137481

封装：FBGA-96(9x14)

品牌：Alliance Memory

MT41K512M16HA-125:A 是一款低功耗 DDR3L SDRAM，支持 64MB x 16 x 8 banks配置。它的工作电压为 1.35V (1.283-1.45V)，时钟频率为 1600MHz。该芯片支持多种命令和功能，包括自动预充电、突发写入和读取等。

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型号：CY7C1482BV33-200BZI 编号：C2949523

封装：FBGA-165(15x17)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1482BV33是一款72-Mbit (4M x 18)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持200MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。

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￥73.68
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型号：CY7C1480V33-167AXC 编号：C2949528

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1480V33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持167MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为100-pin TQFP(14 × 20 × 1.4 mm)。

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型号：NDL16PFJ-8KIT 编号：C20193941

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：NDL16PFJ-9MET TR 编号：C17691313

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：NDL16PFJ-9MET 编号：C17684394

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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￥62.35
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￥24.88
500+
￥24.05
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型号：NDL16PFJ-8KET 编号：C20193940

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：NDL16PFJ-9MIT TR 编号：C17535321

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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￥66.85
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￥26.68
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￥25.35

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型号：NDL16PFJ-9MIT 编号：C17616211

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：N64S818HAT21I 编号：C897838

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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型号：71024S12TYG 编号：C1348961

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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￥17.47
207+
￥6.76
506+
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989+
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型号：IS42S32200L-7BL-TR 编号：C2063689

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

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￥27
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￥10.45
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￥10.08
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￥9.9

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型号：IS42S32200L-6BL-TR 编号：C2063641

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

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型号：W987D6HBGX6I TR 编号：C17672257

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W987D6HBGX6I TR 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 166MHz 时钟速率，1.8V 供电，适用于移动设备，如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。

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￥42
200+
￥16.76
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￥16.2
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￥15.93

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型号：W987D6HBGX6E TR 编号：C17616282

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W987D6HBGX6E TR 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 166MHz 时钟速率，1.8V 供电，适用于移动设备，如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。

1+
￥42
200+
￥16.76
500+
￥16.2
1000+
￥15.93

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型号：W987D2HBJX6I TR 编号：C17490328

封装：VFBGA-90(8x13)

品牌：Winbond(华邦)

W987D2HBJX6I TR 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 166MHz 时钟速率，1.8V 供电，适用于移动设备，如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。

1+
￥43.84
200+
￥17.5
500+
￥16.91
1000+
￥16.62

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型号：W987D6HBGX7E 编号：C17530161

封装：VFBGA-54(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W987D6HBGX7E 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 133MHz 时钟速率，1.8V 供电，适用于移动设备，如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。

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￥50.48
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型号：W634GU8QB-11 TR 编号：C17452588

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

1+
￥83.26
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￥33.22
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￥32.11
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￥31.57

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型号：W634GU8QB-11 编号：C17570090

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

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型号：W634GU8QB09I TR 编号：C17684209

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

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型号：W634GU8QB-09 TR 编号：C17215268

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

1+
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￥38.3
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￥37.02
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型号：W634GU8QB09I 编号：C17595481

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W634GU8QB 是一款 4Gbits 的 DDR3L SDRAM，组织为 67,108,864 字 × 8 组 × 8 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持八组内部存储库并发操作，8 位预取架构，支持 CAS 延迟 5, 6, 7, 8, 9, 10, 13 和 14。支持固定和可选的突发长度 8 (BL8) 和突发截断 4 (BC4) 模式。支持可编程的读突发顺序：交错或 nibble 顺序。支持双向、差分数据选通 (DQS 和 DQS#) 与数据一起传输/接收。支持读数据时与写数据时的选通 (DQS 和 DQS#) 对齐。支持差分时钟输入 (CK 和 CK#)。支持在每个正 CK 边沿进入命令，在数据和数据掩码参考双边缘的差分数据选通对 (双倍数据速率) 上执行读/写操作。支持可编程的附加延迟 (AL = 0, CL - 1 和 CL - 2)，以提高命令、地址和数据总线的效率。读延迟 (RL) 由 AL 和 CL 寄存器设置的总和控制。写延迟 (WL) 由 AL 和 CAS 写延迟 (CWL) 寄存器设置的总和控制。支持具有隔离功能的 DC-DC 芯片和栅极驱动器。支持 1K 字节页面大小。封装为 VFBGA 78 - (8x10.5 mm²，厚度为 1.0 mm)，使用无铅材料，符合 RoHS 标准。

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