EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSOP-54-10.2mm

W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用，W9864G6KH 被分为以下速度等级：-5、-6、-6l 和 -7。-5 等级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 等级部件可运行至 143MHz/CL3，trp=18ns。

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￥20.11
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￥19.91
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型号：M93C86-WMN6TP 编号：C111883

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

数据手册

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型号：AT25020B-SSHL-T 编号：C2061419

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：兼容串行外设接口 (SPI)，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (Vcc = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 8字节页面模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 < 4000V。高可靠性: -耐久性：1000000次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

数据手册

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￥1.9513
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型号：ZD24C512A-MAGMT 编号：C19725754

封装：DFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A是一个512K位的串行EEPROM，具有I2C兼容的双向数据传输协议，支持1 MHz的高速操作。该器件提供64K字节的EEPROM存储空间，分为512页，每页128字节。具有硬件数据保护功能，可防止误写入。

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型号：24LC08BT-I/OT 编号：C89050

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款8K位电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备由四个256×8位存储器块组成，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达16字节数据的页写入能力。

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型号：GD25Q40ETIGR 编号：C2928893

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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￥2.84
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型号：CAT25512VI-GT3 编号：C146783

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb的串行CMOS EEPROM器件，内部组织为64Kx8位。它具有128字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能

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￥3.63
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型号：24LC64T-I/OT 编号：C511267

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/ 24FC64 (24)xx64是一个64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个单块8Kx8位存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3 mA。

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型号：M24256-BFMC6TG 编号：C283431

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥3.76
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型号：W25X10CLSNIG-TR 编号：C164120

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25X10CL（1M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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￥3.9537
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型号：W25X05CLSNIG 编号：C2641187

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25X05CL（512K位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25x系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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型号：24AA025UIDT-I/OT 编号：C2061498

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02UID/24AA025UID（24AA02XUID*）是一款 2 Kbit 的电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该器件由两个 128×8 位的存储块组成，并配备两线串行接口。低电压设计允许其在低至 1 的电压下工作

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型号：24AA64FT-I/OT 编号：C2061144

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/24FC64F(24XX64F*)是一款64Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储体组织为单个8K×8位的存储块。低电压设计使其能够在低至1V的电压下工作

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型号：AT24CM01-SSHM-T 编号：C68393

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：DS28E01P-100+T 编号：C143315

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1Kb、保护型1-WireEEPROM，带有SHA-1引擎、为外设和系统提供低成本世界级安全认证

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型号：SST26VF064B-104I/SM 编号：C638561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路I/O（SQI）系列闪存器件采用六线4位I/O接口，能在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存器件的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：DS2431+ 编号：C143305

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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型号：MX25L25645GM2I-08G 编号：C190799

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

256-Mbit(256M x 1/128M x 2/64M x 4)，工作电压：3V

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型号：PM004MNIATR 编号：C5444277

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

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型号：MT25QL128ABA8ESF-0SIT 编号：C427722

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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￥31.82
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￥24.13
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￥21.22
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￥19.89
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￥19.28

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型号：MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2891523

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

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￥31.85
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￥27.77
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￥25.35
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￥19.41
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￥18.9

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型号：FM25W256-GTR 编号：C23520

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写），151年的数据保持能力，无延迟写入，非常快的SPI接口（最高20 MHz），低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），以及工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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