EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

预售商品

型号：TC58BVG2S0HTA00 编号：C17228640

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG2S0HTA00是一款单3.3V 4Gbit NAND闪存，支持自动擦除和编程操作，适用于需要高密度非易失性存储的应用场景。该芯片具有内部ECC逻辑，可以纠正每个528字节的数据中的8位错误。

1+
￥27.88
192+
￥11.13
480+
￥10.76
960+
￥10.57

订货

我要订货

预售商品

型号：MT46V16M16CY-5B IT:M TR 编号：C2063120

封装：FBGA-60(8x12.5)

品牌：micron(镁光)

MT46V16M16CY-5B IT:M TR 是一个 256Mb 的 DDR SDRAM，支持 x4, x8 和 x16 数据宽度。该芯片具有多种速度等级，包括 5ns 和 6ns 的时钟周期。它的工作电压为 2.5V ± 0.2V，支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）。

数据手册

1+
￥41.55
200+
￥16.08
500+
￥15.52
1000+
￥15.24

订货

我要订货

预售商品

型号：MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR 编号：C19735637

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb x8 NAND Flash Memory是一款单芯片封装的NAND Flash存储器，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C）。该存储器采用SLC技术，具有4320字节的页面大小，256KB + 14KB的块大小，以及2048个块/平面。支持ONFI 1.0协议，具有60,000次编程/擦除周期的耐久性和JESD47G标准的数据保留能力。

1+
￥57.66
200+
￥23.01
500+
￥22.24
1000+
￥21.86

订货

我要订货

预售商品

型号：W94AD6KBHX6I TR 编号：C17356790

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W94AD6KBHX6I TR是一款1Gb移动LPDDR SDRAM，支持低功耗模式和高性能读写操作。它具有200MHz的工作频率，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于工业级应用。该芯片支持多种突发长度和突发类型，以及自动预充电和部分阵列自刷新等功能。

1+
￥63.79
200+
￥25.46
500+
￥24.61
1000+
￥24.18

订货

我要订货

预售商品

型号：EDB8132B4PB-8D-F-R TR 编号：C2064715

封装：FBGA-168(12x12)

品牌：micron(镁光)

该嵌入式低功耗DDR2 SDRAM具有8Gb的存储容量，采用双芯片封装，支持400MHz的时钟频率。其核心电压为1.8V，I/O电压为1.2V，工作温度范围为-30°C至+85°C。

数据手册

1+
￥151.8
200+
￥58.75
500+
￥56.68
1000+
￥55.66

订货

我要订货

预售商品

型号：MT40A2G16SKL-062E:B TR 编号：C1857502

封装：FBGA-96(10.5x13)

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓封装。工作温度范围为 0°C 到 95°C。

数据手册

1+
￥387.7
200+
￥150.04
500+
￥144.77
1000+
￥142.16

订货

我要订货

预售商品

型号：NAND32GW3F4AN6E 编号：C19529408

封装：TSOP-48

品牌：micron(镁光)

NAND32GW3F4A是一款32Gbit（4 x 8Gbit）的单级单元（SLC）NAND闪存存储器，支持4224字节页面，双芯片使能，3V供电，多平面架构。适用于高密度存储应用。

1+
￥903.86
192+
￥360.65
480+
￥348.6
960+
￥342.64

订货

我要订货

预售商品

型号：S-24C128CI-J8T1U3 编号：C2061912

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

S-24C128C是一款128K位的I2C串行E2PROM，支持页写和顺序读功能。该芯片的工作电压范围为1.6V至5.5V，操作频率为400kHz，写周期时间为5.0ms，耐久性为100万次/字节，数据保留时间为100年。

数据手册

1+
￥2.8472
200+
￥1.1019
500+
￥1.0632
1000+
￥1.044

订货

我要订货

预售商品

型号：IS42S32400F-7TLI-TR 编号：C2064046

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

数据手册

1+
￥35.36
200+
￥13.69
500+
￥13.2
1500+
￥12.97

订货

我要订货

预售商品

型号：IS43TR16256BL-107MBL-TR 编号：C17204661

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

5+
￥74.532269
10+
￥70.391587
100+
￥60.729997
1000+
￥55.899202

我要订货

预售商品

型号：IS43TR16256BL-125KBL-TR 编号：C17216882

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-125KBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

1+
￥104.64
200+
￥41.75
500+
￥40.36
1500+
￥39.67

订货

我要订货

预售商品

型号：IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 编号：C17295876

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

1+
￥107.69
200+
￥42.97
500+
￥41.53
1500+
￥40.83

订货

我要订货

预售商品

型号：IS46TR16256B-125KBLA2-TR 编号：C17204660

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-125KBLA2-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1066 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

1+
￥116.04
200+
￥46.3
500+
￥44.75
1500+
￥43.99

订货

我要订货

预售商品

型号：IS46TR16256B-107MBLA2-TR 编号：C17296165

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-107MBLA2-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

1+
￥120.99
200+
￥48.28
500+
￥46.67
1500+
￥45.87

订货

我要订货

预售商品

型号：IS42S16160D-75ETLI 编号：C20491009

封装：TSOPII-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160D 是一款 256Mb 的 SDRAM，支持高速数据传输。该芯片具有全同步接口，所有信号都参考时钟的上升沿。内部配置为 4 个bank，每个bank为 4M x 16 x 4 bank。工作电压为 3.3V ± 0.3V，支持多种突发长度和可编程的 CAS 延迟。

1+
￥134.33
216+
￥53.6
540+
￥51.81
972+
￥50.93

订货

我要订货

预售商品

型号：MT49H8M36SJ-25:B TR 编号：C2062137

封装：FBGA-144(11x18.5)

品牌：micron(镁光)

Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

1+
￥157.08
200+
￥60.79
500+
￥58.66
1000+
￥57.6

订货

我要订货

预售商品

型号：MT49H8M36SJ-25E:B 编号：C2065622

封装：FBGA-144(11x18.5)

品牌：micron(镁光)

Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

1+
￥290.83
200+
￥112.55
500+
￥108.6
1000+
￥106.64

订货

我要订货

预售商品

型号：IS43TR81024B-125KBLI 编号：C1236872

封装：TWBGA-78(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR81024B-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

数据手册

1+
￥294.26
200+
￥113.88
500+
￥109.88
1000+
￥107.9

订货

我要订货

预售商品

型号：S-25C020A0I-J8T1U 编号：C2062487

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

S-25C020A是一款SPI接口的串行EEPROM，具有高工作速度、低电流消耗和宽工作范围。该芯片的存储容量为2 K-bit，支持页写和顺序读取。

数据手册

1+
￥3.91
200+
￥1.52
500+
￥1.46
1000+
￥1.44

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL36160-125EBL 编号：C1353414

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL36160-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

数据手册

1+
￥442.74
200+
￥171.34
500+
￥165.32
1000+
￥162.34

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL18320-125EBL 编号：C1353440

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL18320-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。

数据手册

1+
￥442.74
200+
￥171.34
500+
￥165.32
1000+
￥162.34

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL18320-107BL 编号：C1353410

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

数据手册

1+
￥443.72
200+
￥171.72
500+
￥165.68
1000+
￥162.7

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL36160-107BLI 编号：C1353418

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL36160-107BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

数据手册

1+
￥474.08
200+
￥183.47
500+
￥177.02
1000+
￥173.83

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL36160-125EBLI 编号：C1353082

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达800MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

数据手册

1+
￥474.08
200+
￥183.47
500+
￥177.02
1000+
￥173.83

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL18320-125EBLI 编号：C1353093

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达800MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

数据手册

1+
￥474.08
200+
￥183.47
500+
￥177.02
1000+
￥173.83

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL18320-107EBL 编号：C1353073

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

数据手册

1+
￥492.7
200+
￥190.67
500+
￥183.97
1000+
￥180.66

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL36160-107EBL 编号：C1353070

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

数据手册

1+
￥492.7
200+
￥190.67
500+
￥183.97
1000+
￥180.66

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL18320-093BLI 编号：C1353586

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL18320-093BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

数据手册

1+
￥526
200+
￥203.56
500+
￥196.4
1000+
￥192.87

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL18320-093EBL 编号：C1353581

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL18320-093EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。

数据手册

1+
￥546.57
200+
￥211.52
500+
￥204.08
1000+
￥200.41

订货

我要订货

预售商品

型号：IS49RL36160-093EBL 编号：C1353580

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL36160-093EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。

数据手册

1+
￥572.88
200+
￥221.7
500+
￥213.91
1000+
￥210.06

订货

我要订货

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示