DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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型号：24LC32AT-I/OT 编号：C616245

封装：SOT-23-5

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该器件被组织为一个4K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：W25Q80DVSNIG 编号：C115408

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。工作电压为 2.7V 至 3.6V 或 2.3V 至 3.6V,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 4,096 个可编程页面组成,每页 256 字节,每次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页(4KB 扇区擦除)、128 页(32KB 块擦除)、256 页(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。小的 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性

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型号：25LC1024-I/SM 编号：C40938

封装：SOIJ-8-5.28mm

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：NT5CC64M16GP-DI 编号：C428582

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体，或 8Mbit × 16 I/O × 8 存储体器件

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型号：FEMDRW064G-88A19 编号：C719927

封装：BGA-153

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装

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型号：F35SQB004G-WWT 编号：C47994714

封装：WSON-8(6x8)

是一款 4G 位（512Mx8 位）串行 NAND 闪存，在单 3.3V VCC 上运行。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#），支持高达 166 MHz 的 SPI 时钟频率。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、唯一 ID、一个参数页和 62 个 OTP 页。芯片内有一个 8 位 ECC 逻辑，默认启用，可通过命令禁用或启用。

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型号：BY25D80ASTIG(R) 编号：C383790

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

8M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)。双输出数据传输速度为 108Mbit/s。设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源供电。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID。

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型号：CAT25640HU4I-GT3 编号：C890377

封装：UDFN-8-EP(2x3)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

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￥24.59
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型号：FEMDRW032G-88A19 编号：C719926

封装：BGA-153

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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型号：HG24C128BM/TR 编号：C41415962

封装：SOP-8

该芯片是一款128Kbit EEPROM存储器，支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C。具备硬件写保护功能，ESD防护高达4KV，写周期寿命超过1百万次，数据保留时间超过100年。

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￥0.6878
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型号：FM25Q16A-SOB-T-G 编号：C358633

封装：SOP-8-208mil

品牌：FM(复旦微)

是 16M 位（2M 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI (XIP) 执行代码以及存储语音、文本和数据。可使用页面编程指令一次编程 1 到 256 字节。设计允许一次擦除单个扇区/块或执行全芯片擦除操作。可配置为在软件保护模式下保护部分内存。每个扇区或块可承受至少 100K 次编程/擦除周期。

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型号：25AA1024T-I/SM 编号：C2653525

封装：SOIJ-8-5.28mm

是一款1024 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。通信可以通过保持引脚（HOLD）暂停。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装，包括8引脚PDIP和SO/L，以及先进的8引脚DFN封装。所有设备都符合RoHS标准。

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型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

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￥23.67
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型号：P24C64C-UNH-MIR 编号：C2977256

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：PUYA(普冉)

P24C64C是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有8K x 8位的存储阵列，每页32字节。它支持1.7V到5.5V的供电电压，工作温度范围为-40℃至125℃，最大时钟频率为1MHz。该芯片具有低功耗CMOS技术，写保护功能，自定时写周期，高可靠性和长达100年的数据保留时间。

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5+
￥0.3727
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￥0.3641
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￥0.3583

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型号：HG24C128BN 编号：C41415961

封装：DIP-8

该芯片是一款128Kbit EEPROM存储器，支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C。具备硬件写保护功能，ESD防护高达4KV，写周期寿命超过1百万次，数据保留时间超过100年。

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￥0.8536
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￥0.7454
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￥0.6412
2500+
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5000+
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型号：AT24C128BN 编号：C41415959

封装：DIP-8

AT24C128B是一款独立的I2C兼容串行EEPROM芯片，总存储阵列密度为128Kbits，由256页组成，每页64字节。支持单字节写入和页写入操作，写入时间小于5ms。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

5+
￥0.8536
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￥0.7454
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￥0.6991
500+
￥0.6412
2500+
￥0.6155
5000+
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型号：24LC64-I/SN 编号：C511260

封装：SOIC-8

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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5+
￥2.7952
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￥2.3113
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￥2.104

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型号：AT24C128BM/TR 编号：C41415960

封装：SOP-8

AT24C128B是一款独立的I2C兼容串行EEPROM芯片，总存储阵列密度为128Kbits，由256页组成，每页64字节。支持单字节写入和页写入操作，写入时间小于5ms。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

5+
￥0.9739
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￥0.7647
150+
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500+
￥0.5632
2500+
￥0.5134
5000+
￥0.4835

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型号：BY25Q32ESTIG(T) 编号：C50172596

封装：SOP-8-150mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

1+
￥3.76
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￥3.07
30+
￥2.72
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￥2.38

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型号：CAT25256YI-GT3 编号：C233782

封装：TSSOP-8

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

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1+
￥5.89
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￥4.81
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￥4.27
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￥3.73
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￥2.87
1000+
￥2.71

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型号：24AA32AT-I/SN 编号：C2061215

封装：SOP-8

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个4K x 8位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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1+
￥8.368 ￥10.46
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￥6.104 ￥8.72
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￥4.662 ￥7.77
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￥4.014 ￥6.69
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￥3.726 ￥6.21
1000+
￥3.594 ￥5.99

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型号：BY25Q256FSSIG 编号：C22391877

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

特性：串行外围接口：标准SPI为SCLK、ICS、SI、SO、WP、/HOLD；双线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、WP、/HOLD；四线SPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3；QPI为SCLK、ICS、IO0、IO1、IO2、IO3；支持双倍传输速率读取；支持3或4字节寻址模式。数据读取：普通读（串行）时钟速率为55MHz；快速读（串行）在负载电容30pF情况下时钟速率为108MHz；双线I/O数据传输速率高达216Mbits/S；四线I/O和QPI数据传输速率高达432Mbits/S；双倍传输速率四线I/O数据传输速率高达432Mbits/s；允许XIP（本地执行）操作，连续读支持8/16/32/64字节回绕。数据编程：串行输入页编程一次最多支持256字节；支持编程暂停和恢复。数据擦除：支持块擦除（64/32KB）、扇区擦除（4KB）、整芯片擦除；支持擦除暂停和恢复。编程/擦除速度：页编程时间典型值为0.6ms；扇区擦除时间典型值为50ms；块擦除时间典型值为0.15/0.25s；整芯片擦除时间典型值为80s。灵活架构：4KB扇区；32/64KB块

1+
￥19.57
10+
￥16.76
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￥15.01
95+
￥13.21
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￥12.4
1045+
￥12.05

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型号：DS2432P+T&R 编号：C6146619

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2432 在单芯片中集成了 1024 位 EEPROM、一个 64 位密钥、一个 8 字节寄存器/控制页（最多包含 5 个用户读写字节）、一个 512 位 SHA - 1 引擎以及一个功能完备的 1 - Wire 接口。每个 DS2432 都有自己的 64 位 ROM 注册号，该号码由工厂激光烧录到芯片中，以确保提供唯一标识，实现绝对可追溯性。数据通过 1 - Wire 协议进行串行传输，该协议仅需一根数据线和一根接地线

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￥21.46
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￥18.41
30+
￥16.6
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￥14.77

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型号：CY7C1049DV33-10ZSXIT 编号：C3018881

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上，8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入

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￥57.06
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￥51.74
30+
￥50.15

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型号：CAT25080VI-GT3 编号：C890368

封装：SOIC-8

CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件，内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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￥4.13
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￥3.36
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￥2.98
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￥2.59

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型号：CAT25320YI-GT3 编号：C890376

封装：TSSOP-8