DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

是一款1024 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。通信可以通过保持引脚（HOLD）暂停。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装，包括8引脚PDIP和SO/L，以及先进的8引脚DFN封装。所有设备都符合RoHS标准。

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型号：25LC1024-I/SM 编号：C40938

封装：SOIJ-8-5.28mm

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：MX29LV640ETTI-70G 编号：C504703

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：25AA1024-I/SM 编号：C616138

封装：SOIJ-8-5.28mm

25AA1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除指令。这些指令在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：IS62WV102416EBLL-45BLI-TR 编号：C2064146

封装：VFBGA-48(6x8)

是低功耗、16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。

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型号：CY7C1061G30-10BVJXI 编号：C2950207

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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型号：CAT25040VI-GT3 编号：C890364

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25040 是一款 EEPROM 串行 4-Kb SPI 器件，内部组织为 512x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 技术大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25040 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

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型号：PM25LQ010B-SCE 编号：C411812

封装：SOIC-8

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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型号：CAT25080YI-GT3 编号：C154601

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件，内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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￥4.3524 ￥8.37
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型号：24AA32AT-I/SN 编号：C2061215

封装：SOP-8

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个4K x 8位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：MB85RS64TPNF-G-JNERE2 编号：C189810

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作，相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，也无需等待时间。

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￥8.37
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￥7
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￥6.25
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型号：DS28E07+ 编号：C1349914

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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型号：DS28E07Q+T 编号：C2062731

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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型号：MB85RC128APNF-G-JNERE1 编号：C126727

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，配置为 16,384 字 × 8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少 10¹² 次循环，在次数上明显优于闪存和 E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或 E²PROM 那样的轮询序列。

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型号：25LC512-I/SM 编号：C185540

封装：SOIJ-8-5.28mm

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：MB85RC1MTPNF-G-AMERE2 编号：C44996836

封装：SOP-8_150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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￥30.79
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￥26.25
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￥23.56
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￥20.83
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型号：IS43TR16256B-125KBLI 编号：C1349408

封装：TWBGA-96(9x13)

IS43TR16256B-125KBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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￥69.16
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￥60.76
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￥55.64
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型号：CY7C1480BV33-250BZI 编号：C914905

封装：FBGA-165

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。

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单价：
￥693.27 / 个

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型号：BY25D40ESOIG(R) 编号：C50176328

封装：TSSOP-8-173mil

是4M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据以108Mbit/s的速度传输。使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，支持JEDEC标准制造商和设备ID。

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￥0.7436
50+
￥0.5903
150+
￥0.5137

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型号：BY25Q32ESSIG(T) 编号：C50172543

封装：SOP-8-208mil

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

5+
￥0.9594
50+
￥0.9378
190+
￥0.9234

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型号：BY25Q32ESTIG(T) 编号：C50172596

封装：SOP-8-150mil

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
200+
￥0.8523

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型号：BY25Q32ESSIG (R) 编号：C49023663

封装：SOP-8-208mil

32M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP) 和 I/O3 (/HOLD)。双 I/O 数据传输速度为 216Mbits/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 432Mbits/s。该设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID 以及三个 1024 字节的安全寄存器。

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￥1.3335
50+
￥1.0563
150+
￥0.9375

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型号：AT24C02D-PUM-TUDI 编号：C22469375

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C02D-PUM-TUDI是一款2K位（256x8）的I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留时间。该芯片具有硬件写保护功能，支持8字节页写模式，适用于低功耗和低电压应用。

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￥1.783435 ￥1.8773
50+
￥1.400395 ￥1.4741
150+
￥1.236235 ￥1.3013
500+
￥1.031415 ￥1.0857
2500+
￥0.940215 ￥0.9897
5000+
￥0.8854 ￥0.932

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型号：CAV25160VE-GT3 编号：C463445

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 2048x8 位。它具有 32 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25160 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。

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1+
￥3.35
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￥3.0738 ￥3.27
30+
￥2.7048 ￥3.22
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￥2.6544 ￥3.16

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型号：M24512-DFMN6TP 编号：C222090

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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1+
￥5.14
10+
￥4.18
30+
￥3.7

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型号：IS25LP040E-JNLA3 编号：C6577425

封装：SOIC-8