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128Kbit SPI接口EEPROM

型号：BR25H128F-2ACE2 编号：C2061834

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H128-2AC是一款128Kbit SPI接口的串行EEPROM。它支持2.5V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+125°C，时钟频率最高可达10MHz，写周期时间为4ms。该芯片具有1,000,000次写周期寿命（在Ta≤85°C条件下），数据保留时间为100年（在Ta≤25°C条件下）。它还支持多种封装，包括TSSOP-B8、SOP8和SOP-J8，并通过了AEC-Q100认证。

数据手册

1+
￥7.47
200+
￥2.89
500+
￥2.79
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￥2.74

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256Kbit I²C接口串行EEPROM

型号：BR24S256FJ-WE2 编号：C2061522

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24S256FJ-WE2 是一款具有 I2C 接口的 256Kbit 串行 EEPROM。它支持 1.7V 至 5.5V 的单电源供电，适用于电池供电设备。该芯片支持高达 400kHz 的快速模式，并具有 1,000,000 次的写入寿命和 40 年的数据保持能力。

数据手册

1+
￥9.03
200+
￥3.5
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￥3.38
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￥3.32

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32Kbit I²C串行EEPROM，工业级温度范围，2.5V供电

型号：24LC32AT/SM 编号：C2062059

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC32A是一款32Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的供电范围，具有低功耗特性，适用于个人通讯和数据采集等应用。该器件具有页写功能，可写入最多32字节的数据。支持多种封装形式，包括8引脚PDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和芯片级封装。工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥11.18
200+
￥4.33
500+
￥4.18
1000+
￥4.1

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4KbitSPI串行EEPROM

型号：25LC040-I/P 编号：C613776

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

1+
￥13.15
200+
￥5.09
500+
￥4.91
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￥4.82

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高速低功耗电可擦除可编程只读存储器

型号：W27C512-45Z 编号：C19311781

封装：PDIP-28

品牌：Winbond(华邦)

W27C512是一种高速、低功耗的电可擦除可编程只读存储器，提供电气芯片擦除功能。具有高速访问时间、低读取电流和编程/擦除电流，支持单5V供电。提供28针600mil DIP和32针330mil PLCC封装。

1+
￥15.86
195+
￥6.33
495+
￥6.12
1005+
￥6.02

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8K SPI总线串行EEPROM

型号：25AA080/SN 编号：C615241

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的25AA080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

1+
￥21.72
200+
￥8.41
500+
￥8.11
1000+
￥7.97

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CAT28C256NI15

型号：CAT28C256NI15 编号：C7228132

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：onsemi(安森美)

CAT28C256是一款快速、低功耗的5V CMOS并行EEPROM，组织为32K x 8位。它需要简单的在系统编程接口。芯片上带有地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和Vcc电源上下电写保护。数据轮询和状态位信号指示自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28C256还具有硬件和软件写保护。

1+
￥36.32
200+
￥14.5
500+
￥14.01
1000+
￥13.77

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128KbitI2C串行E²PROM，支持页写和顺序读

型号：S-24C128CI-J8T1U3 编号：C2061912

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

S-24C128C是一款128K位的I2C串行E2PROM，支持页写和顺序读功能。该芯片的工作电压范围为1.6V至5.5V，操作频率为400kHz，写周期时间为5.0ms，耐久性为100万次/字节，数据保留时间为100年。

数据手册

1+
￥2.8472
200+
￥1.1019
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￥1.0632
1000+
￥1.044

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CY7C1061G18-15BV1XI

型号：CY7C1061G18-15BV1XI 编号：C2948895

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

1+
￥9.08
200+
￥3.52
480+
￥3.39
960+
￥3.33

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71024S20TYG

型号：71024S20TYG 编号：C1348816

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥9.45
207+
￥3.66
506+
￥3.53
989+
￥3.47

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71024S20YG

型号：71024S20YG 编号：C1351795

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

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￥9.45
207+
￥3.66
506+
￥3.53
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125°C 工业级SPI接口EEPROM

型号：BR25H128F-2LBH2 编号：C2062210

封装：SOP-8-4.4mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H128F-2LB是一款支持工业市场的长寿命支持的串行EEPROM，采用SPI接口方法。它具有高达10MHz的高速时钟操作，2.5V至5.5V的单电源操作，适合电池使用。该芯片支持页写模式，适用于工厂发货时的初始值写入。封装为SOP8，尺寸为5.00mm x 6.20mm x 1.71mm。低功耗，待机电流仅为0.1uA。支持100年的数据保留时间和超过1百万次的写周期寿命。

数据手册

1+
￥10.66
250+
￥4.13
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￥3.98
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￥3.91

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N25S818HAS21I

型号：N25S818HAS21I 编号：C897678

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

1+
￥23.57
200+
￥9.12
500+
￥8.8
1000+
￥8.65

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N25S818HAT21I

型号：N25S818HAT21I 编号：C897836

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

1+
￥23.57
200+
￥9.12
500+
￥8.8
1000+
￥8.65

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DS28E07+T

型号：DS28E07+T 编号：C2063370

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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单价：
￥4.32 / 个

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W94AD6KBHX6I

型号：W94AD6KBHX6I 编号：C17490410

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W94AD6KBHX6I是一款1Gb移动LPDDR SDRAM，支持低功耗模式和高性能读写操作。它具有166MHz的工作频率，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于工业级应用。该芯片支持多种突发长度和突发类型，以及自动预充电和部分阵列自刷新等功能。

1+
￥31.43
312+
￥12.54
624+
￥12.12
936+
￥11.92

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64KB CMOS并行EEPROM，低电压低功耗

型号：CAT28LV65H13I25T 编号：C5591180

封装：TSOP-28

品牌：onsemi(安森美)

CAT28LV65是一款低电压、低功耗的CMOS并行EEPROM，组织为8K x 8位。它需要一个简单的接口进行在系统编程。芯片上的地址和数据锁存器、自定时写周期、自动清除和Vcc电源上下写保护消除了额外的定时和保护硬件。数据轮询、RDY/BUSY状态位和切换状态位信号自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28LV65还具有硬件和软件写保护。

1+
￥39.5
200+
￥15.76
500+
￥15.24
1000+
￥14.98

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256kb并行EEPROM

型号：CAT28C256G-12T 编号：C19423043

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：onsemi(安森美)

CAT28C256是一款快速、低功耗的5V CMOS并行EEPROM，组织为32K x 8位。它需要简单的在系统编程接口。芯片上带有地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和Vcc电源上下电写保护。数据轮询和状态位信号指示自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28C256还具有硬件和软件写保护。

1+
￥41.44
200+
￥16.54
500+
￥15.99
1000+
￥15.71

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W94AD6KBHX6I TR

型号：W94AD6KBHX6I TR 编号：C17356790

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W94AD6KBHX6I TR是一款1Gb移动LPDDR SDRAM，支持低功耗模式和高性能读写操作。它具有200MHz的工作频率，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于工业级应用。该芯片支持多种突发长度和突发类型，以及自动预充电和部分阵列自刷新等功能。

1+
￥63.79
200+
￥25.46
500+
￥24.61
1000+
￥24.18

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2Kbit 高速低功耗SPI串行EEPROM

型号：S-25C020A0I-J8T1U 编号：C2062487

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

S-25C020A是一款SPI接口的串行EEPROM，具有高工作速度、低电流消耗和宽工作范围。该芯片的存储容量为2 K-bit，支持页写和顺序读取。

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1+
￥3.91
200+
￥1.52
500+
￥1.46
1000+
￥1.44

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71024S15YG

型号：71024S15YG 编号：C1348958

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥18.49
200+
￥7.16
500+
￥6.91
1000+
￥6.78

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71024S12YG

型号：71024S12YG 编号：C1348944

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥20.7
207+
￥8.02
506+
￥7.73
989+
￥7.59

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71024S15YGI

型号：71024S15YGI 编号：C1349073

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥22.68
200+
￥8.78
500+
￥8.47
1000+
￥8.32

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71024S20YGI

型号：71024S20YGI 编号：C1349178

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥24.65
207+
￥9.54
506+
￥9.21
989+
￥9.04

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CY7C1049G30-10VXI

型号：CY7C1049G30-10VXI 编号：C2954555

封装：BSOJ-36

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

1+
￥26.18
200+
￥10.14
570+
￥9.78
1140+
￥9.6

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MT46V16M16CY 5B IT:M TR

型号：MT46V16M16CY-5B IT:M TR 编号：C2063120

封装：FBGA-60(8x12.5)

品牌：micron(镁光)

MT46V16M16CY-5B IT:M TR 是一个 256Mb 的 DDR SDRAM，支持 x4, x8 和 x16 数据宽度。该芯片具有多种速度等级，包括 5ns 和 6ns 的时钟周期。它的工作电压为 2.5V ± 0.2V，支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）。

数据手册

1+
￥41.55
200+
￥16.08
500+
￥15.52
1000+
￥15.24

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MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR

型号：MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR 编号：C19735637

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb x8 NAND Flash Memory是一款单芯片封装的NAND Flash存储器，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C）。该存储器采用SLC技术，具有4320字节的页面大小，256KB + 14KB的块大小，以及2048个块/平面。支持ONFI 1.0协议，具有60,000次编程/擦除周期的耐久性和JESD47G标准的数据保留能力。

1+
￥57.66
200+
￥23.01
500+
￥22.24
1000+
￥21.86

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EDB8132B4PB 8D F R TR

型号：EDB8132B4PB-8D-F-R TR 编号：C2064715

封装：FBGA-168(12x12)

品牌：micron(镁光)

该嵌入式低功耗DDR2 SDRAM具有8Gb的存储容量，采用双芯片封装，支持400MHz的时钟频率。其核心电压为1.8V，I/O电压为1.2V，工作温度范围为-30°C至+85°C。

数据手册

1+
￥151.8
200+
￥58.75
500+
￥56.68
1000+
￥55.66

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MT40A2G16SKL 062E:B TR

型号：MT40A2G16SKL-062E:B TR 编号：C1857502

封装：FBGA-96(10.5x13)

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓封装。工作温度范围为 0°C 到 95°C。

数据手册

1+
￥387.7
200+
￥150.04
500+
￥144.77
1000+
￥142.16

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带温度传感器的2线串行EEPROM

型号：S-585AABCCC-A8T5U4 编号：C19759944

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款带有温度传感器的2线串行EEPROM，支持SMBus和I2C协议，内置地址解析协议(ARP)功能。该芯片的工作电压范围为1.7V至3.6V，存储容量为4K位，分为2页，每页256字节，支持页面写入和顺序读取。温度传感器精度在0°C至+85°C范围内为±0.25°C，在-40°C至+125°C范围内为±1.5°C。

数据手册

1+
￥7.15
200+
￥2.86
500+
￥2.76
1000+
￥2.71

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